公开(公告)号：JP6286078B2

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：JP2017018334

申请日：2017-02-03

Applicant: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

Inventor： レア・ディ・チョッチョ ,  ピエリック・グーギャン

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/70 ,  H01L21/2007 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：JP6195704B2

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：JP2012246660

申请日：2012-11-08

Applicant: ジプトロニクス・インコーポレイテッド

Inventor： ポール・エム.・エンクイスト ,  ガイアス・ギルマン・ジュニア・ファウンテン ,  チン−イ・トン

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81931 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025

公开(公告)号：JP2016115868A

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：JP2014254931

申请日：2014-12-17

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 坂口 庄司

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/741 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/50 ,  H01L29/40 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05173 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05255 ,  H01L2224/0539 ,  H01L2224/05393 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05755 ,  H01L2224/0589 ,  H01L2224/05893 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/741 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L24/29 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512

Abstract: 【課題】基板の他方の主面にめっき処理を適切に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】素子構造2をおもて面1a側にそれぞれ備える、一対の半導体基板1を用意し、半導体基板1の裏面1b同士を重ね合せ、重ね合せた半導体基板1の外周部に沿って当該外周部同士を固着する。これにより、半導体基板1の反りが抑制されて、平坦度が向上する。したがって、このような半導体基板1に対してめっき処理を行うと、おもて面1aに対するめっき液の流れが悪化することなくめっき処理を行うことができ、おもて面1aに形成されるめっき層の膜厚分布が向上する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件允许在衬底的另一侧上进行适当的电镀。解决方案：分别在前表面1a上包括元件结构2的一对半导体衬底1分别是 制备了半导体衬底1的背表面1b，然后沿着这样叠加的半导体衬底1的外周粘附外周部分。 因此，能够抑制半导体基板1的翘曲，提高平坦性。 当对这样的半导体衬底1进行电镀时，可以在不使前表面1a的电镀液流恶化的情况下进行电镀，从而提高形成在前表面1上的镀层的厚度分布。 图1

公开(公告)号：JP2015164190A

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：JP2015040707

申请日：2015-03-02

Applicant: ジプトロニクス・インコーポレイテッド

Inventor： チン−イ・トン ,  ポール・エム.・エンクィスト ,  アンソニー・スコット・ローズ

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B23K20/02 ,  H01L21/481 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/90 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81014 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83095 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8334 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06513 ,  H01L24/28 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/351 ,  Y10T29/49126

Abstract: 【課題】貼り合わされたデバイス構造を提供する。 【解決手段】デバイスまたは回路に接続された第1の組の金属ボンディングパッド12および第1の基板10上の金属ボンディングパッドに隣接する第1の非金属領域11を有する第1の基板、デバイスまたは回路に接続された第1の組の金属ボンディングパッドに隣接する第2の組の金属ボンディングパッド、および第2の基板13上の金属ボンディングパッド15に隣接する第2の非金属領域14を有する第2の基板、および第2の非金属領域に対して第1の非金属領域を接触ボンディングさせることにより形成される第1と第2の組の金属ボンディングパッドの間の接触ボンディングされた界面を含むボンディングされたデバイス構造。第1と第2の基板の少なくとも一方は弾性的に変形され得る。 【選択図】図1A

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种粘合装置结构。解决方案：粘合装置结构包括：具有与装置或电路连接的第一对金属接合焊盘12和与金属相邻定位的第一非金属区域11的第一基板 第一基板10上的接合焊盘; 具有第二对金属接合焊盘的第二衬底，所述第二对金属焊盘位于与所述器件或所述电路连接的所述第一对金属焊盘附近，以及与所述第二衬底13上的所述金属焊盘15相邻的第二非金属区域14; 以及通过将第一非金属区域接触到第二非金属区域而形成的第一和第二对金属接合焊盘之间的接触接合边界面。 第一和第二基板中的至少一个可能弹性变形。

公开(公告)号：JP5585447B2

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：JP2010522731

申请日：2009-07-29

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 雅基 田子

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/563 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：JP5570680B2

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：JP2006532508

申请日：2004-05-19

Applicant: ジプトロニクス・インコーポレイテッド

Inventor： トン、チン−イ

IPC: H01L21/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/58 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: B32B7/04 ,  B32B2250/04 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/05442

公开(公告)号：JP2014510391A

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：JP2013549719

申请日：2011-01-25

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： トマス・プラハ ,  クルト・ヒンゲル ,  マルクス・ウィンプリンガー ,  クリストフ・フルートゲン

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

Abstract: 本発明は、第1の基板(1)の第1の接触領域(3)を、第2の基板(2)の第2の接触領域(4)に接合する方法に関し、この方法は、第1の接触領域(3)上の表面層(6)中に貯留部(5)を形成するステップと、貯留部(5)に第1の反応物質または第1の反応物質群を少なくとも部分的に充填するステップと、仮接合連結を形成するために、第1の接触領域(3)と第2の接触領域(4)とを接触させるステップと、第1の接触領域(3)と第2の接触領域(4)との間で、第1の反応物質を、第2の基板の反応層(7)中に含まれた第2の反応物質と反応させることによって、少なくとも部分的に強化された永久接合を形成するステップとを、特に上記の順序で含む。

公开(公告)号：JP2013058781A

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：JP2012246660

申请日：2012-11-08

Applicant: Ziptronix Inc ,  ジプトロニクス・インコーポレイテッド

Inventor： PAUL M ENGQUIST ,  GAIUS GILLMAN FOUNTAIN JR ,  TONG QIN-YI

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81931 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of three-dimensionally integrating elements such as singulated dies or wafers and an integrated structure having connected elements such as singulated dies or wafers.SOLUTION: Either or both of the die and wafer have semiconductor devices formed therein. A first element having a first contact structure is bonded to a second element having a second contact structure. The first and second contact structures can be exposed at bonding and is electrically interconnected as a result of the bonding. A via may be etched and filled after bonding to expose and form an electrical interconnect to interconnect the first and second contact structures and provide electrical access to this interconnect from a surface. Alternatively, the first and/or second contact structures are not exposed at bonding, and a via is etched and filled after bonding to electrically interconnect the first and second contact structures and provide electrical access to the interconnected first and second contact structures.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种三维集成诸如单个模具或晶片的元件的方法以及具有诸如单个模具或晶片的连接元件的一体化结构。 解决方案：晶片和晶片中的任一个或两者具有形成在其中的半导体器件。 具有第一接触结构的第一元件被结合到具有第二接触结构的第二元件。 第一和第二接触结构可以在结合时暴露，并且由于接合而电互连。 可以在接合之后蚀刻和填充通孔，以暴露并形成电互连以互连第一和第二接触结构并提供从表面到该互连的电接入。 或者，第一接触结构和/或第二接触结构在接合时不暴露，并且通孔在接合之后进行蚀刻和填充，从而电连接第一和第二接触结构并提供对互连的第一和第二接触结构的电接触。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP5068273B2

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：JP2009014261

申请日：2009-01-26

Applicant: プロモス テクノロジーズ インコーポレイテッドProMOS Technologies Inc.

Inventor： ザオ ハイ−ジュン ,  チェン ミン−リャン

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/8221 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/80001

公开(公告)号：JP2012186481A

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：JP2012090162

申请日：2012-04-11

Applicant: Ziptronix Inc ,  ジプトロニクス・インコーポレイテッド

Inventor： TONG QIN-YI ,  PAUL M ENGQUIST ,  ANTHONY SCOT ROSE

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B23K20/02 ,  H01L21/481 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/28 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/90 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81014 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83095 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8334 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/351 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To bond wafers to each other at a low temperature or an ambient temperature without using external pressure.SOLUTION: This invention relates to a bonded device structure, and the bonded device structure includes: a first substrate having a first pair of metal bonding pads connecting with a device or a circuit and a first nonmetallic region located adjacent to the metal bonding pads on the first substrate 10; a second substrate having a second pair of metal bonding pads located adjacent to the first pair of metal bonding pads connecting with the device or the circuit and a second nonmetallic region located adjacent to the metal bonding pads on the second substrate 13; and a contact bonded boundary surface between the first and second pairs of metal bonding pads which is formed by contact-bonding the first nonmetallic region to the second nonmetallic region. At least one of the first and second substrates may be elastically deformed.

Abstract translation: 要解决的问题：在低温或环境温度下将晶片彼此接合而不使用外部压力。 粘合装置结构技术领域本发明涉及粘结装置结构，并且粘合装置结构包括：第一基板，其具有与装置或电路连接的第一对金属焊盘和与金属接合相邻的第一非金属区域 第一基板10上的焊盘; 第二衬底，具有位于与所述器件或所述电路连接的所述第一对金属焊盘相邻的第二对金属焊盘和与所述第二衬底13上的所述金属焊盘相邻的第二非金属区域; 以及通过将第一非金属区域接触到第二非金属区域而形成的第一和第二对金属接合焊盘之间的接触接合边界面。 第一和第二基板中的至少一个可能弹性变形。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT