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公开(公告)号：KR102027591B1
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：KR1020130057622
申请日：2013-05-22
Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
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公开(公告)号：KR101889104B1
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：KR1020120036715
申请日：2012-04-09
Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
CPC classification number: G03F7/0397 , C08F224/00 , C08F228/06 , G03F7/2041
Abstract: 산의작용에의해현상액에대한용해성이변화하는기재성분 (A), 및노광에의해산을발생시키는산발생제성분 (B) 를함유하는레지스트조성물로서, 상기기재성분 (A) 는식 (a0-1) 로나타내는구성단위 (a0) 과, α위치의탄소원자에결합된수소원자가치환기에의해치환되어있어도되는아크릴산에스테르로부터유도되는구성단위로서, 산의작용에의해극성이증대되는산분해성기를포함하는구성단위 (a1) 을갖는수지성분 (A1) 을함유하는것을특징으로하는레지스트조성물 [식중, R 은수소원자, 탄소수 1 ∼ 5 의알킬기, 또는탄소수 1 ∼ 5 의할로겐화알킬기이다].
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公开(公告)号：KR1020160113022A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020160032133
申请日：2016-03-17
Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , C07J31/006 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/325
Abstract: 노광에의해산을발생하고, 산의작용에의해현상액에대한용해성이변화하는레지스트조성물로서, 산의작용에의해현상액에대한용해성이변화하는기재성분 (A) 와, 노광에의해산을발생하는산 발생제성분 (B) 를함유하고, 상기산 발생제성분 (B) 가하기일반식 (b0) 으로나타내는화합물 (B0-1) 을함유하는것을특징으로하는레지스트조성물 [식중, Yx은 2 가의연결기이고, n 은 1 ∼ 3 의정수이다. M'는 m 가의유기카티온이다.]
Abstract translation: 本发明涉及通过曝光产生酸的抗蚀剂组合物，并且通过酸的作用使其对显影液的溶解度发生变化。 抗蚀剂组合物包括：（A）通过酸的作用使显影溶液的溶解度发生变化的碱成分; 和（B）通过曝光产生酸的酸发生剂，其中酸产生剂成分（B）包含由化学式（b0）表示的化合物（B0-1）。 在化学式（b0）中，Y_x ^ 01为二价连接基团，n为1-3的整数，M ^ m +为m价有机阳离子。
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公开(公告)号：KR1020160040105A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020150137461
申请日：2015-09-30
Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
CPC classification number: G03F7/325 , G03F7/0397
Abstract: 노광에의해산을발생하고, 또한, 산의작용에의해현상액에대한용해성이변화하는레지스트조성물을사용하여, 지지체상에레지스트막을형성하는공정, 상기레지스트막을노광하는공정, 및, 상기노광후의레지스트막을, 유기용제를함유하는현상액을사용한네거티브형현상에의해패터닝하여레지스트패턴을형성하는공정을포함하는레지스트패턴형성방법. 상기레지스트조성물은, 2 종의특정한구성단위를적어도갖는고분자화합물을함유한다.
Abstract translation: 抗蚀剂图案的形成方法技术领域本发明涉及形成抗蚀剂图案的方法，包括以下工序：使用通过曝光产生酸的抗蚀剂组合物在载体上形成抗蚀剂膜，并且通过酸作用对显影剂的溶解度变化; 曝光抗蚀膜; 以及通过使用包含有机溶剂的显影剂通过负显影图案化曝光的抗蚀剂膜来形成抗蚀剂图案。 本发明的抗蚀剂组合物含有具有至少两种特定构成单元的高分子化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101947956B1
公开(公告)日：2019-02-13
申请号：KR1020180050744
申请日：2018-05-02
Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
IPC: C07C233/90 , C07C233/91 , C07C233/92 , C07C235/88 , C07D493/08 , G03F7/004 , G03F7/039 , C08F220/18 , C08F220/30 , G03F7/028
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公开(公告)号：KR101927541B1
公开(公告)日：2018-12-10
申请号：KR1020120125235
申请日：2012-11-07
Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Abstract: 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) 및 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) 를 함유하고, 상기 기재 성분 (A) 는 일반식 (a5-0) 으로 나타내는 구성 단위 (a5) 를 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물. 식 (a5-0) 중, R 은 수소 원자, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기이다. R
1 은 황 원자 또는 산소 원자이다. R
2 는 단결합 또는 2 가의 연결기이다.
Y 는 방향족 탄화수소기, 또는 다고리형기를 갖는 지방족 탄화수소기 (그 방향족 탄화수소기 또는 그 지방족 탄화수소기는 그 탄소 원자 또는 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다) 이다.
[화학식 1]-
公开(公告)号：KR101530724B1
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR1020100002192
申请日：2010-01-11
Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C07D493/18 , C07D327/04 , C08F20/38 , C08F220/38 , C08F2220/283 , C08F2220/382 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/111
Abstract: 산의작용에의해알칼리현상액에대한용해성이변화되는기재성분 (A) 와산발생제성분 (B) 를함유하고, 기재성분 (A) 가일반식 (a0-1) [식중, R은수소원자, 알킬기또는할로겐화알킬기 ; R는 -O-, -C(=O)-, -C(=O)-O-, -O-C(=O)-O-, -S-, -S(=O)-, -S(=O)-O-, -NH-, -NR- (R는알킬기또는아실기), -NH-C(=O)- 및 =N- 로이루어지는군에서선택되는적어도 1 종의극성기를함유하는 2 가의연결기 ; R은그 고리골격중에술포닐기를함유하는고리형기] 로나타내는구성단위 (a0) 을갖는고분자화합물 (A0) 을함유하는레지스트조성물. [화학식 1]
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公开(公告)号：KR1020130131239A
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020130057622
申请日：2013-05-22
Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , C08F8/14 , C08F8/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/2002 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: The present invention provides a resist composition which generates acid by being exposed to light, changes the solubility against an alkali developer by the action of the acid, and contains a polymeric compound with a basic resolvable group in a main chain.
Abstract translation: 本发明提供了通过曝光而产生酸的抗蚀剂组合物，通过酸的作用改变对碱性显影剂的溶解性，并且在主链中含有具有碱性可拆分基团的聚合物。
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公开(公告)号：KR1020120135472A
公开(公告)日：2012-12-14
申请号：KR1020120056624
申请日：2012-05-29
Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
CPC classification number: C08F220/32 , C08F220/58 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38 , Y10S430/107 , Y10S430/111 , C08F220/18 , C08F220/20 , C08F220/28 , C08F2220/585 , G03F7/0045
Abstract: PURPOSE: A resist composition, a resist pattern forming method, a polymer compound, and a manufacturing method of the same are provided to improve pattern profiles and to suppress the generation of defects after development. CONSTITUTION: A resist composition includes a base component and an acid generating component. The dissolution of the base component to a developer is changed by the action of acid. The acid generating component generates acid by exposure. The base component includes a resin component. The resin component includes a first structural unit represented by chemical formula a0-1 and a second structural unit with an acid-labile group of which polarity is increased by the action of acid. In the chemical formula a0-1, R is a hydrogen, a C1 to C5 alkyl group, or a C1 to C5 halogenated alkyl group; R1 is a divalent linker; R2 is SO_2-containing cyclic group; and v is 0 or 1.
Abstract translation: 目的：提供抗蚀剂组合物，抗蚀剂图案形成方法，高分子化合物及其制造方法，以改善图案形状并抑制显影后缺陷的产生。 构成：抗蚀剂组合物包括基础组分和酸产生组分。 通过酸的作用改变了基础组分对显影剂的溶解。 酸产生组分通过暴露产生酸。 基础组分包括树脂组分。 树脂组分包括由化学式a0-1表示的第一结构单元和具有酸性不稳定基团的第二结构单元，其极性通过酸的作用而增加。 在化学式a0-1中，R为氢，C1至C5烷基或C1至C5卤代烷基; R1是二价接头; R2是含SO_2的环状基团; v为0或1。
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