公开(公告)号：TWI504998B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：TW099141730

申请日：2010-12-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13606 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

公开(公告)号：TW201539978A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW104107568

申请日：2015-03-10

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H03K17/14 ,  H03K17/06

CPC classification number: G11C5/147 ,  G11C5/146 ,  G11C7/12 ,  G11C11/24 ,  G11C16/3418 ,  G11C19/28 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是穩定地控制使用氧化物半導體的功能電路的臨界電壓。本發明提供一種半導體裝置，包括：可變偏置電路；具有背閘極的用於監視的氧化物半導體電晶體；電流源；差動放大器；參考電壓源；包括具有背閘極的氧化物半導體電晶體的功能電路。電流源使電流流過上述用於監視的氧化物半導體電晶體的汲極與源極之間而產生對應於該電流的閘極-源極間電壓。差動放大器比較該電壓與參考電壓源的電壓，放大其差異並輸出至可變偏置電路。可變偏置電路由差動放大器的輸出控制，並藉由對用於監視的氧化物半導體電晶體的背閘極及包含在功能電路中的氧化物半導體電晶體的背閘極供應電壓，來可以獲得穩定的臨界電壓。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是稳定地控制使用氧化物半导体的功能电路的临界电压。本发明提供一种半导体设备，包括：可变偏置电路；具有背闸极的用于监视的氧化物半导体晶体管；电流源；差动放大器；参考电压源；包括具有背闸极的氧化物半导体晶体管的功能电路。电流源使电流流过上述用于监视的氧化物半导体晶体管的汲极与源极之间而产生对应于该电流的闸极-源极间电压。差动放大器比较该电压与参考电压源的电压，放大其差异并输出至可变偏置电路。可变偏置电路由差动放大器的输出控制，并借由对用于监视的氧化物半导体晶体管的背闸极及包含在功能电路中的氧化物半导体晶体管的背闸极供应电压，来可以获得稳定的临界电压。

公开(公告)号：TWI501319B

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：TW098143357

申请日：2009-12-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H01L21/336 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI501227B

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：TW099145815

申请日：2010-12-24

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  加藤清 ,  KATO, KIYOSHI ,  長塚修平 ,  NAGATSUKA, SHUHEI ,  松崎隆德 ,  MATSUZAKI, TAKANORI ,  井上廣樹 ,  INOUE, HIROKI

IPC: G11C11/402 ,  G11C11/405 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G11C16/0425 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1225 ,  H01L28/40 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

公开(公告)号：TWI493609B

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：TW097139761

申请日：2008-10-16

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  大沼英人 ,  OHNUMA, HIDETO ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H01L21/304 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3482 ,  C03C2218/32 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772 ,  Y10S438/938 ,  Y10S438/961

公开(公告)号：TWI492361B

公开(公告)日：2015-07-11

申请号：TW098129534

申请日：2009-09-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  宮口厚 ,  MIYAGUCHI, ATSUSHI

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/105 ,  G11C17/16

CPC classification number: H01L27/1021 ,  G11C17/16 ,  H01L27/12

公开(公告)号：TW201521121A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW104103729

申请日：2009-12-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H01L21/336 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 一種半導體裝置，包括具有氧化物半導體層和優良的電特性的薄膜電晶體。此外，提供用於製造半導體裝置的方法，其中在一個基底上形成多種類型的不同結構的薄膜電晶體以形成多種類型的電路，而且其中沒有顯著增加步驟數量。在絕緣表面上形成金屬薄膜之後，在金屬薄膜上形成氧化物半導體層。然後，執行諸如熱處理之類的氧化處理以部分或全部地氧化金屬薄膜。此外，在諸如邏輯電路之類強調操作速度的電路與矩陣電路之間，薄膜電晶體的結構不同。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括具有氧化物半导体层和优良的电特性的薄膜晶体管。此外，提供用于制造半导体设备的方法，其中在一个基底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显着增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，运行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。

公开(公告)号：TWI471806B

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW098102581

申请日：2009-01-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: G06K19/077 ,  G06F11/16

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06F11/20 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/07758 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201426978A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW103109553

申请日：2010-10-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  今井馨太郎 ,  IMAI, KEITARO

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225

Abstract: 本發明之目的為提供具有新結構的半導體裝置。所揭示的是包含第一電晶體和第二電晶體的半導體裝置，該第一電晶體包含在含有半導體材料基板上的通道形成區、將該通道形成區夾雜於其間所形成的雜質區、在該通道形成區之上的第一閘極絕緣層、在該第一閘極絕緣層之上的第一閘極電極、及電連接至該雜質區的第一源極電極和第一汲極電極；該第二電晶體包含在該含有半導體材料基板上的第二閘極電極、在該第二閘極電極之上的第二閘極絕緣層、在該第二閘極絕緣層之上的氧化物半導體層、及電連接至該氧化物半導體層的第二源極電極和第二汲極電極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的为提供具有新结构的半导体设备。所揭示的是包含第一晶体管和第二晶体管的半导体设备，该第一晶体管包含在含有半导体材料基板上的信道形成区、将该信道形成区夹杂于其间所形成的杂质区、在该信道形成区之上的第一闸极绝缘层、在该第一闸极绝缘层之上的第一闸极电极、及电连接至该杂质区的第一源极电极和第一汲极电极；该第二晶体管包含在该含有半导体材料基板上的第二闸极电极、在该第二闸极电极之上的第二闸极绝缘层、在该第二闸极绝缘层之上的氧化物半导体层、及电连接至该氧化物半导体层的第二源极电极和第二汲极电极。

公开(公告)号：TW201426720A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW102142698

申请日：2013-11-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3614 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13606 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G09G3/3648 ,  G09G2320/0219 ,  G09G2320/0247 ,  G09G2320/103 ,  G09G2330/021 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的一個方式是提供一種可靠性高的新穎的顯示裝置。或者，本發明的一個方式是提供一種閃爍得到減少的新穎的顯示裝置。或者，本發明的一個方式是提供一種顯示對眼睛刺激少的靜態影像的顯示裝置。顯示裝置具備校正一次影像信號的饋通校正電路，該饋通校正電路以抵消預測的饋通值的方式校正一次影像信號。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式是提供一种可靠性高的新颖的显示设备。或者，本发明的一个方式是提供一种闪烁得到减少的新颖的显示设备。或者，本发明的一个方式是提供一种显示对眼睛刺激少的静态影像的显示设备。显示设备具备校正一次影像信号的馈通校正电路，该馈通校正电路以抵消预测的馈通值的方式校正一次影像信号。