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公开(公告)号：JP6391873B2
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：JP2018071608
申请日：2018-04-03
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L27/1156
CPC分类号： H01L27/1255 , G11C16/0433 , G11C16/26 , H01L21/84 , H01L27/108 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/11517 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/11803 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/7869
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公开(公告)号：JP2018110273A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2018071608
申请日：2018-04-03
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/417 , H01L21/8244 , H01L27/11 , H01L27/1156 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1255 , G11C16/0433 , G11C16/26 , H01L21/84 , H01L27/108 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/11517 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/11803 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/7869
摘要： 【課題】記憶保持期間において、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、 かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一 とする。 【解決手段】第1のソース電極および第1のドレイン電極と、第1のソース電極および第 1のドレイン電極と電気的に接続され、酸化物半導体材料が用いられている第1のチャネ ル形成領域と、第1のチャネル形成領域上の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層 上の第1のゲート電極と、を有する第1のトランジスタと、容量素子と、を有し、第1の トランジスタの第1のソース電極または第1のドレイン電極の一方と、容量素子の電極の 一方とは、電気的に接続された半導体装置である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6342053B2
公开(公告)日：2018-06-13
申请号：JP2017172875
申请日：2017-09-08
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： 山崎 舜平
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/146 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/10 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/11517 , G11C16/0433 , H01L21/67017 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/3244 , H01L28/40
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公开(公告)号：JP6285001B2
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：JP2016226404
申请日：2016-11-22
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/1156
CPC分类号： G11C16/30 , G11C7/065 , G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/10 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/0458 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/11517 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/42328
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公开(公告)号：JP6209266B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2016203307
申请日：2016-10-17
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： 山崎 舜平
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/788 , H01L29/792 , G09F9/30 , G09F9/00 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/11517 , H01L21/67017 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L28/40 , G11C16/0433 , H01L27/3244
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公开(公告)号：JP2017139050A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2017052191
申请日：2017-03-17
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： G11C11/405 , G11C11/56 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/10 , H01L29/786 , G11C11/4074
CPC分类号： G11C7/00 , G11C11/403 , G11C11/4087 , H01L27/11517 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225
摘要： 【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも 制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。 【解決手段】ワイドギャップ半導体、例えば酸化物半導体を含むメモリセルを用いて構成 された半導体装置であって、メモリセルからの読み出しのために基準電位より低い電位を 出力する機能を有する電位切り替え回路を備えた半導体装置とする。ワイドギャップ半導 体を用いることで、メモリセルを構成するトランジスタのオフ電流を十分に小さくするこ とができ、長期間にわたって情報を保持することが可能な半導体装置を提供することがで きる。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6133928B2
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：JP2015097545
申请日：2015-05-12
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： G11C11/405 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/10 , G11C11/56
CPC分类号： G11C7/00 , G11C11/403 , G11C11/4087 , H01L27/11517 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225
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公开(公告)号：JP2017055136A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2016229211
申请日：2016-11-25
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： 山崎 舜平
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L27/146 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02164 , H01L21/02323 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/441 , H01L21/465 , H01L21/4757 , H01L21/477 , H01L21/67017 , H01L27/11517 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L28/40 , H01L29/66742 , H01L29/7869 , G11C16/0433 , H01L27/3244
摘要： 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す ることを目的の一とする。 【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第1の絶 縁膜に酸素原子を供給し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに 、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半 導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された 酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6034941B2
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：JP2015222100
申请日：2015-11-12
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： 鎌田 康一郎
IPC分类号： G11C11/405 , G11C11/56
CPC分类号： H01L27/11517 , G11C16/0466 , H01L27/1207 , H01L27/1225
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公开(公告)号：JP6021985B2
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：JP2015075525
申请日：2015-04-02
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： G11C14/00 , H03K3/356 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786 , G11C11/412
CPC分类号： H01L27/1225 , G06F1/206 , G11C11/412 , H01L21/84 , H01L27/0629 , H01L27/11517 , H01L27/1203 , H03K19/094 , H03K19/0948 , G11C27/024
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