公开(公告)号：TW536782B

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：TW091108746

申请日：2002-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 本發明提供一種形成雙鑲嵌溝槽的方法，首先，提供一半導體基底，於半導體基底上形成一孔洞，並以樹脂材料填滿孔洞；接著，於半導體基底及填滿孔洞之樹脂材料上依序形成一胺類阻隔層、一底抗反射層及一圖案化光阻層；然後，以圖案化光阻層為罩幕，蝕刻底抗反射層及胺類阻隔層；最後，以圖案化光阻層及底抗反射層為罩幕蝕刻半導體基底。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种形成双镶嵌沟槽的方法，首先，提供一半导体基底，于半导体基底上形成一孔洞，并以树脂材料填满孔洞；接着，于半导体基底及填满孔洞之树脂材料上依序形成一胺类阻隔层、一底抗反射层及一图案化光阻层；然后，以图案化光阻层为罩幕，蚀刻底抗反射层及胺类阻隔层；最后，以图案化光阻层及底抗反射层为罩幕蚀刻半导体基底。

公开(公告)号：TW533543B

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：TW091101924

申请日：2002-02-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 本發明提供一種金屬內連線的製造方法，首先，提供一基底，在基底上形成一介電層，並於介電層表面形成一溝槽；接著，於介電層上順應性形成一第一阻障層，於第一阻障層上順應性形成一第一金屬層，於第一金屬層上順應性形成一第二阻障層；然後，於第二阻障層上形成一第二金屬層，且第二金屬層填滿溝槽；最後，對第一阻障層、第一金屬層、第二阻障層及第二金屬層進行化學機械研磨至露出介電層表面。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种金属内连接的制造方法，首先，提供一基底，在基底上形成一介电层，并于介电层表面形成一沟槽；接着，于介电层上顺应性形成一第一阻障层，于第一阻障层上顺应性形成一第一金属层，于第一金属层上顺应性形成一第二阻障层；然后，于第二阻障层上形成一第二金属层，且第二金属层填满沟槽；最后，对第一阻障层、第一金属层、第二阻障层及第二金属层进行化学机械研磨至露出介电层表面。

公开(公告)号：TW512485B

公开(公告)日：2002-12-01

申请号：TW090124753

申请日：2001-10-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳毓慧 ,  包天一 ,  程耀毅

IPC: H01L

Abstract: 本發明係揭露一種塗佈低介電常數材質之方法，特別是一種在塗佈低介電常數材質之製程前，以抵介電常數材質的溶劑預濕於晶圓表面上，每次實施晶圓塗佈之前，均需經過預濕的製程而提高塗佈良率的方法。其中包含下列步驟：首先，在執行晶圓塗佈之前，以抵介電常數材質的溶劑預濕於晶圓的表面上；次之，在完成塗佈後，進行初步的烘乾；接著，通入氮氣以烘乾溶劑；最後，是以固化階段完成本發明之塗佈製程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种涂布低介电常数材质之方法，特别是一种在涂布低介电常数材质之制程前，以抵介电常数材质的溶剂预湿于晶圆表面上，每次实施晶圆涂布之前，均需经过预湿的制程而提高涂布良率的方法。其中包含下列步骤：首先，在运行晶圆涂布之前，以抵介电常数材质的溶剂预湿于晶圆的表面上；次之，在完成涂布后，进行初步的烘干；接着，通入氮气以烘干溶剂；最后，是以固化阶段完成本发明之涂布制程。

公开(公告)号：TW485560B

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：TW090116662

申请日：2001-07-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 本發明製作銅鑲嵌結構之SiCO/SiCN薄膜沉積疊層，以氮碳化矽為材料之蝕刻停止層，可避免使用含二氧化碳(CO2)之電漿化學氣相沉積和銅鑲嵌中之銅金屬發生氧化作用，產生氧化銅而影響元件品質；以碳氧化矽為材料之阻障層可防止氮滲透進入低介電常數之介電層，避免介電層溝渠難以曝光和蝕刻，並避免氨類(NHx)和光阻作用，形成難以去除之光阻殘渣，造成介電層溝渠難以曝光和蝕刻。

Abstract in simplified Chinese: 本发明制作铜镶嵌结构之SiCO/SiCN薄膜沉积叠层，以氮碳化硅为材料之蚀刻停止层，可避免使用含二氧化碳(CO2)之等离子化学气相沉积和铜镶嵌中之铜金属发生氧化作用，产生氧化铜而影响组件品质；以碳氧化硅为材料之阻障层可防止氮渗透进入低介电常数之介电层，避免介电层沟渠难以曝光和蚀刻，并避免氨类(NHx)和光阻作用，形成难以去除之光阻残渣，造成介电层沟渠难以曝光和蚀刻。

公开(公告)号：TW475238B

公开(公告)日：2002-02-01

申请号：TW088116806

申请日：1999-09-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 本發明的提供一種可防止摻氟矽玻璃之氟原子擴散的半導體製程，主要係在摻氟矽玻璃之上或／及之下設置一富矽氧化層(Si rich oxide)作為阻障層，以有效阻擋氟原子的擴散。依據本發明之製程，由於以富矽氧化層(Si rich oxide)作為阻障層，可以有效阻擋氟原子的擴散，故除了使用低介電常數(low-k)之摻氟矽玻璃來降低金屬導線間寄生電容和RC延遲而提昇元件性質外，且可防止氟原子擴散而攻擊銅導線。此外，本發明所使用之富矽氧化層尚可防止銅原子的擴散，更提高了鑲嵌式銅製程的可靠度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的提供一种可防止掺氟硅玻璃之氟原子扩散的半导体制程，主要系在掺氟硅玻璃之上或／及之下设置一富硅氧化层(Si rich oxide)作为阻障层，以有效阻挡氟原子的扩散。依据本发明之制程，由于以富硅氧化层(Si rich oxide)作为阻障层，可以有效阻挡氟原子的扩散，故除了使用低介电常数(low-k)之掺氟硅玻璃来降低金属导线间寄生电容和RC延迟而提升组件性质外，且可防止氟原子扩散而攻击铜导线。此外，本发明所使用之富硅氧化层尚可防止铜原子的扩散，更提高了镶嵌式铜制程的可靠度。

公开(公告)号：TW459335B

公开(公告)日：2001-10-11

申请号：TW087122014A01

申请日：1999-06-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭示一種以鈍態保護層防止銅氧化之製程，包括下列步驟:(a)提供一已完成後段金屬化製程之晶圓，其上形成有一銅構件，且此銅構件為一護層所覆蓋;(b)於護層中形成一開口，露出上述銅構件;以及(c)選擇性地在銅構件表面形成銅矽化物，作為防止銅氧化之鈍態保護層。根據本發明，上述之銅矽化物,可以矽烷類氣體在300~400℃下與銅表面反應而成;或者，亦可藉由矽佈植程序反應而得。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种以钝态保护层防止铜氧化之制程，包括下列步骤:(a)提供一已完成后段金属化制程之晶圆，其上形成有一铜构件，且此铜构件为一护层所覆盖;(b)于护层中形成一开口，露出上述铜构件;以及(c)选择性地在铜构件表面形成铜硅化物，作为防止铜氧化之钝态保护层。根据本发明，上述之铜硅化物,可以硅烷类气体在300~400℃下与铜表面反应而成;或者，亦可借由硅布植进程反应而得。

公开(公告)号：TW420844B

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：TW088110309

申请日：1999-06-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭示一種降低低介電常數材料之研磨去除速率的方法，包括下列步驟:沈積一低介電常數材料於一半導體基底上而形成一介電層;以及施行一NH3電漿或N2電漿或 Ar電漿處理程序，以增加此介電層之緻密化程度而降低其研磨去除速率。藉由本發明之方法，可提高化學機械研磨的選擇率，有助於低介電常數材料與鑲嵌式銅製程的整合。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种降低低介电常数材料之研磨去除速率的方法，包括下列步骤:沉积一低介电常数材料于一半导体基底上而形成一介电层;以及施行一NH3等离子或N2等离子或 Ar等离子处理进程，以增加此介电层之致密化程度而降低其研磨去除速率。借由本发明之方法，可提高化学机械研磨的选择率，有助于低介电常数材料与镶嵌式铜制程的集成。

公开(公告)号：TWI585971B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW104137841

申请日：2015-11-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 林伯俊 ,  LIN, BO JIUN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/0649 ,  H01L2221/1047

公开(公告)号：TWI356442B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：TW094120860

申请日：2005-06-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 柯忠祁 ,  張守一 ,  包天一 ,  章勳明

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/3122 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 一種低介電係數材質層的製造方法，適用於一之上。係將前驅物氣體導入一沉積製程反應室中以進介電係數材質的沉積。待低介電係數材質層完成沉後，保留至少一適當前驅物氣體之氣體源，以此前驅體所形成之電漿對低介電係數材質層進行後處理。

Abstract in simplified Chinese: 一种低介电系数材质层的制造方法，适用于一之上。系将前驱物气体导入一沉积制程反应室中以进介电系数材质的沉积。待低介电系数材质层完成沉后，保留至少一适当前驱物气体之气体源，以此前驱体所形成之等离子对低介电系数材质层进行后处理。

公开(公告)号：TWI326902B

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：TW093111990

申请日：2004-04-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 章勳明 ,  柯忠祁 ,  包天一 ,  黎麗萍 ,  劉埃森

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829

Abstract: 本發明提供一種形成金屬層間介電層的方法，首先，提供一半導體基底，於半導體基底上形成一化學氣相沉積之低介電常數介電層；然後，以氫氣對化學氣相沉積之低介電常數介電層表面進行處理以形成一改質表層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种形成金属层间介电层的方法，首先，提供一半导体基底，于半导体基底上形成一化学气相沉积之低介电常数介电层；然后，以氢气对化学气相沉积之低介电常数介电层表面进行处理以形成一改质表层。