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公开(公告)号：TW201921512A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107131444
申请日：2010-06-29
Inventor： 佐佐木俊成 , SASAKI,TOSHINARI , 坂田淳一郎 , SAKATA,JUNICHIRO , 大原宏樹 , OHARA,HIROKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI
IPC: H01L21/336 , H01L21/324
Abstract: 本發明的目的在於製造包含具有穩定電性特徵之薄膜電晶體的高度可靠之半導體裝置。在包含其中使用氧化物半導體膜於包含通道形成區之半導體層的薄膜電晶體之半導體裝置的製造方法中，熱處理(用於脫水或脫氫)被執行以改善氧化物半導體膜的純度，及降低包含水分或其類似物之雜質。然後，在氧氛圍之下執行緩慢冷卻。除了包含存在於氧化物半導體膜中之水分或其類似物的雜質之外，熱處理致使包含存在於閘極絕緣層中之水分或其類似物的雜質，以及包含存在於氧化物半導體膜與設置在該氧化物半導體膜之上面及下面且與其接觸的膜之間的介面中之該等水分或其類似物的雜質降低。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的在于制造包含具有稳定电性特征之薄膜晶体管的高度可靠之半导体设备。在包含其中使用氧化物半导体膜于包含信道形成区之半导体层的薄膜晶体管之半导体设备的制造方法中，热处理(用于脱水或脱氢)被运行以改善氧化物半导体膜的纯度，及降低包含水分或其类似物之杂质。然后，在氧氛围之下运行缓慢冷却。除了包含存在于氧化物半导体膜中之水分或其类似物的杂质之外，热处理致使包含存在于闸极绝缘层中之水分或其类似物的杂质，以及包含存在于氧化物半导体膜与设置在该氧化物半导体膜之上面及下面且与其接触的膜之间的界面中之该等水分或其类似物的杂质降低。
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公开(公告)号：TWI647849B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106119339
申请日：2010-11-04
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 平石鈴之介 , HIRAISHI, SUZUNOSUKE , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO
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公开(公告)号：TWI646692B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW107105351
申请日：2009-10-16
Inventor： 伊藤俊一 , ITO, SHUNICHI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G09F9/30
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公开(公告)号：TW201834074A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107118544
申请日：2010-08-31
Inventor： 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 吉富修平 , YOSHITOMI, SHUHEI , 辻隆博 , TUJI, TAKAHIRO , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 戶松浩之 , TOMATSU, HIROYUKI , 早川昌彥 , HAYAKAWA, MASAHIKO
IPC: H01L21/324 , H01L21/336
Abstract: 發明之目的在於提供包含氧化物半導體膜之薄膜電晶體的結構之製造方法，其中，形成通道的臨界電壓為正的且儘可能接近0V。形成保護絕緣層以覆蓋包含藉由第一熱處理來予以脫水或脫氫的氧化物半導電層的薄膜電晶體，並且，以低於第一熱處理的溫度之溫度，執行溫度升上及下降重複多次的第二熱處理，因而可以製造包含氧化物半導電層的薄膜電晶體，其中，形成通道的臨界電壓是正的且儘可能接近0V，但不會視通道長度而定。
Abstract in simplified Chinese: 发明之目的在于提供包含氧化物半导体膜之薄膜晶体管的结构之制造方法，其中，形成信道的临界电压为正的且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包含借由第一热处理来予以脱水或脱氢的氧化物半导电层的薄膜晶体管，并且，以低于第一热处理的温度之温度，运行温度升上及下降重复多次的第二热处理，因而可以制造包含氧化物半导电层的薄膜晶体管，其中，形成信道的临界电压是正的且尽可能接近0V，但不会视信道长度而定。
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公开(公告)号：TW201820641A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW107105353
申请日：2010-06-28
Inventor： 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 大原宏樹 , OHARA, HIROKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: H01L29/786 , H01L21/324
Abstract: 本發明之目的在於提供包含具有穩定電特徵的薄膜電晶體之高度可靠的半導體裝置。在包含以氧化物半導體膜使用於包含通道形成區的半導體層之薄膜電晶體的半導體裝置之製造方法中，執行熱處理(用於脫水或脫氫)以便純化氧化物半導體膜及降低例如濕氣之雜質。除了存在於氧化物半導體膜中例如濕氣的雜質之外，熱處理還可以降低存在於閘極絕緣層中例如濕氣之雜質以及存在於氧化物半導體膜與設於氧化物半導體膜之上及之下且與氧化物半導體膜相接觸的膜之間的介面中例如濕氣的雜質。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供包含具有稳定电特征的薄膜晶体管之高度可靠的半导体设备。在包含以氧化物半导体膜使用于包含信道形成区的半导体层之薄膜晶体管的半导体设备之制造方法中，运行热处理(用于脱水或脱氢)以便纯化氧化物半导体膜及降低例如湿气之杂质。除了存在于氧化物半导体膜中例如湿气的杂质之外，热处理还可以降低存在于闸极绝缘层中例如湿气之杂质以及存在于氧化物半导体膜与设于氧化物半导体膜之上及之下且与氧化物半导体膜相接触的膜之间的界面中例如湿气的杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201812925A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106142575
申请日：2010-07-01
Inventor： 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , G09F9/33
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78633 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/78654 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本發明的課題在於提供一種使用具有穩定的電特性的電晶體來進行穩定的工作的顯示裝置。當應用以氧化物半導體層為通道形成區的電晶體來製造顯示裝置時，至少在應用於驅動電路的電晶體上進一步配置閘極電極。當製造以氧化物半導體層為通道形成區的電晶體時，對氧化物半導體層進行用來實現脫水化或脫氫化的加熱處理，以減少存在於以上下接觸的方式設置的閘極絕緣層及保護絕緣層與氧化物半導體層的介面的水分等雜質。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题在于提供一种使用具有稳定的电特性的晶体管来进行稳定的工作的显示设备。当应用以氧化物半导体层为信道形成区的晶体管来制造显示设备时，至少在应用于驱动电路的晶体管上进一步配置闸极电极。当制造以氧化物半导体层为信道形成区的晶体管时，对氧化物半导体层进行用来实现脱水化或脱氢化的加热处理，以减少存在于以上下接触的方式设置的闸极绝缘层及保护绝缘层与氧化物半导体层的界面的水分等杂质。
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公开(公告)号：TWI636506B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW104130286
申请日：2010-06-30
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 大原宏樹 , OHARA, HIROKI
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12
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公开(公告)号：TWI629549B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW105109001
申请日：2010-09-01
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 及川欣聰 , OIKAWA, YOSHIAKI
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L29/786
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公开(公告)号：TWI626693B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW104112387
申请日：2009-12-16
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
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公开(公告)号：TWI623106B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW104124537
申请日：2009-10-16
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 伊藤俊一 , ITO, SHUNICHI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G09F9/30
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