公开(公告)号：KR101110765B1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：KR1020050083535

申请日：2005-09-08

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 카케하타테쓰야 ,  타케하라유유이치 ,  진보야스히로

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765

Abstract: 기판상에 비정질 반도체막 및 주기율표의 15족에서 선택된 원소를 포함하는 반도체막이 형성된다. 섬형 비정질 반도체막 및 섬형 반도체막을 포함하는 섬형 영역이 형성된다. 상기 섬형 영역 위에 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된다. 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 마스크로 사용하여, 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 의해 피복되지 않은 섬형 반도체막이 제거된다. 이때, 섬형 비정질 반도체막의 두께가 감소되며, 섬형 비정질 반도체막의 일부가 노출된다. 상기 섬형 비정질 반도체막이 노출된 영역 내로 결정화 촉진 촉매 원소가 도입된다. 열처리에 의해, 섬형 비정질 반도체막이 결정화되며, 촉매 원소가 게터링된다.
반도체 장치, 비정질 반도체막, 섬형 반도체막, 촉매, 게터링

公开(公告)号：KR101432766B1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：KR1020087031516

申请日：2007-05-16

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 카케하타테쓰야 ,  타나카테츠히로 ,  아사미요시노부

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881

Abstract: 막특성이 우수한 절연막을 제조하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 치밀한 고내압의 절연막을 제조하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 전자 트랩이 적은 절연막을 제조하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 산소를 포함한 절연막에 대하여, 산소를 포함한 분위기 하에서, 고주파를 사용해서 전자밀도가 1×10
11 cm
-3 이상, 또한, 전자온도가 1.5eV이하인 조건에서 플라즈마처리를 행한다.
비휘발성 반도체 기억장치, 절연막, 고내압, 전자 트랩.

公开(公告)号：KR1020060125579A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：KR1020060049290

申请日：2006-06-01

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  카케하타테쓰야 ,  오누마히데토 ,  나가이마사하루 ,  오사메미쓰아키 ,  사카쿠라마사유키 ,  코모리시게키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288

Abstract: A semiconductor device is provided to improve the quality of an insulation layer functioning as an underlying layer by oxidizing or nitridizing the insulation layer by a plasma treatment. A semiconductor layer(106a,106b) is crystallized by using a laser selected from a group composed of a continuous wave laser having a repetition rate of 10 megahertz to 100 gigahertz and pulse-type laser. An oxide process is performed on the semiconductor layer to form an insulation layer by using an oxygen radical generated by plasma having an electron temperature of 3 electron volt and an electron density of 1 10^11 centimeter^-3. A conductive layer is formed on the semiconductor layer. The conductive layer is etched by a first mask pattern having a purposely uniform thickness and a second mask pattern having a uniform thickness while using a photomask or reticle(10) including an assistant pattern with a light intensity reducing capability. The assistant pattern is made of a half-transmitting layer or a diffraction lattice pattern.

Abstract translation: 提供半导体器件以通过等离子体处理来氧化或氮化绝缘层来改善用作下层的绝缘层的质量。 半导体层（106a，106b）通过使用选自由重复频率为10兆赫至100千兆赫兹的连续波激光器组成的组的激光和脉冲型激光来结晶。 通过使用由电子温度为3电子伏特和电子密度为10 10 11 cm -3的等离子体产生的氧自由基，在半导体层上进行氧化处理以形成绝缘层。 在半导体层上形成导电层。 通过具有均匀厚度的第一掩模图案和具有均匀厚度的第二掩模图案来蚀刻导电层，同时使用包括具有光强度降低能力的辅助图案的光掩模或掩模版（10）。 辅助图案由半透射层或衍射格子图案构成。

公开(公告)号：KR1020100061340A

公开(公告)日：2010-06-07

申请号：KR1020090108984

申请日：2009-11-12

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 카케하타테쓰야 ,  쿠도타카시

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device is provided to check information using an optical microscope by transcribing information of a silicon wafer on a translucent substrate using a laser. CONSTITUTION: A convex part is formed on a single crystalline semiconductor substrate(100). The convex part is planarized with polishing the single crystalline semiconductor substrate by a chemical mechanical polishing. A fragility domain(104) is formed on the single crystalline semiconductor substrate. A surface of a base substrate(120) and the surface of the single crystalline semiconductor substrate are welded. The single crystalline semiconductor substrate is separated with heating the single crystalline semiconductor substrate and the base substrate from the base substrate. A single crystal semiconductor layer(124) is formed on the base substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件的制造方法，通过使用激光在半透明基板上转印硅晶片的信息，使用光学显微镜检查信息。 构成：在单晶半导体衬底（100）上形成凸部。 通过化学机械抛光对凸出部分进行平面化，抛光单晶半导体衬底。 脆性区域（104）形成在单晶半导体衬底上。 焊接基体基板（120）的表面和单晶半导体基板的表面。 从基底衬底加热单晶半导体衬底和基底衬底来分离单晶半导体衬底。 在基底基板上形成单晶半导体层（124）。

公开(公告)号：KR1020090029738A

公开(公告)日：2009-03-23

申请号：KR1020087031516

申请日：2007-05-16

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 카케하타테쓰야 ,  타나카테츠히로 ,  아사미요시노부

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881 ,  H01L21/28273

Abstract: An object is to provide a technique to manufacture an insulating film having excellent film characteristics. In particular, an object is to provide a technique to manufacture a dense insulating film with a high withstand voltage. Moreover, an object is to provide a technique to manufacture an insulating film with few electron traps. An insulating film including oxygen is subjected to plasma treatment using a high frequency under the conditions where the electron density is 1 1011 cm-3 or more and the electron temperature is 1.5 eV or less in an atmosphere including oxygen.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种制造具有优异膜特性的绝缘膜的技术。 具体地，目的在于提供一种制造具有高耐压的致密绝缘膜的技术。 此外，目的是提供一种制造具有少量电子阱的绝缘膜的技术。 在包含氧的气​​氛中，在电子密度为1×10 11 cm -3以上，电子温度为1.5eV以下的条件下，使用高频率进行等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020060051092A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050083535

申请日：2005-09-08

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 카케하타테쓰야 ,  타케하라유유이치 ,  진보야스히로

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1214

Abstract: An amorphous semiconductor film and a semiconductor film including an element selected from Group 15 of the periodic table are formed over a substrate. An island-shaped region including an island-shaped amorphous semiconductor film and an island-shaped semiconductor film is formed. A source electrode and a drain electrode are formed over the island-shaped region. The island-shaped semiconductor film that is not covered by the source electrode and the drain electrode is removed using the source electrode and the drain electrode as a mask. At this time, the thickness of the island-shaped amorphous semiconductor film is reduced, and a portion of the island-shaped amorphous semiconductor film is exposed. A catalytic element promoting crystallization is added into a region in which the island-shaped amorphous semiconductor film is exposed. By a heat treatment, the island-shaped amorphous semiconductor film is crystallized and the catalytic element is gettered.

Abstract translation: 在衬底上形成非晶半导体膜和含有选自元素周期表第15族的元素的半导体膜。 形成包括岛状非晶半导体膜和岛状半导体膜的岛区域。 在岛区上形成源电极和漏电极。 通过使用源电极和漏电极作为掩模来去除未被源电极和漏电极覆盖的岛状半导体膜。 此时，岛状非晶半导体膜的厚度变薄，岛状非晶半导体膜的一部分露出。 结晶促进催化剂元素被引入到岛状非晶半导体膜暴露的区域中。 通过热处理，岛状非晶半导体膜结晶化，催化元素被吸收。

公开(公告)号：KR101570991B1

公开(公告)日：2015-11-23

申请号：KR1020090108984

申请日：2009-11-12

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 카케하타테쓰야 ,  쿠도타카시

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

Abstract: 베이스기판에단결정실리콘층을전재한후에레이저를사용해서베이스기판에인자를하면, 인자도트주변부의단결정실리콘층의막의벗겨짐이일어나거나, 단결정실리콘층표면에유리조각등이부착되는것 등의과제가있다. 실리콘웨이퍼의접합면에레이저를사용해서인자를행하고, 그후 CMP(Chemical Mechanical Polishing)에의해실리콘웨이퍼표면을연마하여, 인자도트주변부의볼록부를제거한후에, 베이스기판에부착시킨다. CMP로연마한후에도, 화학적에칭작용에의해, 인자도트오목부는어느정도남아있으므로, 전재시에그 부분만전재되지않아, 베이스기판에정보가남는다.

公开(公告)号：KR101484490B1

公开(公告)日：2015-01-20

申请号：KR1020080099861

申请日：2008-10-10

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 오누마히데토 ,  카케하타테쓰야 ,  시모무라아키히사 ,  사사가와신야 ,  쿠라타모토무

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/84

Abstract: 본 발명은 유리기판 등 내열온도가 낮은 기판을 사용한 경우에도, 실용에 견딜 수 있는 단결정 반도체 층을 구비한 반도체 기판의 제조 방법을 제공한다.
소스 가스를 여기하여 플라즈마를 생성하여, 플라즈마에 포함되는 이온종을 단결정 반도체 기판의 한쪽의 면으로부터 첨가하여, 손상 영역을 형성하고, 단결정 반도체 기판의 한쪽의 면 위에 절연층을 형성하고, 절연층을 사이에 두고 단결정 반도체 기판과 마주 보도록 지지기판을 밀착시켜, 단결정 반도체 기판을 가열함으로써, 손상 영역에서 분리하고, 단결정 반도체 층이 접합된 지지기판과 단결정 반도체 기판과 분리하여, 지지기판에 접합된 단결정 반도체 층의 표면에 대하여, 드라이 에칭을 하고, 단결정 반도체 층에 대하여 레이저 빔을 조사하여, 단결정 반도체 층의 적어도 일부를 용융하는 것으로, 단결정 반도체 층을 재단결정화시킨다.
단결정 반도체 기판, 단결정 반도체 층, 손상 영역, 지지기판, 실리콘 온 인슐레이터

公开(公告)号：KR101168908B1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：KR1020060049290

申请日：2006-06-01

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  카케하타테쓰야 ,  오누마히데토 ,  나가이마사하루 ,  오사메미쓰아키 ,  사카쿠라마사유키 ,  코모리시게키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288

Abstract: 본 발명은 동작 성능 및 신뢰성이 높은 회로를 갖는 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 하며, 또한 반도체 장치의 신뢰성을 향상시켜, 그것을 구비하는 전자기기의 신뢰성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 상기 목적은 반도체층을 반복율이 10MHz 내지 100GHz인 연속파형 레이저 및 펄스형 레이저로 일방향으로 주사하면서 결정화시키는 단계와, 광 강도 저감 기능을 갖는 회절 격자 패턴 또는 반투과막으로 구성된 보조 패턴을 포함하는 포토 마스크 또는 레티클을 이용하는 포토리소그래프 단계와, 저전자 온도의 고밀도 플라즈마로 반도체막의 표면, 절연막, 또는 도전막의 표면에 대하여 산화, 질화 또는 표면 개질을 수행하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 의하여 달성된다.
반도체 장치, 포토마스크, 산화, 질화, 플라즈마

Abstract translation: 为了提供具有高工作性能和高可靠性的电路并提高半导体器件可靠性的半导体器件，由此提高具有该半导体器件的电子器件的可靠性。 上述目的是通过组合半导体层结晶化的步骤实现的，该步骤是通过用重复频率为10MHz或更高的连续波激光束或脉冲激光束照射，同时沿一个方向扫描; 使用包括由具有降低光强度的功能的衍射光栅图案或半透射膜形成的辅助图案的光掩模或小孔的光刻的光刻步骤; 以及利用低电子温度的高密度等离子体对半导体膜，绝缘膜或导电膜的表面进行氧化，氮化或表面改性的步骤。

公开(公告)号：KR1020090037364A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：KR1020080099861

申请日：2008-10-10

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 오누마히데토 ,  카케하타테쓰야 ,  시모무라아키히사 ,  사사가와신야 ,  쿠라타모토무

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/84

Abstract: A manufacturing method of an SOI(Silicone On Insulator) substrate is provided to form a single crystal semiconductor layer having a high flatness by irradiating a laser beam after reducing a surface roughness of the single crystal semiconductor layer. An insulation layer(102) containing nitride is formed on one surface of a single crystal semiconductor substrate. An ion beam is irradiated on the single crystal semiconductor substrate. A damage region is formed on a region of a fixed depth from one surface of the single crystal semiconductor substrate. An insulation layer(104) is formed on the single crystal semiconductor substrate. The single crystal semiconductor substrate is closely adhered to a support substrate(107). A bonding intensity of the support substrate and the single crystal semiconductor substrate is improved by performing a thermal process and a pressurizing process. The single crystal semiconductor substrate is separated by performing a thermal process. A dry etching process is performed on a surface of the single crystal semiconductor layer in order to remove a defect existing on the surface of the single crystal semiconductor layer. A laser beam(106) is irradiated on the single crystal semiconductor layer(109). A re-crystallized single crystal semiconductor layer(110) is formed by performing a cooling process and a solidification process about the single crystal semiconductor layer. An SOI substrate having the single crystal semiconductor layer is formed by irradiating the laser beam.

Abstract translation: 提供SOI（有机硅绝缘体）基板的制造方法，通过在降低单晶半导体层的表面粗糙度之后照射激光来形成平坦度高的单晶半导体层。 在单晶半导体衬底的一个表面上形成含有氮化物的绝缘层（102）。 离子束照射在单晶半导体基板上。 在单晶半导体衬底的一个表面的固定深度的区域上形成损伤区域。 在单晶半导体衬底上形成绝缘层（104）。 单晶半导体衬底紧密地附着到支撑衬底（107）上。 通过进行热处理和加压处理，能够提高支撑基板和单晶半导体基板的接合强度。 通过进行热处理来分离单晶半导体衬底。 在单晶半导体层的表面上进行干蚀刻处理，以去除存在于单晶半导体层的表面上的缺陷。 激光束（106）照射在单晶半导体层（109）上。 通过对单晶半导体层进行冷却处理和固化处理，形成再结晶化的单晶半导体层（110）。 通过照射激光束形成具有单晶半导体层的SOI衬底。