扇出型半導體封裝
    2.
    发明专利
    扇出型半導體封裝 审中-公开
    扇出型半导体封装

    公开(公告)号:TW201826458A

    公开(公告)日:2018-07-16

    申请号:TW106124049

    申请日:2017-07-19

    IPC分类号: H01L23/28 H01L21/56

    摘要: 一種扇出型半導體封裝,包括:第一連接構件,具有貫穿孔;半導體晶片,配置於第一連接構件的貫穿孔中,半導體晶片具有主動面以及與主動面相對的非主動面,主動面上有多個連接墊配置;被動組件,貼附至半導體晶片的主動面;包封體,包封第一連接構件的至少部分及半導體晶片的非主動面的至少部分;以及第二連接構件,配置於連接構件以及半導體晶片的主動面上,第一連接構件以及第二連接構件各包括至少一個重佈線層,重佈線層電性連接至半導體晶片的多個連接墊,而且被動組件經由第二連接構件的重佈線層而電性連接至半導體晶片的多個連接墊。

    简体摘要: 一种扇出型半导体封装,包括:第一连接构件,具有贯穿孔;半导体芯片,配置于第一连接构件的贯穿孔中,半导体芯片具有主动面以及与主动面相对的非主动面,主动面上有多个连接垫配置;被动组件,贴附至半导体芯片的主动面;包封体,包封第一连接构件的至少部分及半导体芯片的非主动面的至少部分;以及第二连接构件,配置于连接构件以及半导体芯片的主动面上,第一连接构件以及第二连接构件各包括至少一个重布线层,重布线层电性连接至半导体芯片的多个连接垫,而且被动组件经由第二连接构件的重布线层而电性连接至半导体芯片的多个连接垫。

    扇出型半導體封裝
    4.
    发明专利
    扇出型半導體封裝 审中-公开
    扇出型半导体封装

    公开(公告)号:TW201816969A

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:TW106111481

    申请日:2017-04-06

    摘要: 一種扇出型半導體封裝包括:第一連接構件,具有貫穿孔;半導體晶片,配置於第一連接構件的貫穿孔中且具有主動表面及與主動表面相對的被動表面,主動表面上配置有連接墊;包封體,包覆第一連接構件及半導體晶片的被動表面的至少部分;以及第二連接構件,配置於第一連接構件上及半導體晶片的主動表面上。第一連接構件及第二連接構件分別包括電性連接至半導體晶片的連接墊的重佈線層,且第一連接構件包括電性連接至半導體晶片的連接墊的線圈圖案層。

    简体摘要: 一种扇出型半导体封装包括:第一连接构件,具有贯穿孔;半导体芯片,配置于第一连接构件的贯穿孔中且具有主动表面及与主动表面相对的被动表面,主动表面上配置有连接垫;包封体,包覆第一连接构件及半导体芯片的被动表面的至少部分;以及第二连接构件,配置于第一连接构件上及半导体芯片的主动表面上。第一连接构件及第二连接构件分别包括电性连接至半导体芯片的连接垫的重布线层,且第一连接构件包括电性连接至半导体芯片的连接垫的线圈图案层。

    電子元件及其製造方法
    6.
    发明专利
    電子元件及其製造方法 审中-公开
    电子组件及其制造方法

    公开(公告)号:TW201432749A

    公开(公告)日:2014-08-16

    申请号:TW102134639

    申请日:2013-09-26

    IPC分类号: H01G4/005 H01G4/12 H01G4/30

    CPC分类号: H01G4/30 H01G4/232

    摘要: 此處所揭露為一種電子元件及其製造方法。於具有形成於一絕緣體中之一導體且提供一外部電極電性連接在該絕緣體的一外表面上的導體的電子元件中,一通孔加工區中之外部電極的曲率係減少至一預定水程度或更少,因而可降低雷射光的眩光反射所產生的缺陷。

    简体摘要: 此处所揭露为一种电子组件及其制造方法。于具有形成于一绝缘体中之一导体且提供一外部电极电性连接在该绝缘体的一外表面上的导体的电子组件中,一通孔加工区中之外部电极的曲率系减少至一预定水程度或更少,因而可降低激光光的眩光反射所产生的缺陷。