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    電鍍薄膜及其形成方法 PLATING FILM AND FORMING METHOD THEREOF
    51.
    发明专利
    電鍍薄膜及其形成方法 PLATING FILM AND FORMING METHOD THEREOF 审中-公开
    电镀薄膜及其形成方法 PLATING FILM AND FORMING METHOD THEREOF

    公开(公告)号：TW200737464A

    公开(公告)日：2007-10-01

    申请号：TW095122497

    申请日：2006-06-22

    申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

    发明人： 作山誠樹 SAKUYAMA, SEIKI

    IPC分类号： H01L ,  C25D

    CPC分类号： C25D3/30 ,  B32B15/01 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

    摘要： 由錫或錫合金所構成的錫電鍍薄膜係構成位在一基板之一前表面及一後表面上組成導線架。就錫合金而言,例如,能夠引用錫銅合金(銅含量:2質量百分比(mass%))、錫鉍合金(鉍含量:2質量百分比(mass%))以及相似物。基板,例如,係由銅合金或相似物所構成。錫電鍍薄膜中,複數晶粒係不規則地配置。再者,錫電鍍薄膜中存在有複數間隙部分。因於錫電鍍薄膜中存有間隙部分,所以即使接續地執行彎曲製程或相似製程亦能夠降低外應力。因此,能夠抑制伴隨有外應力的晶鬚成長。

    简体摘要： 由锡或锡合金所构成的锡电镀薄膜系构成位在一基板之一前表面及一后表面上组成导线架。就锡合金而言,例如,能够引用锡铜合金(铜含量:2质量百分比(mass%))、锡铋合金(铋含量:2质量百分比(mass%))以及相似物。基板,例如,系由铜合金或相似物所构成。锡电镀薄膜中,复数晶粒系不守则地配置。再者,锡电镀薄膜中存在有复数间隙部分。因于锡电镀薄膜中存有间隙部分,所以即使接续地运行弯曲制程或相似制程亦能够降低外应力。因此,能够抑制伴随有外应力的晶须成长。

    形成由錫-銀-銅三元合金所成之表面層的端子、具有其之零件及製品 TERMINAL HAVING SURFACE LAYER FORMED OF SN-AG-CU TERNARY ALLOY FORMED THEREON, AND PART AND PRODUCT HAVING THE SAME
    54.
    发明专利
    形成由錫-銀-銅三元合金所成之表面層的端子、具有其之零件及製品 TERMINAL HAVING SURFACE LAYER FORMED OF SN-AG-CU TERNARY ALLOY FORMED THEREON, AND PART AND PRODUCT HAVING THE SAME 审中-公开
    形成由锡-银-铜三元合金所成之表面层的端子、具有其之零件及制品 TERMINAL HAVING SURFACE LAYER FORMED OF SN-AG-CU TERNARY ALLOY FORMED THEREON, AND PART AND PRODUCT HAVING THE SAME

    公开(公告)号：TW200524223A

    公开(公告)日：2005-07-16

    申请号：TW093136914

    申请日：2004-11-30

    申请人： FCM股份有限公司 FCM CO., LTD.

    发明人： 三浦茂紀 MIURA, SHIGEKI

    IPC分类号： H01R ,  H01H

    CPC分类号： C22C13/00 ,  H01R13/03 ,  Y10T428/12556 ,  Y10T428/12687 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715

    摘要： 本發明係關於一種形成由錫－銀－銅三元合金所成之表面層之端子、具有其之零件及製品；也就是說，本發明之端子，其特徵為：係在導電性基體上之整個面或部分藉由電氣電鍍而形成由錫－銀－銅三元合金所成之表面層之端子，該錫－銀－銅三元合金係以錫：70～99.8質量％、銀：0.1～15質量％、銅：0.1～15質量％之比率所構成，其熔點係210～230℃，並且，比起該表面層僅藉由錫所形成之狀態，還以更加微小之粒狀結晶狀態所形成。

    简体摘要： 本发明系关于一种形成由锡－银－铜三元合金所成之表面层之端子、具有其之零件及制品；也就是说，本发明之端子，其特征为：系在导电性基体上之整个面或部分借由电气电镀而形成由锡－银－铜三元合金所成之表面层之端子，该锡－银－铜三元合金系以锡：70～99.8质量％、银：0.1～15质量％、铜：0.1～15质量％之比率所构成，其熔点系210～230℃，并且，比起该表面层仅借由锡所形成之状态，还以更加微小之粒状结晶状态所形成。

    銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴 PYROPHOSPHORIC ACID BATH FOR USE IN COPPER-TIN ALLOY PLATING
    55.
    发明专利
    銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴 PYROPHOSPHORIC ACID BATH FOR USE IN COPPER-TIN ALLOY PLATING 审中-公开
    铜-锡合金电镀用焦磷酸浴 PYROPHOSPHORIC ACID BATH FOR USE IN COPPER-TIN ALLOY PLATING

    公开(公告)号：TW200413577A

    公开(公告)日：2004-08-01

    申请号：TW092118025

    申请日：2003-07-02

    申请人： 日本紐克羅沐股份有限公司 NIHON NEW CHORME CO., LTD.

    发明人： 浦田和也 KAZUYA URATA ,  橘邦夫 TACHIBANA, KUNIO ,  大庭直幸 ONIWA, NAOYUKI ,  田島幹也 TAJIMA, MIKIYA ,  小川幸雄 OGAWA, YUKIO

    IPC分类号： C25D

    CPC分类号： C25D3/58 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12722

    摘要： 本發明係關於一種無氰銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴，含有由胺衍生物、表鹵醇及縮水甘油醚系化合物組成之添加物(A)，該添加劑(A)之表鹵醇及縮水甘油醚系化合物之比率對胺衍生物1莫耳使用表鹵醇0.5～2莫耳，使用縮水甘油醚0.1～5莫耳，而該浴之pH值為3～9。另可視需要含有一種由有機磺酸及／或有機磺酸鹽組成之添加劑(B)。本發明提供工業規模利用之無氰型銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴，即使通電狀態會在高電流密度狀態及低電流密度狀態之間不斷變化之回轉電鍍之用途上亦能達成均勻處理而使不良品發生率低之焦磷酸浴及使用該焦磷酸浴所得之銅-錫合金電鍍膜。

    简体摘要： 本发明系关于一种无氰铜-锡合金电镀用焦磷酸浴，含有由胺衍生物、表卤醇及缩水甘油醚系化合物组成之添加物(A)，该添加剂(A)之表卤醇及缩水甘油醚系化合物之比率对胺衍生物1莫耳使用表卤醇0.5～2莫耳，使用缩水甘油醚0.1～5莫耳，而该浴之pH值为3～9。另可视需要含有一种由有机磺酸及／或有机磺酸盐组成之添加剂(B)。本发明提供工业规模利用之无氰型铜-锡合金电镀用焦磷酸浴，即使通电状态会在高电流密度状态及低电流密度状态之间不断变化之回转电镀之用途上亦能达成均匀处理而使不良品发生率低之焦磷酸浴及使用该焦磷酸浴所得之铜-锡合金电镀膜。