公开(公告)号：JP6312810B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2016509522

申请日：2014-04-18

Applicant: セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク ,  ユニヴェルシテ グルノーブル アルペス ,  インスティチュート ポリテクニック デ グレノーブル

Inventor： イオン,ダビド ,  ジェラール,エチエンヌ ,  ムレ,ピエール ,  ペルノ,ジュリアン ,  テラオール,アブレイ

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L21/20 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C23C14/14 ,  C23C16/27 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP6257459B2

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：JP2014128021

申请日：2014-06-23

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 鈴木 真理子 ,  酒井 忠司

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/16 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/205 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L21/043 ,  H01L29/08 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/402 ,  H01L29/417 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613

公开(公告)号：JP6195831B2

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：JP2014522910

申请日：2012-07-20

Applicant: エーケーエイチエーエヌ テクノロジーズ インク ,  AKHAN TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： ケーエイチエーエヌ、アダム

IPC: H01L29/861 ,  C30B29/04 ,  C30B31/22 ,  C01B32/28 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L21/0405 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/22 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JP6104575B2

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：JP2012260233

申请日：2012-11-28

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 鈴木 真理子 ,  酒井 忠司 ,  佐久間 尚志 ,  片桐 雅之 ,  山崎 雄一

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/041 ,  H01L21/042 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8128 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/4236

公开(公告)号：JP2015517221A

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：JP2015507218

申请日：2013-04-19

Applicant: カーネギー−メロン ユニバーシティCarnegie−Mellon University ,  カーネギー−メロン ユニバーシティCarnegie−Mellon University

Inventor： ロザナ・フッシン ,  チェン・イシュエン ,  イ・ルオ

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  H01L29/88

CPC classification number: H01L29/66219 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 一の態様では、ダイオードは、第1の側面と前記第1の側面に対して反対側に設けられた第2の側面とを有する半導体層であって、前記半導体層は前記第1の側面と前記第2の側面との間に所定の厚さを有し、当該半導体層の厚さは前記半導体層に放出される電荷キャリアの平均自由行程に基づく半導体層と;前記半導体層の第1の側面上に堆積させた第1の金属層と;前記半導体層の第2の側面上に堆積させた第2の金属層と;を備える。

Abstract translation: 在一个方面中，所述二极管是具有在相对侧的第二侧相对于该第一侧表面的第一方面中，所述半导体层和所述第一侧上的半导体层 其中，所述第二侧表面之间的预定厚度，半导体层的厚度是半导体层和基于释放到半导体层中的载流子的平均自由程;在所述半导体层和所述第一 包括;沉积在所述侧表面上的第一金属层;以及沉积在所述半导体层的第二侧上的第二金属层。

公开(公告)号：JP5542325B2

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：JP2008307533

申请日：2008-12-02

Applicant: 昭和電工株式会社

Inventor： 昭彦 菅井 ,  泰之 坂口

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/316 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/0465 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP2018110237A

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：JP2018006176

申请日：2018-01-18

Applicant: カーネギー−メロン ユニバーシティ ,  CARNEGIE−MELLON UNIVERSITY

Inventor： ロザナ・フッシン ,  チェン・イシュエン ,  イ・ルオ

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/43 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66219 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】100THzより高いカットオフ周波数及び作動速度を有する非常に非線形性の高いダイオードを提供する。 【解決手段】ダイオード100は、第1の面112と第1の面112に対して反対側の第2の面114とを有する半導体層102であって、半導体層102は第1の面112と第2の面114との間の厚さ116は半導体層102に放出される電荷キャリアの平均自由行程に近いもしくはこの平均自由行程と同じである。半導体層102の第1の面112に堆積させた第1の金属層104と、半導体層102の第2の面114に堆積させた第2の金属層106と、を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017216319A

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：JP2016108177

申请日：2016-05-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐藤 信太郎 ,  實宝 秀幸

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L29/16 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/6603

Abstract: 【課題】グラフェンナノリボンを用いた高性能のショットキーバリアダイオードを実現する。 【解決手段】ショットキーバリアダイオード1は、グラフェンナノリボン10と、その長さ方向Xの一方のエッジ10aに接続された電極20と、他方のエッジ10bに接続された電極30とを含む。グラフェンナノリボン10は、その長さ方向Xに接続され互いに電子状態の異なる部位11及び部位12を有する。部位11は、例えばグラフェンナノリボン10の幅方向Yのエッジ10cがHで終端され、部位12は、例えばグラフェンナノリボン10の幅方向Yのエッジ10cがFで終端される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016115801A

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：JP2014253215

申请日：2014-12-15

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 鈴木 真理子 ,  酒井 忠司

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H01L21/331 ,  H01L29/732 ,  H01L21/28 ,  H01L21/205 ,  C23C16/27 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C30B29/04 ,  C01G15/00 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L29/155 ,  H01L29/167 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/66219 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/452

Abstract: 【課題】オン電圧の低い半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態によれば、n形半導体層と、第1電極と、窒化物半導体層と、を含む半導体装置が提供される。前記n形半導体層は、ダイヤモンドを含む。前記窒化物半導体層は、前記n形半導体層と前記第1電極との間に設けられる。前記窒化物半導体層は、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)を含み、n形である。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有低导通电压的半导体器件。解决方案：根据实施例，提供了包括n型半导体层，第一电极和氮化物半导体层的半导体器件。 n型半导体层含有金刚石。 氮化物半导体层设置在n型半导体层和第一电极之间。 氮化物半导体层含有AlGaN（0≤x≤1），为n型。选择图1：

公开(公告)号：JP2015153958A

公开(公告)日：2015-08-24

申请号：JP2014027936

申请日：2014-02-17

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 鈴木 真理子 ,  酒井 忠司

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】超高耐圧で低オン抵抗の半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置は、p型の第1のダイヤモンド半導体層と、第1のダイヤモンド半導体層上に配置され、p型不純物濃度が第1のダイヤモンド半導体層のp型不純物濃度より低く、表面が酸素終端されたp型の第2のダイヤモンド半導体層と、第2のダイヤモンド半導体層上に配置され、表面が酸素終端された複数のn型の第3のダイヤモンド半導体層と、第2のダイヤモンド半導体層上および複数の第3のダイヤモンド半導体層上に配置され、第2のダイヤモンド半導体層および複数の第3のダイヤモンド半導体層との接合がショットキー接合である第1の電極と、を備える。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有超高击穿电压和低导通电阻的半导体器件。解决方案：根据实施例的半导体器件包括：p型第一金刚石半导体层; p型第二金刚石半导体层，其布置在第一金刚石半导体层上，并且p型杂质浓度低于第一金刚石半导体层的p型杂质浓度，其表面为氧端接; 以及多个n型第三金刚石半导体层，其布置在所述第二金刚石半导体层上，并且其表面是氧端接的; 以及布置在第二金刚石半导体层和多个第三金刚石半导体层上并与第二金刚石半导体层和多个第三金刚石半导体层形成肖特基结的第一电极。