半導體裝置的製造方法
    31.
    发明专利
    半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备的制造方法

    公开(公告)号:TW201921512A

    公开(公告)日:2019-06-01

    申请号:TW107131444

    申请日:2010-06-29

    Abstract: 本發明的目的在於製造包含具有穩定電性特徵之薄膜電晶體的高度可靠之半導體裝置。在包含其中使用氧化物半導體膜於包含通道形成區之半導體層的薄膜電晶體之半導體裝置的製造方法中,熱處理(用於脫水或脫氫)被執行以改善氧化物半導體膜的純度,及降低包含水分或其類似物之雜質。然後,在氧氛圍之下執行緩慢冷卻。除了包含存在於氧化物半導體膜中之水分或其類似物的雜質之外,熱處理致使包含存在於閘極絕緣層中之水分或其類似物的雜質,以及包含存在於氧化物半導體膜與設置在該氧化物半導體膜之上面及下面且與其接觸的膜之間的介面中之該等水分或其類似物的雜質降低。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的在于制造包含具有稳定电性特征之薄膜晶体管的高度可靠之半导体设备。在包含其中使用氧化物半导体膜于包含信道形成区之半导体层的薄膜晶体管之半导体设备的制造方法中,热处理(用于脱水或脱氢)被运行以改善氧化物半导体膜的纯度,及降低包含水分或其类似物之杂质。然后,在氧氛围之下运行缓慢冷却。除了包含存在于氧化物半导体膜中之水分或其类似物的杂质之外,热处理致使包含存在于闸极绝缘层中之水分或其类似物的杂质,以及包含存在于氧化物半导体膜与设置在该氧化物半导体膜之上面及下面且与其接触的膜之间的界面中之该等水分或其类似物的杂质降低。

    半導體裝置及其製造方法
    35.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201820641A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:TW107105353

    申请日:2010-06-28

    Abstract: 本發明之目的在於提供包含具有穩定電特徵的薄膜電晶體之高度可靠的半導體裝置。在包含以氧化物半導體膜使用於包含通道形成區的半導體層之薄膜電晶體的半導體裝置之製造方法中,執行熱處理(用於脫水或脫氫)以便純化氧化物半導體膜及降低例如濕氣之雜質。除了存在於氧化物半導體膜中例如濕氣的雜質之外,熱處理還可以降低存在於閘極絕緣層中例如濕氣之雜質以及存在於氧化物半導體膜與設於氧化物半導體膜之上及之下且與氧化物半導體膜相接觸的膜之間的介面中例如濕氣的雜質。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供包含具有稳定电特征的薄膜晶体管之高度可靠的半导体设备。在包含以氧化物半导体膜使用于包含信道形成区的半导体层之薄膜晶体管的半导体设备之制造方法中,运行热处理(用于脱水或脱氢)以便纯化氧化物半导体膜及降低例如湿气之杂质。除了存在于氧化物半导体膜中例如湿气的杂质之外,热处理还可以降低存在于闸极绝缘层中例如湿气之杂质以及存在于氧化物半导体膜与设于氧化物半导体膜之上及之下且与氧化物半导体膜相接触的膜之间的界面中例如湿气的杂质。

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