公开(公告)号：TWI651761B

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：TW106122201

申请日：2017-07-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201839859A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW106142529

申请日：2017-12-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  謝文碩 ,  HSIEH, WEN SHUO ,  劉得湧 ,  LIU, TE YUNG ,  蔡世昌 ,  TSAI, SHIH CHANG

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78

Abstract: 根據一些實施例，提供半導體裝置的形成方法。上述方法包含在閘極電極層內形成開口，以形成兩個分開的閘極電極層。上述方法亦包含在兩個分開的閘極電極層之間的區域執行氧化或氮化處理。上述方法更包含在兩個分開的閘極電極層之間的開口內形成第一絕緣層。

Abstract in simplified Chinese: 根据一些实施例，提供半导体设备的形成方法。上述方法包含在闸极电极层内形成开口，以形成两个分开的闸极电极层。上述方法亦包含在两个分开的闸极电极层之间的区域运行氧化或氮化处理。上述方法更包含在两个分开的闸极电极层之间的开口内形成第一绝缘层。

公开(公告)号：TWI628693B

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW105136826

申请日：2016-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

公开(公告)号：TWI624875B

公开(公告)日：2018-05-21

申请号：TW105137187

申请日：2016-11-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201816860A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106125713

申请日：2017-07-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 提供鰭式場效電晶體裝置及其形成方法，此方法包含在基底上方形成複數個圖案化遮罩堆疊，保護基底之此複數個圖案化遮罩堆疊具有一致的寬度，移除基底之未受保護的部分，以在基底中形成複數個凹陷，位於相鄰凹陷之間的基底之未被移除的部分形成複數個鰭，移除此複數個鰭的一部分，此複數個鰭中的第一鰭的寬度小於此複數個鰭中的第二鰭的寬度。

Abstract in simplified Chinese: 提供鳍式场效应管设备及其形成方法，此方法包含在基底上方形成复数个图案化遮罩堆栈，保护基底之此复数个图案化遮罩堆栈具有一致的宽度，移除基底之未受保护的部分，以在基底中形成复数个凹陷，位于相邻凹陷之间的基底之未被移除的部分形成复数个鳍，移除此复数个鳍的一部分，此复数个鳍中的第一鳍的宽度小于此复数个鳍中的第二鳍的宽度。

公开(公告)号：TW201816857A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106125717

申请日：2017-07-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  巫柏奇 ,  WU, PO CHI ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 方法包括：形成第一主動鰭狀結構與第二主動鰭狀結構於基板上。形成虛置鰭狀結構於基板上，虛置鰭狀結構夾設於第一主動鰭狀結構與第二主動鰭狀結構之間，且基板的第一部份直接位於虛置鰭狀結構下。移除虛置鰭狀結構以露出基板的第一部份。形成多個凸起結構於基板的第一部份上。形成淺溝槽隔離區於基板的第一部份上，淺溝槽隔離區覆蓋凸起結構，且至少部份的第一主動鰭狀結構與至少部份的第二主動鰭狀結構延伸超出淺溝槽隔離區的最頂部表面。

Abstract in simplified Chinese: 方法包括：形成第一主动鳍状结构与第二主动鳍状结构于基板上。形成虚置鳍状结构于基板上，虚置鳍状结构夹设于第一主动鳍状结构与第二主动鳍状结构之间，且基板的第一部份直接位于虚置鳍状结构下。移除虚置鳍状结构以露出基板的第一部份。形成多个凸起结构于基板的第一部份上。形成浅沟槽隔离区于基板的第一部份上，浅沟槽隔离区覆盖凸起结构，且至少部份的第一主动鳍状结构与至少部份的第二主动鳍状结构延伸超出浅沟槽隔离区的最顶部表面。

公开(公告)号：TWI619170B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105138903

申请日：2016-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TWI614793B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW105136908

申请日：2016-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/764 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TWI611549B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW105120576

申请日：2016-06-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L2225/06541

公开(公告)号：TWI606586B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW104136275

申请日：2015-11-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/283 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785