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1.发明公开실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，用于制造基于二氧化硅的绝缘层的组合物的方法，基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020140085119A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120155327
申请日：2012-12-27
申请人： 제일모직주식회사
CPC分类号： C09D1/00 , B05D3/02 , B05D3/0254 , B05D3/0433 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , C08L83/04 , C08L83/08
摘要： Provided is a composition for forming silica based insulating layer which includes polysilazane hydroxide or polysiloxazane hydroxide, and has 1200 ppm or less of concentrate of cyclic compound having 400 or less of weight-average molecular weight. The composition for forming silica based insulating layer can reduce thickness dispersion when forming the silica based insulating layer, thereby reducing film deficiency after chemical mechanical polishing (CMP) when manufacturing a semiconductor.
摘要翻译： 本发明提供一种二氧化硅系绝缘层形成用组合物，其包含聚硅氮烷氢氧化物或聚硅氧氮烷氢氧化物，并且具有1200ppm以下的具有400以下重均分子量的环状化合物的浓缩物。 用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物可以在形成二氧化硅基绝缘层时减小厚度分散，从而在制造半导体时减少化学机械抛光（CMP）后的薄膜缺陷。
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公开(公告)号：KR101682435B1
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：KR1020160108442
申请日：2016-08-25
申请人： 주식회사포텍
发明人： 심경섭
IPC分类号： B05D7/14 , C09D109/02 , B05D3/04 , B05D3/06 , B05D3/00
CPC分类号： B05D7/14 , B05D3/007 , B05D3/0413 , B05D3/0433 , B05D3/06 , B05D2202/15 , B05D2530/00 , C09D109/02
摘要： 본발명은고무가교가활성화되는특정조건을기존과차별화된방식으로설정함으로써고무내 휘발성불순물이효율적으로제거될뿐 아니라단계적인온도상승을기반으로하는일련의건조및 경화행위에기인하여보다안정적으로고무의물성이확보되게하는스테인리스스틸소재의고무일체화코팅처리방법에관한것으로, 서로다른온도범위내에서설정된적어도복수이상의열풍건조및 냉각을거쳐스테인리스스틸소재일면으로 NBR(nitrile-butadiene rubber) 코팅이이루어지되, 스테인리스스틸소재와 NBR(nitrile-butadiene rubber)을제1건조로와제2건조로에서일정시간동안순차위치시키고, NBR 내함유된불순물을휘발시키기위하여제1건조로와제2건조로의내부온도를각각 50~70℃와 60~80℃로설정유지시키면서열풍으로예열및 건조함에따라 NBR이반응할수 있는시간을확보하면서기포발생이방지되게하는제1단계; 제1,2건조로를거친스테인리스스틸소재와 NBR을제3건조로와제4건조로에서일정시간동안순차위치시키고, 제3건조로와제4건조로의내부온도를각각 90~120℃와 120~150℃로설정유지시키면서열풍으로건조함에따라스테인리스스틸의표면온도를상승유도하여스테인리스스틸의차가운표면으로인해 NBR 가교에방해되지않게하는제2단계; 제3,4건조로를거친스테인리스스틸소재와 NBR을제5건조로와제6건조로에서일정시간동안순차위치시키고, 제5건조로와제6건조로의내부온도를 180℃로설정유지시키면서열풍및 IR(Infra-red) 램프로건조하는제3단계; 제5,6건조로를거친스테인리스스틸소재와 NBR을제7건조로에서일정시간동안위치시키고, 제7건조로의내부온도를 200℃로설정유지시키면서열풍및 MIR(Medium wave Infra-red) 램프로건조하는제4단계; 제7건조로를거친스테인리스스틸소재와 NBR을 10~20℃범위내에서수냉또는기냉을통해급속냉각시킴에따라표면경도를높이는제5단계;를포함하여이루어지는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020110042620A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020090099372
申请日：2009-10-19
申请人： 현대하이스코 주식회사
CPC分类号： B05D7/14 , B05D3/0433 , B05D3/12 , B05D3/142
摘要： PURPOSE: A method for coating a base material for die is provided to increase the adhesion of a base material and a coating layer by removing a compound layer of the base material surface generated through plasma nitriding process through ion gun etching. CONSTITUTION: A method for coating a base material for die comprises the steps of: (S210) plasma-nitriding the surface of base material to form a diffusion layer from the surface of the base material to the inside thereof; (S220) performing the ion gun etching and removing a compound layer which inevitably occurs at the upper part of the diffusion layer is removed by plasma nitriding; and (S230) coating the surface of the diffusion layer from which a compound layer is removed with a predetermined material.
摘要翻译： 目的：提供一种涂布模具用基材的方法，通过通过离子枪蚀刻除去通过等离子体氮化处理产生的基材表面的化合物层来增加基材和涂层的粘附性。 构成：用于涂布模具用基材的方法包括以下步骤：（S210）等离子体氮化基材表面以形成从基材表面到其内部的扩散层; （S220），通过等离子体氮化除去在扩散层的上部不可避免地发生的化合物层的离子枪蚀刻和去除; 和（S230）用规定的材料涂布除去了化合物层的扩散层的表面。
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公开(公告)号：KR1020180014872A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：KR1020187003010
申请日：2011-03-10
CPC分类号： B29D11/00865 , B05D3/04 , B05D3/0433 , B05D3/0453 , B29D11/00009 , B29D11/00923 , B33Y80/00 , G02C7/04 , B29D11/00951 , B29L2011/0016
摘要： 본발명은렌즈전구체(201), 렌즈전구체폼 및안과용렌즈중 하나이상을처리하기위한장치를개시하고있다. 장치는맨드렐(212), 및렌즈전구체둘레의기상환경을둘러싸는챔버(203)를포함한다.
摘要翻译： 本发明公开了用于处理镜片前体，镜片前体形式和眼科镜片中的一个或多个的装置。 该设备提供对象镜片前体，镜片前体形式和眼科镜片的气相处理。
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公开(公告)号：KR1020160082476A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020150188479
申请日：2015-12-29
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
CPC分类号： H01L21/0206 , B05D3/002 , B05D3/02 , B05D3/04 , B05D3/0433 , H01L21/02041 , H01L21/02046 , H01L21/306
摘要： 몇몇실시예들에서, 집적회로제작을위한방법은기판의표면으로부터산화물재료를제거하는단계를포함하며, 상기표면은실리콘및 게르마늄을포함한다. 산화물재료를제거하는단계는실리콘산화물-함유표면상에할로겐-함유전-세정재료를증착시키는단계및 상기표면상에서실리콘을노출시키기위해할로겐-함유전-세정재료의일 부분을승화시키는단계를포함한다. 패시베이션막은노출된실리콘상에서증착된다. 패시베이션막은염소를포함할수 있다. 패시베이션막은이전의승화보다더 높은온도에있을수 있는이후의승화로부터화학적종들에의해실리콘표면의오염을방지할수 있다. 그다음에, 할로겐-함유전-세정재료및 패시베이션막의나머지부분이승화된다. 도전성재료와같은, 목표재료가그 다음에기판표면상에증착될수 있다.
摘要翻译： 在一些实施例中，用于集成电路制造的方法包括从衬底的表面去除氧化物材料，其中表面包括硅和锗。 除去氧化物材料包括将含卤素的预清洁材料沉积在含氧化硅的表面上并升华部分含卤素的预清洁材料以暴露表面上的硅。 钝化膜沉积在暴露的硅上。 钝化膜可以包括氯。 钝化膜可以防止来自稍后升华的化学物质对硅表面的污染，其可以在比早先升华更高的温度下。 随后，将含卤素预清洁材料和钝化膜的剩余部分升华。 可以随后将诸如导电材料的靶材料沉积在衬底表面上。
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6.发明授权실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权用于形成基于二氧化硅的绝缘层二氧化硅基绝缘层的制备二氧化硅基绝缘层的组合物的方法和用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR101556672B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020120155327
申请日：2012-12-27
申请人： 제일모직주식회사
CPC分类号： C09D1/00 , B05D3/02 , B05D3/0254 , B05D3/0433 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337
摘要： 수소화폴리실라잔또는수소화폴리실록사잔을포함하며, 중량평균분자량 400 이하의환형화합물의농도가 1200ppm 이하인실리카계절연층형성용조성물을제공한다. 상기실리카계절연층형성용조성물은실리카계절연층형성시 두께산포를감소시킬수 있으며, 이로써반도체제조공정시화학적연마(CMP) 공정후 막결함을줄일수 있다.
摘要翻译： 公开了一种包含氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧烷的二氧化硅基绝缘层的组合物，其中重均分子量小于400的环状化合物的浓度小于或等于1,200ppm。 用于二氧化硅基绝缘层的组合物可以在形成二氧化硅基绝缘层期间减小厚度分布，从而可以降低在半导体制造过程中化学机械抛光（CMP）之后的膜缺陷。
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公开(公告)号：KR1020150060564A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020140164178
申请日：2014-11-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC分类号： H01L51/00 , B05D1/00 , C23C16/452 , C23C16/50
CPC分类号： C23C16/50 , B05D1/60 , B05D1/62 , B05D3/0433 , C23C16/452 , H01L51/001
摘要： 유기단분자막을단시간에제어성좋게형성할수 있는유기단분자막의형성방법및 형성장치를제공한다. 피처리체표면에유기재료가스를공급하여유기단분자막을형성함에있어, 챔버(1)내의피처리체 S에, 피처리체의표면과화학결합을형성하는결합사이트를가지는유기분자를포함하는유기재료가스를공급함과아울러, 유기재료가스가피처리체 S에도달하기전에유기재료가스에여기수소생성기구(4)에의해생성한여기수소를공급하여유기분자의결합사이트의말단을수소로치환하고, 그후, 상기수소로치환된말단과피처리체 S의반응에의해유기단분자막을형성한다.
摘要翻译： 提供一种形成有机单分子膜的方法和装置，其可以在短时间内形成具有良好可控性的有机单分子膜。 当通过将有机材料气体供给到物体的表面来形成有机单分子膜时，本发明将包含具有与物体表面形成化学键的结合位点的有机分子的有机材料气体提供给 在室（1）中的物体S，并且在有机材料气体到达物体之前，通过将由激发氢气产生装置（4）产生的激发的氢气供给到有机材料气体而将氢有机分子的结合位点的末端取代 此外，本发明通过由氢置换的末端与其后的物体S之间的反应形成有机单分子膜。
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公开(公告)号：KR101870618B1
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：KR1020187003010
申请日：2011-03-10
CPC分类号： B29D11/00865 , B05D3/04 , B05D3/0433 , B05D3/0453 , B29D11/00009 , B29D11/00923 , B33Y80/00 , G02C7/04
摘要： 본발명은렌즈전구체(201), 렌즈전구체폼 및안과용렌즈중 하나이상을처리하기위한장치를개시하고있다. 장치는맨드렐(212), 및렌즈전구체둘레의기상환경을둘러싸는챔버(203)를포함한다.
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公开(公告)号：KR101826587B1
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：KR1020127026340
申请日：2011-03-10
CPC分类号： B29D11/00865 , B05D3/04 , B05D3/0433 , B05D3/0453 , B29D11/00009 , B29D11/00923 , B33Y80/00 , G02C7/04
摘要： 본발명은렌즈전구체(201), 렌즈전구체폼 및안과용렌즈중 하나이상을처리하기위한장치를개시하고있다. 장치는맨드렐(212), 및렌즈전구체둘레의기상환경을둘러싸는챔버(203)를포함한다.
摘要翻译： 本发明公开了一种用于处理透镜前体201，透镜前体泡沫和眼科透镜中的至少一个的设备。 该设备包括心轴212和围绕晶状体前体周围的蒸气环境的腔室203。
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公开(公告)号：KR1020160144923A
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020160071027
申请日：2016-06-08
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
CPC分类号： G03F7/38 , B05D1/005 , B05D3/007 , B05D3/0433 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/26 , C08F220/38 , C08L33/16 , C08L2205/025 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/26 , G03F7/32 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , G03F7/2055 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/2004 , G03F7/2053 , G03F7/70033
摘要： [과제] 액침리소그래피에있어서레지스트막표면의활수성을한층더 높여, 패턴형성후의엣지러프니스(LWR)를작게할 수있고, 또, EB 또는 EUV 리소그래피에있어서는아웃가스의발생을억제하여, LWR을작게할 수있는패턴형성방법을제공한다. [해결수단] 불소원자함유폴리머, 산에의해서알칼리용해성이향상되거나또는저하하는베이스수지, 산발생제및 유기용제를포함하는레지스트조성물을도포하는공정, 대기압하의비점이 60∼250℃인용제분위기하에서 50∼300℃의온도에서베이크하는공정, 노광하는공정및 현상하는공정을포함하는패턴형성방법.
摘要翻译： 通过涂布含有含氟聚合物，基础树脂，酸产生剂和有机溶剂的抗蚀剂组合物形成图案，在50-300℃下，在沸点为 60-250摄氏度，暴露和发育。 在浸渍光刻中，抗蚀剂膜的防水性和水滑动性得到改善，图案形成后的LWR降低。 在EB或EUV光刻中，除气被抑制，LWR降低。
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