公开(公告)号：KR101806152B1

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：KR1020127013344

申请日：2010-11-12

Applicant: 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤

Inventor： 하시모토마사노리 ,  사카노츠네토시 ,  하스미나오미 ,  소네마키에

IPC: C07F7/18 ,  C08G59/46 ,  C09K3/10 ,  G02F1/1339

CPC classification number: C07F7/1844 ,  C08G59/1466 ,  C08G59/4014 ,  C08L63/00

Abstract: 본발명은하기화학식(1)의테트라페닐에탄유도체, 그제조방법, 그테트라페닐에탄유도체의래디컬발생제로서의용도, 그테트라페닐에탄유도체를포함하는액정실링제, 특히액정적하공법용열경화성액정실링제에관한것으로서, 그래디컬발생제는발포하지않고, 열래디컬발생성능이뛰어나고, 액정실링제에사용하였을때, 수득되는액정실링제는액정오염이없고, 포트라이프가길고, 실링의형성성, 셀갭의형성성도양호하다는특징을갖는다. 하기화학식(1) 중, Y또는 Y은각각독립적으로, 수소원자, 페닐, 또는규소원자를나타내고, R∼R은각각독립적으로, 수소원자또는탄소수 1∼4의직쇄또는분기알킬기를나타내고, X∼X은각각독립적으로, 수소원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 페녹시기, 또는할로겐기를나타낸다. 단, Y또는 Y에각각결합하는 R∼R또는 R∼R은 Y또는 Y가수소원자의경우에는존재하지않고, 또한 Y, Y의모두가수소원자의경우를제외한다.

公开(公告)号：KR101572583B1

公开(公告)日：2015-11-30

申请号：KR1020157004348

申请日：2011-06-23

Applicant: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

Inventor： 사이토마사노리 ,  사이오다카시 ,  아라타시노부 ,  구몬소이치 ,  나나이히데히사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: B08B3/04 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C07F7/1844

Abstract: 반도체디바이스제조에있어서, 당해요철패턴의적어도오목부표면에규소원소를포함하는물질을포함하는웨이퍼, 또는당해요철패턴의적어도오목부표면의일부가티탄, 질화티탄, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 주석, 질화탄탈, 및루테늄으로이루어지는군으로부터선택되는적어도 1종의물질을포함하는웨이퍼의패턴의무너짐을방지하면서웨이퍼를세정하는방법에관한것이고, 효율적으로세정하는것이가능한발수성보호막형성제, 및당해제를포함하는발수성보호막형성용약액, 및당해약액을이용한웨이퍼의세정방법을제공한다. 상기웨이퍼의세정에있어서, 상기웨이퍼의적어도오목부표면에발수성보호막을형성하기위한발수성보호막형성제이며, 상기제가하기일반식 [1]로표현되는규소화합물이다. (화학식 14)

公开(公告)号：KR1020150096437A

公开(公告)日：2015-08-24

申请号：KR1020157017868

申请日：2014-02-11

Applicant: 에프.아이.에스. 파브리카 이탈리아나 신테티치 에스.피.에이.

Inventor： 데루치,오토리노 ,  타르타지아,스테파노 ,  페라리,클라크 ,  갈바그니,마르코 ,  폰티니,마르타 ,  포갈,스테파노 ,  모털레,리카르도 ,  모레노,로사마리 ,  코멜리,알렉

IPC: C07D413/12 ,  C07D419/12 ,  C07D405/12

CPC classification number: C07F7/1868 ,  B01J27/13 ,  B01J31/122 ,  B01J2231/543 ,  C07D209/12 ,  C07D209/24 ,  C07D213/30 ,  C07D215/14 ,  C07D239/42 ,  C07D317/30 ,  C07D413/12 ,  C07D419/12 ,  C07F7/1844 ,  C07F7/188 ,  C07F7/1892

Abstract: 본 발명의 목적은 스타틴의 합성을 위한 핵심 중간체의 개선된 제조방법이다.

公开(公告)号：KR1020150058240A

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：KR1020157007091

申请日：2013-09-20

Applicant: 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드

Inventor： 오카와다다시 ,  고지마가즈히코 ,  이이무라도모히로 ,  후루카와하루히코

IPC: C08G77/50 ,  C08K9/06 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/56 ,  C07F7/1836 ,  C07F7/1844 ,  C08G77/20 ,  C08G77/50 ,  C08L83/04 ,  C09D183/14 ,  C09K11/02 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 직접적으로또는 (n+1)가 (n은 1 이상의수임)를갖는작용기를통하여규소원자에결합된, 고도극성작용기, 하이드록실기-함유기, 규소원자-함유가수분해성기, 또는이의금속염 유도체로부터선택되는작용기를갖고, RSiO, RSiO, RSiO, 및 SiO로표시되는임의의실록산단위에규소원자가결합된하나이상의구조를분자중에갖는유기규소화합물을포함하는광학재료용표면처리제가개시된다.

Abstract translation: 一种光学材料用表面处理剂，其包含具有选自高官能团的官能团的有机硅化合物，含有羟基的基团，含硅原子的可水解基团或与硅原子键合的金属盐衍生物 或通过（n + 1）价（n为1以上数）的官能团; 并且在其中硅原子与由R 13 SiO 1/2，R 12 SiO 2/2，R 1 SiO 3/2和SiO 4/2表示的任何硅氧烷单元结合的分子中具有至少一个结构。

公开(公告)号：KR1020130119351A

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：KR1020130042653

申请日：2013-04-18

Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

Inventor： 오기하라츠토무 ,  우에다다카후미 ,  다네다요시노리 ,  가나야마마사히로

IPC: C07F7/18 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/094 ,  C07F7/1836 ,  C07F7/184 ,  C07F7/1844 ,  C08G77/14 ,  C09D183/06 ,  G03F7/0752 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/306 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0043

Abstract: PURPOSE: A resist underlayer formed by using a resist underlayer forming composition containing a silicon-containing compound formed of a silicon compound prevents the pattern collapse by having excellent adhesion with the resist underlayer even in a negative phenomenon (organic solvent phenomenon) and a positive phenomenon (alkali phenomenon). CONSTITUTION: A silicon compound is represented by general formula (A-1) or (A-2). A silicon-containing compound contains at least one or more of repeating units represented by general formulas B, C, D, and E. a silicon-containing resist underlayer-forming composition includes the silicon-containing compound and a solvent. A pattern forming method forms an organic underlayer material to form an organic underlayer. A silicon-containing resist underlayer is formed on the organic underlayer by using the composition for forming the resist underlayer. A photoresist film is formed on the silicon-containing resist underlayer by using a chemically amplifiable resist composition. After a heat-treatment, the photoresist film is exposed by high energy rays, and the exposed part of the photoresist film is dissolved to form a positive pattern. The photoresist film, as a mask is transcribed to the underlayer by a dry etching. The pattern-transcribed resist under layer, as a mask, is dry-etched to the organic underlayer. The organic under layer, as a mask, is dry-etched to an object.

Abstract translation: 目的：通过使用含有由硅化合物形成的含硅化合物的抗蚀剂底层形成组合物形成的抗蚀剂底层，即使在负面现象（有机溶剂现象）和正现象中也能够通过与抗蚀剂底层具有优异的粘合性来防止图案塌陷 （碱现象）。 构成：硅化合物由通式（A-1）或（A-2）表示。 含硅化合物含有至少一种或多种由通式B，C，D和E表示的重复单元。含硅抗蚀剂下层形成组合物包括含硅化合物和溶剂。 图案形成方法形成有机底层材料以形成有机底层。 通过使用形成抗蚀剂底层的组合物在有机底层上形成含硅抗蚀剂底层。 通过使用化学可放大抗蚀剂组合物在含硅抗蚀剂底层上形成光致抗蚀剂膜。 热处理后，通过高能射线曝光光致抗蚀剂膜，使光刻胶膜的露出部分溶解形成正图形。 作为掩模的光致抗蚀剂膜通过干蚀刻转录到底层。 将作为掩模的层下的图案转录抗蚀剂干蚀刻到有机底层。 作为掩模的有机底层被干蚀刻到物体上。

公开(公告)号：KR1020120109560A

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020127018731

申请日：2010-12-16

Applicant: 피라말 이미징 에스에이

Inventor： 그레이햄,키쓰 ,  케트스차우,조그 ,  레스체,랄프 ,  그로모브,알렉시 ,  뵌케,니엘스 ,  하쓰펠드,조르마

IPC: C07F9/38 ,  C07F9/36 ,  C07F7/18 ,  A61K51/04

CPC classification number: C07F7/1844 ,  A61K51/0489 ,  C07B59/004 ,  C07F9/3808 ,  C07F9/4006 ,  C07F9/65515 ,  C07F9/6552

Abstract: 본 발명은
18 F에 의한 표지에 적합한 신규 화합물 및 상응하는
18 F-표지된 화합물 그 자체, 그의
19 F-플루오린화된 유사체 및 참조 기준으로서 그들의 용도, 상기 화합물의 제조 방법, 상기 화합물을 포함하는 조성물, 상기 화합물 또는 조성물을 포함하는 키트 및 양전자 방출 단층촬영술 (PET)에 의한 진단 영상화를 위한 상기 화합물, 조성물 또는 키트의 용도에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020110106441A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：KR1020117018828

申请日：2010-01-22

Applicant: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 ,  각고호우징 게이오기주크

Inventor： 가끼우찌,후미또시 ,  데라이,히로끼

IPC: C07C49/665 ,  C07F7/08 ,  H01L51/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: C07F7/1836 ,  C07F7/0809 ,  C07F7/0812 ,  C07F7/0818 ,  C07F7/1844 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0057 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0554 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/057 ,  H01L51/102

Abstract: 하기 화학식 (1)로 표시되는 방향족 화합물.

[식 중, A환 및 B환은 벤젠환, 2 내지 4개의 환을 포함하는 방향족 축합환, 복소 방향족환 또는 2 내지 4개의 환을 포함하는 복소 방향족 축합환을 나타내고, R
1a 는 -CHR
2a -CHR
2b R
2c 로 표시되는 기를 나타내고, R
1b , R
1c 및 R
1d 는 수소 원자, 아릴기 또는 -CHR
2d -CHR
2e R
2f 로 표시되는 기를 나타내되, 단 R
1b , R
1c 및 R
1d 중 적어도 2개는 수소 원자가 아니고, R
2a , R
2b 및 R
2c 는 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 치환 실릴기를 나타내고, R
2a 와 R
2b 는 서로 결합하여 환을 형성할 수도 있고, R
2d , R
2e 및 R
2f 는 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 치환 실릴기를 나타내고, R
2d 와 R
2e 는 서로 결합하여 환을 형성할 수도 있다.]

公开(公告)号：KR1020100126327A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107018948

申请日：2009-03-24

Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤

Inventor： 나카가와,히사시 ,  노베,요헤이 ,  정,강거 ,  사이토,류이치 ,  고쿠보,데루카즈

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/311

CPC classification number: C23C16/401 ,  C07F7/1836 ,  C07F7/184 ,  C07F7/1844 ,  C07F7/1868 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명의 화학 기상 성장법용 재료는, 하기 화학식 1로 표시되는 유기 실란 화합물을 포함한다.


(식 중, R
1 및 R
2 는 동일하거나 상이하고, 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 비닐기 또는 페닐기를 나타내고, R
3 및 R
4 는 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 아세틸기 또는 페닐기를 나타내고, m은 0 내지 2의 정수를 나타내고, n은 1 내지 3의 정수를 나타냄)

公开(公告)号：KR1020100117581A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：KR1020107016789

申请日：2008-05-27

Applicant: 도레이 카부시키가이샤

Inventor： 스와,미츠히토 ,  이이모리,히로카즈

IPC: C08L83/04 ,  C08K5/5455 ,  C08K3/10 ,  C08G77/26

CPC classification number: C08G77/26 ,  C07F7/0854 ,  C07F7/1836 ,  C07F7/184 ,  C07F7/1844 ,  C08K5/5442 ,  C08L83/06 ,  C08L83/08 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  C08L83/04

Abstract: The present invention is a siloxane-based resin composition including a siloxane-based resin and an imidosilane compound having a specific structure. Moreover, the present invention is a siloxane-based resin composition including a siloxane-based resin which is a reactive product to be obtained by hydrolyzing an alkoxysilane compound and an imidosilane compound having a specific structure and then making the resulting hydrolysate undergo a condensation reaction. According to the present invention, it is possible to form a cured film excellent in adhesion.

公开(公告)号：KR100853363B1

公开(公告)日：2008-08-22

申请号：KR1020037006828

申请日：2001-11-13

Applicant: 시바 홀딩 인크

Inventor： 보댕지젤 ,  융튠야 ,  휘슬러리날도

IPC: C09D4/00

CPC classification number: C07D295/108 ,  C07C69/63 ,  C07C323/32 ,  C07F7/1844 ,  C09D4/00 ,  C08F220/00

Abstract: 본 발명은, 비극성 플루오르화 알킬 그룹이 하나 이상 존재하는 표면 활성 벤조일 화합물을 포함하는 조성물의 이중 경화에 의한 내스크래칭성 피막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 피막의 표면에서 이들 표면 활성 광개시제를 농축시키는 방법, 비극성 플루오르화 알킬 그룹이 하나 이상 존재하는 신규한 표면 활성 벤조일 화합물, 신규한 표면 활성 플루오르화 광개시제가 존재하는 조성물 및 기판 위에서 경화 조성물의 유동성을 개선시키는 방법에 관한 것이다.
비극성 플루오르화 알킬 그룹, 벤조일 화합물, 이중 경화, 광개시제 및 내스크래칭성