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公开(公告)号：TWI532126B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103132434
申请日：2014-09-19
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 陳 漢威 , THEN, HAN WUI , 珈納 薩納斯 , GARDNER, SANAZ , 朱功 班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 宋承宏 , SUNG, SEUNG HOON , 趙 羅伯特 , CHAU, ROBERT
IPC分类号： H01L21/8258
CPC分类号： H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L27/10826 , H01L27/10879 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/2003 , H01L29/413 , H01L29/42392 , H01L29/4908 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/66742 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7786 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7853 , H01L29/78618 , H01L29/78681
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公开(公告)号：TWI623114B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106110334
申请日：2014-09-25
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 陳 漢威 , THEN, HAN WUI , 趙 羅伯特 , CHAU, ROBERT , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 朱功 班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 珈納 薩納斯 , GARDNER, SANAZ
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公开(公告)号：TWI618250B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105128252
申请日：2015-02-11
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 陳 漢威 , THEN, HAN WUI , 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 趙 羅伯特 , CHAU, ROBERT
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L29/045 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/66431 , H01L29/66446 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7783 , H01L29/7787
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公开(公告)号：TWI617028B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105104293
申请日：2014-09-19
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 陳 漢威 , THEN, HAN WUI , 珈納 薩納斯 , GARDNER, SANAZ , 朱功 班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 宋承宏 , SUNG, SEUNG HOON , 趙 羅伯特 , CHAU, ROBERT
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L27/10826 , H01L27/10879 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/2003 , H01L29/413 , H01L29/42392 , H01L29/4908 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/66742 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7786 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7853 , H01L29/78618 , H01L29/78681
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公开(公告)号：TW201727941A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106110334
申请日：2014-09-25
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 陳 漢威 , THEN, HAN WUI , 趙 羅伯特 , CHAU, ROBERT , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 朱功 班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 珈納 薩納斯 , GARDNER, SANAZ
CPC分类号： H01L33/06 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L27/153 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/62 , H01L2933/0033
摘要： 說明在矽鰭板上形成III-V發光二極體結構的方法。這些方法及結構包括：在矽鰭的矽(111)平面上形成n摻雜的III-V層；在n摻雜的III-V層上形成量子井層；在量子井層上形成p摻雜的III-V層；以及，在p摻雜的III-V層上形成歐姆接點層。
简体摘要： 说明在硅鳍板上形成III-V发光二极管结构的方法。这些方法及结构包括：在硅鳍的硅(111)平面上形成n掺杂的III-V层；在n掺杂的III-V层上形成量子井层；在量子井层上形成p掺杂的III-V层；以及，在p掺杂的III-V层上形成欧姆接点层。
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公开(公告)号：TWI556426B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104104764
申请日：2015-02-12
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 陳 漢威 , THEN, HAN WUI , 朱功 班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 趙 羅伯特 , CHAU, ROBERT , 宋承宏 , SUNG, SEUNG HOON , 皮拉瑞斯提 拉維 , PILLARISETTY, RAVI , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/0332 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66431 , H01L29/66446 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7786
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公开(公告)号：TW201539761A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104104569
申请日：2012-12-04
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 陳 漢威 , THEN, HAN WUI , 趙 羅伯特 , CHAU, ROBERT , 朱功 班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 狄威 吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 卡瓦李耶羅 傑克 , KAVALIEROS, JACK , 梅茲 馬修 , METZ, MATTHEW V. , 穆可吉 尼洛依 , MUKHERJEE, NILOY , 皮拉瑞斯提 拉維 , PILLARISETTY, RAVI , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO
CPC分类号： H01L29/158 , B82Y10/00 , H01L21/02603 , H01L23/66 , H01L27/0605 , H01L27/0886 , H01L29/045 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42392 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/66469 , H01L29/66522 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/785 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L2223/6677 , Y10S977/938
摘要： 第三族氮化物奈米線係設置在基板上。奈米線之縱向長度被定義為第一第三族氮化物材料之通道區、與該通道區之第一端電性耦合之源極區、及與該通道區之第二端電性耦合之汲極區。在該第一第三族氮化物材料上之第二第三族氮化物材料作為一電荷誘導層、及/或奈米線之表面上的阻障層。閘極絕緣體及/或閘極導體完全地同軸環繞在該通道區內的該奈米線。汲極及源極接觸可相同地完全地同軸環繞該汲極及源極區。
简体摘要： 第三族氮化物奈米线系设置在基板上。奈米线之纵向长度被定义为第一第三族氮化物材料之信道区、与该信道区之第一端电性耦合之源极区、及与该信道区之第二端电性耦合之汲极区。在该第一第三族氮化物材料上之第二第三族氮化物材料作为一电荷诱导层、及/或奈米线之表面上的阻障层。闸极绝缘体及/或闸极导体完全地同轴环绕在该信道区内的该奈米线。汲极及源极接触可相同地完全地同轴环绕该汲极及源极区。
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公开(公告)号：TWI673875B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104122047
申请日：2015-07-07
申请人： 美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 陳 漢威 , THEN, HAN WUI , 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 宋承宏 , SUNG, SEUNG HOON , 珈納 薩納斯 , GARDNER, SANAZ , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 趙 羅伯特 , CHAU, ROBERT
IPC分类号： H01L29/778
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公开(公告)号：TWI608641B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103110902
申请日：2014-03-24
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 郭 查爾斯 , KUO, CHARLES C. , 歐固茲 肯恩 , OGUZ, KAAN , 道爾 布萊恩 , DOYLE, BRIAN , 卡波夫 艾利潔 , KARPOV, ELIJAH ILYA , 哥梨薩德 莫札拉得 , GOLIZADEH, MOJARAD , 肯克 大衛 , KENCKE, DAVID L. , 趙 羅伯特 , CHAU, ROBERT
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L43/14
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公开(公告)号：TW201614882A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104121486
申请日：2015-07-02
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 歐固茲 肯恩 , OGUZ, KAAN , 杜西 馬克 , DOCZY, MARK , 道爾 布萊恩 , DOYLE, BRIAN , 郭 查爾斯 , KUO, CHARLES C. , 查德瑞 安納拉 , CHAUDHRY, ANURAG , 趙 羅伯特 , CHAU, ROBERT
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 本發明實施例敘述增加磁性穿隧接面之接面異向性的配置及技術。在實施例中，磁性穿隧接面可包括覆蓋層、穿隧阻障及設置在緩衝層和穿隧阻障之間的磁性層。在一些實施例中，緩衝層設置在磁性層和覆蓋層或磁性接面中選定一者之間。在此實施例中，緩衝層與覆蓋層或穿隧接面中選定一者之界面異向性大於磁性層與覆蓋層或穿隧接面中選定一者之界面異向性。其它實施例可以被敘述和/或主張。
简体摘要： 本发明实施例叙述增加磁性穿隧接面之接面异向性的配置及技术。在实施例中，磁性穿隧接面可包括覆盖层、穿隧阻障及设置在缓冲层和穿隧阻障之间的磁性层。在一些实施例中，缓冲层设置在磁性层和覆盖层或磁性接面中选定一者之间。在此实施例中，缓冲层与覆盖层或穿隧接面中选定一者之界面异向性大于磁性层与覆盖层或穿隧接面中选定一者之界面异向性。其它实施例可以被叙述和/或主张。
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