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公开(公告)号：TW201841345A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106122168
申请日：2017-07-03
发明人： 三原竜善 , MIHARA, TATSUYOSHI
IPC分类号： H01L27/115
摘要： 本發明之目的在於提高半導體裝置之製造良率。 本發明係形成虛設控制閘極電極DG及記憶體閘極電極MG，以覆蓋該等之方式形成層間絕緣膜IL1後，研磨層間絕緣膜IL1而使虛設控制閘極電極DG及記憶體閘極電極MG露出。其後，藉由蝕刻而去除虛設控制閘極電極DG後，於作為經去除虛設控制閘極電極DG之區域的槽內，形成控制閘極電極。虛設控制閘極電極DG由無摻雜或n型矽膜構成，記憶體閘極電極MG由p型矽膜構成。於去除虛設控制閘極電極DG之步驟中，於虛設控制閘極電極DG與記憶體閘極電極MG露出之狀態下，以記憶體閘極電極MG比虛設控制閘極電極DG更不易蝕刻之條件進行蝕刻，而去除虛設控制閘極電極DG。
简体摘要： 本发明之目的在于提高半导体设备之制造良率。 本发明系形成虚设控制闸极电极DG及内存闸极电极MG，以覆盖该等之方式形成层间绝缘膜IL1后，研磨层间绝缘膜IL1而使虚设控制闸极电极DG及内存闸极电极MG露出。其后，借由蚀刻而去除虚设控制闸极电极DG后，于作为经去除虚设控制闸极电极DG之区域的槽内，形成控制闸极电极。虚设控制闸极电极DG由无掺杂或n型硅膜构成，内存闸极电极MG由p型硅膜构成。于去除虚设控制闸极电极DG之步骤中，于虚设控制闸极电极DG与内存闸极电极MG露出之状态下，以内存闸极电极MG比虚设控制闸极电极DG更不易蚀刻之条件进行蚀刻，而去除虚设控制闸极电极DG。
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公开(公告)号：TW201841334A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107101945
申请日：2018-01-19
发明人： 鵜澤義仁 , UZAWA, YOSHIHITO , 森下泰之 , MORISHITA, YASUYUKI , 田中正德 , TANAKA, MASANORI
IPC分类号： H01L23/60
摘要： 習知的半導體裝置存在靜電破壞保護電路之電路面積過大的問題。依據一種實施形態的半導體裝置，具有：MOS電晶體MN，係被連接在2個端子間將靜電引發的電流放電、二極體D，係極性與被形成在MOS電晶體MN的閘極與源極之間之寄生二極體Dsn的極性相反。
简体摘要： 习知的半导体设备存在静电破坏保护电路之电路面积过大的问题。依据一种实施形态的半导体设备，具有：MOS晶体管MN，系被连接在2个端子间将静电引发的电流放电、二极管D，系极性与被形成在MOS晶体管MN的闸极与源极之间之寄生二极管Dsn的极性相反。
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公开(公告)号：TWI640166B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW103112845
申请日：2014-04-08
发明人： 中村誉 , NAKAMURA, TAKASHI , 矢山浩輔 , YAYAMA, KOSUKE , 飯島正章 , IIJIMA, MASAAKI
IPC分类号： H03L7/08
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公开(公告)号：TWI638499B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW103117680
申请日：2014-05-20
发明人： 澀谷祐貴 , SHIBUYA, HIROKI , 佐佐木英樹 , SASAKI, HIDEKI , 佃龍明 , TSUKUDA, TATSUAKI , 清水忠 , SHIMIZU, TADASHI , 土橋雅裕 , DOBASHI, MASAHIRO , 西園晉二 , NISHIZONO, SHINJI , 久保田博子 , KUBOTA, HIROKO
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公开(公告)号：TWI634757B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106117070
申请日：2013-04-17
发明人： 稻川收 , INAGAWA,OSAMU , 柳澤潔 , YANAGISAWA,KIYOSHI , 荒卷利也 , ARAMAKI,TOSHIYA
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公开(公告)号：TWI634637B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW104121248
申请日：2015-07-01
发明人： 三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8252
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公开(公告)号：TW201830707A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW107116193
申请日：2014-05-19
发明人： 井上隆 , INOUE,TAKASHI , 中山達峰 , NAKAYAMA,TATSUO , 岡本康宏 , OKAMOTO,YASUHIRO , 川口宏 , KAWAGUCHI,HIROSHI , 竹脇利至 , TAKEWAKI,TOSHIYUKI , 名倉延宏 , NAGURA,NOBUHIRO , 永井隆行 , NAGAI,TAKAYUKI , 三浦喜直 , MIURA,YOSHINAO , 宮本廣信 , MIYAMOTO,HIRONOBU
摘要： 本發明之目的在於提高半導體裝置之特性。 本發明係以包含如下構件之方式構成半導體裝置：緩衝層BU、通道層CH及阻障層BA，其等形成於基板S之上方；槽T，其貫通阻障層BA到達至通道層CH之中途；閘極電極GE，其介隔閘極絕緣膜GI而配置於該槽T內；及閘極電極GE之兩側之阻障層BA上之汲極電極DE及源極電極SE。且，閘極絕緣膜GI包含：第1部，其位於槽T之端部側，且自槽T之端部向汲極電極DE側延伸；及第2部，其係較第1部位於更靠近汲極電極DE側，且膜厚大於第1部。第1部包含絕緣膜IF2之單層膜，第2部包含絕緣膜IF1與絕緣膜IF2之積層膜。如此，於槽T之汲極電極DE側之端部藉由減小第1部之膜厚，可降低接通電阻。
简体摘要： 本发明之目的在于提高半导体设备之特性。 本发明系以包含如下构件之方式构成半导体设备：缓冲层BU、信道层CH及阻障层BA，其等形成于基板S之上方；槽T，其贯通阻障层BA到达至信道层CH之中途；闸极电极GE，其介隔闸极绝缘膜GI而配置于该槽T内；及闸极电极GE之两侧之阻障层BA上之汲极电极DE及源极电极SE。且，闸极绝缘膜GI包含：第1部，其位于槽T之端部侧，且自槽T之端部向汲极电极DE侧延伸；及第2部，其系较第1部位于更靠近汲极电极DE侧，且膜厚大于第1部。第1部包含绝缘膜IF2之单层膜，第2部包含绝缘膜IF1与绝缘膜IF2之积层膜。如此，于槽T之汲极电极DE侧之端部借由减小第1部之膜厚，可降低接通电阻。
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公开(公告)号：TW201830525A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106143865
申请日：2017-12-14
发明人： 中山達峰 , NAKAYAMA, TATSUO , 宮本広信 , MIYAMOTO, HIRONOBU , 岡本康宏 , OKAMOTO, YASUHIRO
IPC分类号： H01L21/38 , H01L21/8252
摘要： 本發明之課題在於提高半導體裝置之特性。 本發明將半導體裝置之台面部設為共摻層，前述半導體裝置具有：包含第1氮化物半導體層S1之通道基底層、包含第2氮化物半導體層S2之通道層、包含第3氮化物半導體層S3之障壁層、平台型第4氮化物半導體層(台面部)S4、覆蓋台面部之閘極絕緣膜GI、及形成於其上之閘極電極GE。如此，藉由將台面部設為共摻層，而能夠利用共摻層中之p型雜質(Mg)或n型雜質(Si)而抵消在閘極絕緣膜/台面部之界面產生之界面電荷，能夠提高臨限值電位。又，藉由在形成閘極絕緣膜GI之前預先將第4氮化物半導體層S4設為n型，且在形成閘極絕緣膜GI之後將第4氮化物半導體層S4設為中性或p型，能夠提高臨限值電位，從而提高常關特性。
简体摘要： 本发明之课题在于提高半导体设备之特性。 本发明将半导体设备之台面部设为共掺层，前述半导体设备具有：包含第1氮化物半导体层S1之信道基底层、包含第2氮化物半导体层S2之信道层、包含第3氮化物半导体层S3之障壁层、平台型第4氮化物半导体层(台面部)S4、覆盖台面部之闸极绝缘膜GI、及形成于其上之闸极电极GE。如此，借由将台面部设为共掺层，而能够利用共掺层中之p型杂质(Mg)或n型杂质(Si)而抵消在闸极绝缘膜/台面部之界面产生之界面电荷，能够提高临限值电位。又，借由在形成闸极绝缘膜GI之前预先将第4氮化物半导体层S4设为n型，且在形成闸极绝缘膜GI之后将第4氮化物半导体层S4设为中性或p型，能够提高临限值电位，从而提高常关特性。
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公开(公告)号：TW201830374A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106143438
申请日：2017-12-12
发明人： 上原八弓 , UEHARA, YAYUMI
摘要： 本發明提供一種能以簡易的方式有效率地執行影像傳送之資料傳送裝置。 本發明之資料傳送裝置，將影像緩衝記憶體的影像資料傳送至顯示器，其包含：封包產生部，以影像資料作為有效資料，產生由有效資料與虛擬資料組成之傳送封包，並將傳送封包傳送至顯示器；以及資料調整部，基於影像緩衝記憶體的資料儲存量，調整傳送封包之有效資料與虛擬資料的比率。
简体摘要： 本发明提供一种能以简易的方式有效率地运行影像发送之数据发送设备。 本发明之数据发送设备，将影像缓冲内存的影像数据发送至显示器，其包含：封包产生部，以影像数据作为有效数据，产生由有效数据与虚拟数据组成之发送封包，并将发送封包发送至显示器；以及数据调整部，基于影像缓冲内存的数据存储量，调整发送封包之有效数据与虚拟数据的比率。
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公开(公告)号：TWI632642B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW103115167
申请日：2014-04-28
发明人： 野坂之 , NOSAKA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/768
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