公开(公告)号：KR101920091B1

公开(公告)日：2018-11-19

申请号：KR1020137003462

申请日：2011-08-22

申请人： 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤

发明人： 와키오카사야카 ,  니시무라요시오 ,  나카야마아츠시 ,  이양수

IPC分类号： C09J7/20 ,  H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  C09J163/00

CPC分类号： C09J163/00 ,  C09J7/29 ,  C09J133/066 ,  C09J133/068 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/61 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/006 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81855 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029

摘要： 본발명은, 돌기전극의손상및 변형을억제할수 있어, 신뢰성이우수한반도체칩 실장체의제조에바람직하게사용되는접착시트, 및그 접착시트를사용한반도체칩의실장방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명은, 표면에돌기전극을갖는반도체칩을기판또는다른반도체칩에실장하기위해서사용되는접착시트로서, 40 ∼ 80 ℃에서의인장저장탄성률이 0.5 ㎬이상인경질층과, 그적어도일방의면에적층되고, 40 ∼ 80 ℃에서의인장저장탄성률이 10 ㎪∼ 9 ㎫인 가교아크릴폴리머로이루어진유연층을갖는수지기재를갖고, 상기유연층상에형성되고, 회전식레오미터를이용하여, 승온속도 5 ℃/분, 주파수 1 ㎐로 40 ∼ 80 ℃에 있어서의용융점도를측정했을경우의최저용융점도가 3000 ㎩·s 보다크고 100000 ㎩·s 이하인열경화성접착제층을갖는접착시트이다.

公开(公告)号：KR101916818B1

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：KR1020170043090

申请日：2017-04-03

申请人： 이화여자대학교 산학협력단

发明人： 이상욱 ,  신동훈

IPC分类号： G03F7/16 ,  H01L51/00

CPC分类号： H05K13/0015 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2223/54426 ,  H05K13/00

摘要： 본발명은전사과정에서효율적인대면적전사가이루어지도록할 수있는전자장치제조방법을위하여, 소스기판상에상호이격되도록위치한복수개의기능층들상에전사막을위치시키는단계와, 전사막상에상호이격된복수개의구멍들을갖는지지틀을부착하는단계와, 전사막의하면에복수개의기능층들이밀착된상태로전사막으로부터소스기판을제거하는단계와, 전사막의하면에복수개의기능층들이밀착된상태로전사막을타겟기판상에위치시키는단계와, 전사막으로부터지지틀을분리하는단계와, 타겟기판으로부터전사막을제거하는단계를포함하는, 전자장치제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR101900365B1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：KR1020120077365

申请日：2012-07-16

申请人： 삼성디스플레이 주식회사

发明人： 김광해 ,  김동규 ,  정관욱 ,  김성준 ,  김무진 ,  권오섭

IPC分类号： H01L51/52 ,  G09G3/30

CPC分类号： H01L27/3276 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2251/568 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은제1방향으로연장된복수개의제1배선들; 및상기제1방향과교차하는제2방향으로연장된복수개의제2배선들; 을포함하고, 상기제1배선들각각에식별을위한서로다른제1식별패턴들이형성되고, 상기제2배선들각각에식별을위한서로다른제2식별패턴들이형성되어쇼트불량의식별이용이한표시장치를제공한다.

公开(公告)号：KR101900153B1

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：KR1020160128200

申请日：2016-10-05

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 린후웨이 ,  쉬치시엔 ,  우위헌 ,  천하이인 ,  왕잉하오 ,  치우위웨이

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L23/544 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70541 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67282 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433

摘要： 몇몇의실시예들에서, 본발명개시는리소그래피기판마킹툴에관한것이다. 리소그래피기판마킹툴은공유된하우징내에배열되고복수의노광들동안에제1 유형의전자기방사선을생성하도록구성된제1 리소그래피노광툴을갖는다. 이동식레티클은반도체기판위에있는감광성물질내에기판식별마크를노광하도록제1 유형의전자기방사선의일부를차단하도록각각구성된복수의상이한레티클필드들을갖는다. 복수의레티클필드들의개별적인레티클필드들이복수의노광들의개별적인노광들동안에감광성물질상에노광되도록횡단엘리먼트가이동식레티클을이동시키도록구성된다. 이에따라, 이동식레티클은동일한레티클을이용하여감광성물질내에기판식별마크들의상이한문자열들이형성되도록함으로써, 리소그래피기판마킹의경제적장점들을제공한다.

公开(公告)号：KR101853754B1

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：KR1020137005325

申请日：2011-08-04

申请人： 오라클 인터내셔날 코포레이션

发明人： 하라다,존에이. ,  더글라스,데이비드씨. ,  드로스트,로버트제이.

IPC分类号： H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 ,  G02B6/43 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16135 ,  H01L2224/16151 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/819 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1015 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/151

摘要： 램프스택칩 패키지가설명된다. 이칩 패키지는수평방향으로서로오프셋된반도체다이또는칩들의수직스택을포함하며, 이로써노출된패드를구비한테라스(terrace)를정의한다. 테라스에대략평행하게위치하는고대역폭램프컴포넌트는노출된패드에전기적으로및 기계적으로결합된다. 예를들어, 램프컴포넌트는솔더(solder), 마이크로스프링(microspring), 및/또는이방성도전필름(anisotropic conducting film)을사용하여반도체다이들에결합될수 있다. 또한, 반도체다이각각은반도체다이각각의엔드세그먼트가그 방향에평행하며, 램프컴포넌트에기계적으로결합되도록고정벤드를포함한다. 이들엔드세그먼트는예를들어, 근접통신(proximity communication)을통해칩들과램프컴포넌트사이의신호의고대역폭통신을용이하게할 수있다.

公开(公告)号：KR20180060829A

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：KR20160160778

申请日：2016-11-29

申请人： 주식회사 이오테크닉스

发明人： 이두석 ,  문제호 ,  홍범기

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/268 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L21/67282 ,  B23K26/359 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/268 ,  H01L23/544

摘要： 레이저마킹장치가개시된다. 개시된레이저마킹장치는, 가공대상물의상기제1면이평탄화되도록상기가공대상물의상기제1면과반대면인제2면을가압하는것으로서, 비접촉방식에의해상기제2면과의이격거리를소정거리이내로유지하도록상기제2면에기체를분사하는적어도하나의기체분사부를포함하는가압유닛; 제1 링크와, 상기제1 링크에회동가능하게연결된제2 링크와, 상기가압유닛으로상기기체를공급하기위한제1 튜브와, 상기제1 튜브의단부를지지하며상기가압유닛에탈착가능하게연결된기체연결부를포함하는관절구조물; 및상기기체연결부가상기가압유닛으로부터분리될때, 상기관절구조물이소정의위치를유지하도록상기관절구조물을보관하는관절보관부;를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR20180059255A

公开(公告)日：2018-06-04

申请号：KR20160158587

申请日：2016-11-25

申请人： 비전세미콘 주식회사

发明人： 윤통섭

IPC分类号： H01L21/677 ,  B65G47/90 ,  B65G49/06 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L21/6773 ,  B65G47/90 ,  B65G49/061 ,  B65G2201/0297 ,  H01L21/67265 ,  H01L21/67718 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/68 ,  H01L23/544

摘要： 본발명은웨이퍼가수용된캐리어박스를이송시키는반도체웨이퍼이송장치에설치되어이송과정중 웨이퍼및 캐리어박스가추락하는사고가발생되지않도록웨이퍼캐리어박스를견고하게고정하는반도체웨이퍼이송장치의그리퍼에관한것이다. 본발명은개방된일측으로웨이퍼가수용된캐리어박스를이송하는반도체웨이퍼이송장치의일측에설치된지지부(100)와, 상기지지부에상하방향으로회동가능하게연결된본체부(200)와, 각기다른종류의캐리어박스에대하여대응이가능하도록상기본체부에복수로설치된그립부(300)와, 상기지지부의일측에설치되어상기본체부에대하여상방으로의회동력을부여하는틸팅부(400)를포함하여구성된다.

公开(公告)号：KR101815501B1

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：KR1020160004799

申请日：2016-01-14

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 라비드,아브라함 ,  이건,토드 ,  코노스,폴 ,  스타릭,세르게이 ,  발라수브라마니안,가니쉬 ,  바수,사프타르시

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/68 ,  H01L21/66 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/682 ,  G03F7/70 ,  G03F9/70 ,  G03F9/7023 ,  G03F9/7034 ,  G03F9/7042 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/67063 ,  H01L22/20 ,  H01L23/544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 기판-크기마스크들의정렬을위한방법들및 시스템들이설명된다. 소개되는정렬방법들은, 기판및 기판-크기마스크의상대적인측방향포지션(relative lateral position)에의해영향을받는프로세스들의반복성(repeatability) 및균일성을개선시킬수 있다. 방법들은기판-크기마스크의둘레주위의다수의위치들에서기판의 "돌출부(overhang)"를측정하는단계를수반한다. 측정들에기초하여, 기판및/또는마스크포지션의조정에의해, 기판-크기마스크에대한기판의상대적인포지션이수정된다. 실시예들에서, 상대적인포지션의조정은하나의조정으로이루어진다. 방법들및 하드웨어의특징은, 기판프로세싱시스템이완전히조립되고, 그리고가능하게는, 진공하에있는동안에, 측정들및 조정들을하는능력을수반한다.

摘要翻译： 描述了用于衬底尺寸掩模的对准的方法和系统。 引入的对准方法可以改善受衬底和衬底尺寸掩模的相对横向位置影响的工艺的可重复性和均匀性。 该方法涉及在衬底尺寸掩模的外围周围的多个位置处测量衬底的“悬垂”。 基于测量，通过调整衬底和/或掩模位置来确定衬底相对于衬底尺寸掩模的相对位置。 在实施例中，通过一次调整来进行相对位置的调整。 方法和硬件特征涉及在衬底处理系统完全组装并且可能在真空下进行测量和调整的能力。

公开(公告)号：KR1020170137927A

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：KR1020177033877

申请日：2016-04-22

申请人： 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드

发明人： 왕,강 ,  푸,연빈 ,  왕,샤오위 ,  장,자오젱 ,  지앙,지에

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/68 ,  G06T7/0004 ,  G06T7/73 ,  G06T2207/30148 ,  H01L21/68764 ,  H01L23/544

摘要： 웨이퍼를위한사전정렬장치는, 상기웨이퍼를지지하고, 제 1 정렬표시자(W1)와제 2 정렬표시자(W2)가웨이퍼의중심에대해서로실질적으로대칭되도록웨이퍼상에상기제 1 정렬표시자와제 2 정렬표시자를제공되는, 웨이퍼스테이지, 상기웨이퍼스테이지에대한웨이퍼의에지또는노치의상대적인위치관계에근거하여, 상기웨이퍼에대해제 1 위치보상을실시하도록구성된주변시획득시스템(1), 및상기제 1 정렬표시자(W1)와제 2 정렬표시자(W2)의이미지를촬영하고, 표시자검출시스템(4)의좌표계에서의상기제 1 정렬표시자(W1)와제 2 정렬표시자(W2)의위치에근거하여, 웨이퍼스테이지중심에대한웨이퍼중심의상대적인위치관계를결정하여웨이퍼에대해제 2 위치보상을실시하도록구성된상기표시자검출시스템(4)을구비하되, 상기표시자검출시스템(4)의좌표계는웨이퍼스테이지중심과상기표시자검출시스템(4)의중심을지나는직선에의해정의되는수평축(X)과상기수평축(X)에직교하고상기웨이퍼스테이지중심을지나는직선에의해정의되는수직축(Y)을가진다.

摘要翻译： 预分选装置被支撑晶片，并显示第一对准指示器（W1）沃赫第二对准指示器（W2），第一排列在晶片上为基本上对称于所述晶片的字符的中心为晶片 基于沃赫第二边缘或在晶片台上的晶片上的凹口的相对位置，它表示晶片载置台时，在对准器之间设置中所示，当周围被配置为执行所述第一位置，以补偿晶片采集系统（1）， 和所述第一对准指示器（W1）沃赫第二对准指示器（W2）图像拍摄，并且所述第一对准指示器（W1）沃赫第二对准坐标eseoui指示器检测系统（4）的系统显示字符（W2 ）位置移动到晶片载片台，但确定中心的晶片中心的相对位置关系，并且具有所述指示器检测系统（4）被配置为执行第二位置补偿晶片，其中所述指示器检测系统基于（a 4）有一个晶圆台 并且由通过晶片台的中心的直线和由通过指示器检测系统4的中心的直线限定的水平轴X限定的垂直轴线Y 。

公开(公告)号：KR1020170134039A

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：KR1020160065699

申请日：2016-05-27

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 이은영 ,  손용훈 ,  안재영

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/1037 ,  H01L2223/544 ,  H01L2223/54426

摘要： 본발명의기술적사상에의한수직형메모리장치는기판상에상기기판의상면과수직한제1 방향으로교대로그리고반복적으로적층된상기상면에평행한게이트전극들및 상기상면에평행한절연막패턴들을포함하는복수개의적층구조체들, 상기적층구조체들중 인접한두 개의상기적층구조체들의사이에개재된적어도하나의구조체간층들, 상기적층구조체들및 상기적어도하나의구조체간층들을상기제1 방향으로관통하여상기기판과연결되는채널구조를포함할수 있다.

摘要翻译： 根据本发明的技术特征的垂直型存储装置中，在上表面上的交替的上表面平行的栅电极和垂直于基片上的基片的第一方向，且重复地堆叠，并且在绝缘膜图案是平行于上表面 至少一个层间结构层在第一方向上介于两个相邻层叠结构，堆叠结构和至少一个层间结构层之间 并且连接到衬底的沟道结构。