公开(公告)号：TWI540721B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW103129559

申请日：2014-08-27

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  薛力格 南西 ,  ZELICK, NANCY M. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TWI539521B

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：TW103143329

申请日：2014-12-11

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  珈納 薩納斯 ,  GARDNER, SANAZ K. ,  宋承宏 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  塔夫特 雪莉 ,  TAFT, SHERRY R. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8258

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0684

公开(公告)号：TW201618305A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104122047

申请日：2015-07-07

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  宋承宏 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  珈納 薩納斯 ,  GARDNER, SANAZ ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  趙 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/41783 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： 有關具有自對準閘極的第三族氮化物電晶體、併入此等電晶體之系統、及用於形成它們的方法之技術被討論。此等電晶體包括在高起的源極與高起的汲極間之極化層、於該源極與汲極之間且在該極化層之上的閘極、及在該源極與汲極之上且於其間具有開口的橫向磊晶過度生長，使得該閘極毗連該極化層的至少一部分係與該開口對準。

简体摘要： 有关具有自对准闸极的第三族氮化物晶体管、并入此等晶体管之系统、及用于形成它们的方法之技术被讨论。此等晶体管包括在高起的源极与高起的汲极间之极化层、于该源极与汲极之间且在该极化层之上的闸极、及在该源极与汲极之上且于其间具有开口的横向磊晶过度生长，使得该闸极毗连该极化层的至少一部分系与该开口对准。

公开(公告)号：TW201543668A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW104104764

申请日：2015-02-12

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  趙 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT ,  宋承宏 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

摘要： 本發明有關於具有提高之崩潰電壓之III-N電晶體的技術、結合此等電晶體的系統、及用以形成所討論之這些電晶體的方法。此等電晶體包括位於基板之上具有開口的硬遮罩；源極、汲極、及位於源極與汲極之間的通道，且源極或汲極的一部分係配置在硬遮罩的開口之上。

简体摘要： 本发明有关于具有提高之崩溃电压之III-N晶体管的技术、结合此等晶体管的系统、及用以形成所讨论之这些晶体管的方法。此等晶体管包括位于基板之上具有开口的硬遮罩；源极、汲极、及位于源极与汲极之间的信道，且源极或汲极的一部分系配置在硬遮罩的开口之上。

公开(公告)号：TW201528337A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103133279

申请日：2014-09-25

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  薛力格 南西 ,  ZELICK, NANCY M. ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0245 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 單一鰭或一對共整合n型及p型單晶電子裝置鰭在淺凹槽隔離(STI)區之間形成之一個或一對凹槽底部從基板表面磊晶地生長。圖案化鰭並蝕刻STI區以形成鰭之高度，於STI區之蝕刻頂表面之上延伸。鰭高度可為其寬度之1.5倍。以一個或多個保形性磊晶材料磊晶地被覆暴露之側壁表面及每一鰭之頂表面以於鰭上形成裝置層。在生長鰭之前，可從基板表面生長圍包緩衝磊晶材料；及於圍包層之上形成之STI凹槽中生長鰭。該等鰭之形成減少材料介面晶格不匹配之缺陷。

简体摘要： 单一鳍或一对共集成n型及p型单晶电子设备鳍在浅凹槽隔离(STI)区之间形成之一个或一对凹槽底部从基板表面磊晶地生长。图案化鳍并蚀刻STI区以形成鳍之高度，于STI区之蚀刻顶表面之上延伸。鳍高度可为其宽度之1.5倍。以一个或多个保形性磊晶材料磊晶地被覆暴露之侧壁表面及每一鳍之顶表面以于鳍上形成设备层。在生长鳍之前，可从基板表面生长围包缓冲磊晶材料；及于围包层之上形成之STI凹槽中生长鳍。该等鳍之形成减少材料界面晶格不匹配之缺陷。

公开(公告)号：TW201519439A

公开(公告)日：2015-05-16

申请号：TW103132259

申请日：2014-09-18

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W. ,  賽亞 史蒂芬 ,  CEA, STEPHEN ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/8252

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7851

摘要： 具有最大化柔度及自由表面鬆弛的Ge及III-V族通道半導體裝置以及製造此種Ge及III-V族通道半導體裝置的方法被描述。例如，一種半導體裝置包括設置於半導體基板之上的半導體鰭。該半導體鰭沿著該半導體鰭的長度具有與一對突出外段隔開的中央突出或凹陷段。包覆層區被設置於該半導體鰭的該中央突出或凹陷段上。閘極堆疊被設置於該包覆層區上。源極/汲極區被設置於該半導體鰭的該對突出外段中。

简体摘要： 具有最大化柔度及自由表面松弛的Ge及III-V族信道半导体设备以及制造此种Ge及III-V族信道半导体设备的方法被描述。例如，一种半导体设备包括设置于半导体基板之上的半导体鳍。该半导体鳍沿着该半导体鳍的长度具有与一对突出外段隔开的中央突出或凹陷段。包覆层区被设置于该半导体鳍的该中央突出或凹陷段上。闸极堆栈被设置于该包覆层区上。源极/汲极区被设置于该半导体鳍的该对突出外段中。

公开(公告)号：TW201515114A

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：TW103120844

申请日：2014-06-17

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76248 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66795

摘要： 電子裝置鰭可藉由將材料的第一層磊晶生長在形成於淺溝槽隔離(STI)區域的側壁之間的溝槽之底部的基板表面上而形成。該溝槽高度可係其寬度的至少1.5倍，且該第一層的填充可少於該溝槽高度。然後可將材料的第二層磊晶生長在該溝槽的第一層中及該STI區域的頂表面上方。延伸在該溝槽上方及在該STI區域的頂表面之部分上方的該第二層可具有第二寬度。然後可型樣化及蝕刻該第二層以在鄰近該溝槽的該STI區域之頂表面的部分上方形成一對電子裝置鰭。此處理可避免由於在該層介面中的晶格錯位而在該鰭中的晶體缺陷。

简体摘要： 电子设备鳍可借由将材料的第一层磊晶生长在形成于浅沟槽隔离(STI)区域的侧壁之间的沟槽之底部的基板表面上而形成。该沟槽高度可系其宽度的至少1.5倍，且该第一层的填充可少于该沟槽高度。然后可将材料的第二层磊晶生长在该沟槽的第一层中及该STI区域的顶表面上方。延伸在该沟槽上方及在该STI区域的顶表面之部分上方的该第二层可具有第二宽度。然后可型样化及蚀刻该第二层以在邻近该沟槽的该STI区域之顶表面的部分上方形成一对电子设备鳍。此处理可避免由于在该层界面中的晶格错位而在该鳍中的晶体缺陷。

公开(公告)号：TWI673875B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：TW104122047

申请日：2015-07-07

申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  宋承宏 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  珈納 薩納斯 ,  GARDNER, SANAZ ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  趙 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT

IPC分类号： H01L29/778

公开(公告)号：TWI665804B

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：TW104126253

申请日：2015-08-12

申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  珈納 薩納斯 ,  GARDNER, SANAZ K. ,  成承訓 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L29/34 ,  H01L29/778 ,  H01L21/322 ,  H01L21/461

公开(公告)号：TW201834278A

公开(公告)日：2018-09-16

申请号：TW106127809

申请日：2017-08-16

申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 布拉克 布魯斯 ,  BLOCK, BRUCE ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  費雪 保羅 ,  FISCHER, PAUL

IPC分类号： H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/27 ,  H01L41/39

摘要： 說明使用高度結晶的III-氮化物材料以增進薄膜體聲波共振器(FBAR)的性能之方法及裝置。III-氮化物材料磊晶地生長於具有適當晶格結構的基底上。這些高度結晶的材料可以用於以例如氣隙或布拉格反射器用於聲波隔離之FBAR。結果的FBAR呈現提供改良的頻寬性能之高Q值。

简体摘要： 说明使用高度结晶的III-氮化物材料以增进薄膜体声波共振器(FBAR)的性能之方法及设备。III-氮化物材料磊晶地生长于具有适当晶格结构的基底上。这些高度结晶的材料可以用于以例如气隙或布拉格反射器用于声波隔离之FBAR。结果的FBAR呈现提供改良的带宽性能之高Q值。