公开(公告)号：KR1020160039670A

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：KR1020167005514

申请日：2013-09-30

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 노다타카아키 ,  노하라싱고 ,  시마모토사토시 ,  아시하라히로시 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  카마쿠라츠카사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

Abstract: 기판에대하여소정원소, 탄소및 할로겐원소를포함하고소정원소와탄소의화학결합을포함하는원료가스를공급하는공정과, 기판에대하여산화가스를공급하는공정과, 기판에대하여촉매가스를공급하는공정을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해, 기판상에소정원소, 산소및 탄소를포함하는박막을형성하는공정; 박막을형성하는공정에서의기판의온도보다높은제1 온도로박막을열처리하는것에의해박막중으로부터제1 불순물을제거하는공정; 및제1 온도이상의제2 온도로박막을열처리하는것에의해제1 온도로열처리한후의박막중으로부터제1 불순물과는다른제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种技术，包括：（a）通过执行预定次数的循环，在基板上形成含有预定元素，氧和碳的薄膜，该循环包括：（a-1）供应含有 预定元素，碳和卤素元素，其在预定元素和碳之间具有与基底的化学键; （a-2）向所述基板供给氧化气体; 和（a-3）向所述基板供给催化气体; （b）通过在（a）中高于基板的温度的第一温度下热处理所述薄膜从所述薄膜中除去第一杂质; 和（c）通过在执行（b）之后在等于或高于第一温度的第二温度下热处理薄膜，从薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质。

公开(公告)号：KR1020120125210A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：KR1020120108671

申请日：2012-09-28

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device, a substrate processing method, and a substrate processing apparatus are provided to improve quality of a substrate device by forming an insulating layer having high insulation capacity. CONSTITUTION: Gas which contains a predetermined element is provided to a substrate. Carbon containing gas(C3H6) is provided to the substrate. Nitrogen containing gas(NH3) is provided to the substrate. A carbonitried layer is formed on the substrate. An oxidized carbonitried layer is formed on the carbonitried layer. A processing container accepts the substrate. [Reference numerals] (AA) First cycle; (BB) Second cycle; (CC) N cycle; (DD) Silicon containing gas(HCD); (EE) Carbon containing gas(C3H6); (FF) Nitrogen containing gas(NH3); (GG) Inactivity gas(N2)

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，衬底处理方法和衬底处理设备，以通过形成具有高绝缘能力的绝缘层来改善衬底器件的质量。 构成：将含有预定元素的气体提供给基板。 含碳气体（C 3 H 6）被提供给基材。 向基材提供含氮气体（NH 3）。 在基底上形成碳酸盐层。 在碳酸化层上形成氧化碳酸盐层。 处理容器接受基板。 （附图标记）（AA）第一循环; （BB）第二周期; （CC）N循环; （DD）含硅气体（HCD）; （EE）含碳气体（C3H6）; （FF）含氮气体（NH 3）; （GG）惰性气体（N2）

公开(公告)号：KR1020150111812A

公开(公告)日：2015-10-06

申请号：KR1020140124090

申请日：2014-09-18

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 카마쿠라츠카사 ,  카메다켄지

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 본발명은배기버퍼실을이용하여가스배기를수행하는경우에도그 배기버퍼실내에대한클리닝처리를충분히또한양호하게실시할수 있도록한다. 기판재치면상에재치된기판을처리하는처리공간; 상기기판재치면과대향하는측을통하여상기처리공간내에가스를공급하는가스공급계; 적어도상기처리공간의측방에서상기처리공간에연통하는연통공및 상기연통공을지나는상기가스의흐름을차단하는방향으로연장되는가스흐름차단벽을포함하는배기버퍼실; 상기배기버퍼실내에유입된상기가스를배기하는가스배기계; 및상기연통공과상기가스흐름차단벽사이에설치된접속개소(箇所)를통하여상기배기버퍼실내에클리닝가스를공급하는클리닝가스공급관;을구비하는기판처리장치를구성한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置，即使在使用排气缓冲室排出气体的情况下，也能够适当地适当地对排气缓冲室的内部进行清洗处理。 基板处理装置包括：处理空间，其中处理安装在基板安装表面上的基板; 气体供给系统，其通过面向基板安装面的一侧向处理空间的内部供给气体; 所述排气缓冲室包括通过所述处理空间的至少一侧与所述处理空间连通的连通孔，以及阻止流过所述连通孔的气体的流动方向延伸的气体阻流壁; 气体排出系统，其排出插入在排气缓冲室中的气体; 以及清洁气体供给管，其通过设置在所述连通孔和所述气体阻流壁之间的连接位置向所述排气缓冲室的内部供给清洗气体。

公开(公告)号：KR1020140114776A

公开(公告)日：2014-09-29

申请号：KR1020140030754

申请日：2014-03-17

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 시마모토사토시 ,  노다타카아키 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  아시하라히로시 ,  카마쿠라츠카사 ,  노하라싱고

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109

Abstract: The present invention forms a thin film having low permittivity and high etching resistance. A method for manufacturing a semiconductor device comprises: forming a thin film on a substrate; removing first impurities containing water and chlorine from the thin film by heat-treating the thin film at a first temperature higher than the temperature of the thin film in the process of forming the thin film; and removing second impurities containing hydrocarbon compounds from the thin film heat-treated at the first temperature by heat-treating the thin film at a second temperature higher than the first temperature.

Abstract translation: 本发明形成了具有低介电常数和高耐腐蚀性的薄膜。 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成薄膜; 在形成薄膜的过程中，在高于薄膜温度的第一温度下热处理薄膜，从薄膜中除去含有水和氯的第一杂质; 以及通过在高于第一温度的第二温度下对薄膜进行热处理，从在第一温度下热处理的薄膜中除去含有烃化合物的第二杂质。

公开(公告)号：KR101400690B1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：KR1020130112551

申请日：2013-09-23

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

Abstract: 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 처리실 내의 기판에 대하여 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 질소 함유 가스를 공급하는 공정; 및 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 산소 함유 가스를 공급하는 공정;을 타이밍을 다르게 하여 비(非)동시에 수행하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 산탄질화막을 형성하는 공정을 포함하고,상기 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정, 상기 탄소 함유 가스를 공급하는 공정, 상기 질소 함유 가스를 공급하는 공정 및 상기 산소 함유 가스를 공급하는 공정 중 하나의 공정을 수행한 후, 다음 공정을 수행하기 전에 상기 처리실 내의 잔류 가스를 제거하는 공정을 수행하는 것에 의해, 상기 처리실 내에 있어서 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스를 각각 비혼합으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

Abstract translation: 形成具有低介电常数，低蚀刻速率和高绝缘特性的绝缘膜。 向处理室内的基板供给规定的含元素气体的工序; 向处理室中的衬底供应含碳气体; 向处理室中的衬底供应含氮气体; 并且相对于在处理室中的基板供给含氧气体的工序;以及通过执行循环的预定数目的步骤的同时非（非）用不同的定时执行，以形成在基板上的黄原氮化膜 ，供给含有规定元素的气体的步骤，供给含碳气体的步骤，供给含氮气体的步骤以及供给含氧气体的步骤， 之前根据各非混合给定的含元素的气体，含碳气体的半导体器件，所述含氧气体和所述含氧气体氮在通过执行所述处理腔室中在处理室除去残留气体的工序 提供了一种制造方法。

公开(公告)号：KR101361676B1

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020120108671

申请日：2012-09-28

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

Abstract: 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 기판에 대하여 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 질소 함유 가스를 공급하는 공정을 1세트로 하여 이 세트를 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 탄질화층을 형성하는 공정; 및 상기 기판에 대하여 산소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 상기 탄질화층을 산화하여 산탄질화층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 산탄 질화막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정에서는 상기 기판 상에 소정 원소 함유층을 형성하고, 상기 탄소 함유 가스를 공급하는 공정에서는 상기 소정 원소 함유층 상에 상기 탄소 함유 가스의 불연속적인 화학 흡착층을 형성하는 것에 의해 상기 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층을 형성하고, 상기 질소 함유 가스를 공급하는 공정에서는 상기 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층의 상기 질소 함유 가스에 의한 질화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서 상기 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층을 논플라즈마의 분위기 하에서 질 화하여 탄질화층을 형성하고, 상기 산탄질화층을 형성하는 공정에서는 상기 탄질화층의 상기 산소 함유 가스에 의한 산화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서 상기 탄질화층을 논플라즈마의 분위기 하에서 산화하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020120082814A

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：KR1020110146649

申请日：2011-12-30

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device, method of processing substrate and substrate processing apparatus are provided to form an insulating substrate including a high insulating characteristic, low etching rate, and low conductibility. CONSTITUTION: A heat treatment furnace(202) includes a heater(207) as a heat device having a heater and reaction container(203) located on concentric rings with the heater inside. A first(249a) nozzle, second(249b) nozzle, third(249c) nozzle, and fourth(249d) nozzle are installed to penetrate the lower part of the reaction container. The first, second, third, and fourth nozzles are respectively connected to a first gas pope, second gas pope, third gas pope, and fourth gas pope. A buffer room(237) is installed according to the loading direction of a wafer(200).

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件的制造方法，衬底和衬底处理设备的处理方法，以形成具有高绝缘特性，低蚀刻速率和低导电性的绝缘衬底。 构成：热处理炉（202）包括作为加热装置的加热器（207），其具有加热器和位于与加热器内部的同心环上的反应容器（203）。 安装第一（249a）喷嘴，第二（249b）喷嘴，第三（249c）喷嘴和第四（249d）喷嘴）以穿透反应容器的下部。 第一，第二，第三和第四喷嘴分别连接到第一气体教皇，第二气体教皇，第三气体教皇和第四气体教皇。 缓冲室（237）根据晶片（200）的装载方向安装。

公开(公告)号：KR1020110114446A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：KR1020110029300

申请日：2011-03-31

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

Abstract: An insulating film having features such as a low dielectric constant, a low etching rate and a high insulating property is formed. An oxycarbonitride film is formed on a substrate by performing a cycle a predetermined number of times, the cycle including: (a) supplying a gas containing an element to the substrate; (b) supplying a carbon-containing gas to the substrate; (c) supplying a nitrogen-containing gas to the substrate; and (d) supplying an oxygen-containing gas to the substrate.

Abstract translation: 形成具有诸如低介电常数，低蚀刻速率和高绝缘性的特征的绝缘膜。 通过执行预定次数的循环在衬底上形成碳氮氧化物膜，所述循环包括：（a）向衬底供应含有元素的气体; （b）向衬底供应含碳气体; （c）向衬底供应含氮气体; 和（d）向衬底供应含氧气体。

公开(公告)号：KR1020160028335A

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：KR1020150022184

申请日：2015-02-13

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 카마쿠라츠카사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02263

Abstract: 배기버퍼실을이용하여가스배기를수행하는경우에도양호한특성의막을형성가능한기술을제공한다. 기판재치대의기판재치면상에재치된기판을처리하는처리공간; 기판재치면과대향하는측으로부터처리공간내에가스를공급하는가스공급계; 적어도처리공간의측방에서상기처리공간에연통하는연통공및 연통공을통하는가스의흐름을가로막는방향으로연장하는가스류차단벽을포함하여구성되는배기버퍼실; 및가스류차단벽에설치된제1 가열부;를포함한다.

Abstract translation: 本发明提供了即使在通过使用排气缓冲室进行气体排出时也能形成具有微细特性的膜的技术。 根据本发明的一个实施例，一种用于处理基板的设备包括：处理安装在基板安装托盘的基板安装表面上的基板的处理空间; 气体供给系统，其从面向所述基板安装面的一侧向所述处理空间供给气体; 以及排气缓冲室，其包括从所述处理空间的至少一部分连通到所述处理空间的连通孔和沿着阻止通过所述连通孔的气体的流动的方向延伸的气体阻塞阻挡壁; 以及安装在气体阻塞壁上的第一加热单元。

公开(公告)号：KR101601662B1

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：KR1020140124090

申请日：2014-09-18

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 카마쿠라츠카사 ,  카메다켄지

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 본발명은배기버퍼실을이용하여가스배기를수행하는경우에도그 배기버퍼실내에대한클리닝처리를충분히또한양호하게실시할수 있도록한다.기판재치면상에재치된기판을처리하는처리공간; 상기기판재치면과대향하는측을통하여상기처리공간내에처리가스및 불활성가스중 적어도하나를공급하는처리공간가스공급계; 적어도상기처리공간의측방에서상기처리공간에연통하는연통공및 상기연통공을지나는가스의흐름을차단하는방향으로연장되는가스흐름차단벽을포함하는배기버퍼실; 상기배기버퍼실내에유입된상기가스를배기하는가스배기계; 상기연통공과상기가스흐름차단벽사이에설치된접속개소를통하여상기배기버퍼실내에클리닝가스를공급하는클리닝가스공급관을포함하는배기버퍼실클리닝가스공급계; 및상기배기버퍼실에상기클리닝가스공급관을통하여상기클리닝가스를공급하는동안, 상기클리닝가스가상기처리공간에침입하지않도록상기처리공간가스공급계를통하여상기처리공간에상기불활성가스를공급하도록상기처리공간가스공급계와상기배기버퍼실클리닝가스공급계를제어하는컨트롤러;를구비하는기판처리장치를구성한다.