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公开(公告)号：TW201601359A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104107912
申请日：2015-03-12
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： H01L41/39 , H01L41/318
CPC分类号： C04B35/491 , C01G25/006 , C01G45/006 , C01P2002/34 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B35/493 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/63444 , C04B35/64 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3268 , C04B2235/3296 , C04B2235/441 , C04B2235/606 , C04B2235/6567 , C04B2235/96 , H01L41/1876 , H01L41/318
摘要： 本發明係用於形成由摻雜Mn及Nb之複合金屬氧化物所構成之PZT系壓電體膜的組成物，前述組成物中之金屬原子比(Pb：Mn：Nb：Zr：Ti)滿足(1.00~1.25)：(0.002~0.056)：(0.002~0.056)：(0.40~0.60)：(0.40~0.60)，且以前述Mn及Nb之金屬原子比之合計為1時之前述Mn之比例為0.20~0.80、前述Zr及Ti之金屬原子比之合計為1時之前述Zr之比例為0.40~0.60、前述Mn、Nb、Zr及Ti之金屬原子比之合計為1時之前述Zr及Ti之合計比例成為0.9300~0.9902的比例，含有前述PZT系前驅物。
简体摘要： 本发明系用于形成由掺杂Mn及Nb之复合金属氧化物所构成之PZT系压电体膜的组成物，前述组成物中之金属原子比(Pb：Mn：Nb：Zr：Ti)满足(1.00~1.25)：(0.002~0.056)：(0.002~0.056)：(0.40~0.60)：(0.40~0.60)，且以前述Mn及Nb之金属原子比之合计为1时之前述Mn之比例为0.20~0.80、前述Zr及Ti之金属原子比之合计为1时之前述Zr之比例为0.40~0.60、前述Mn、Nb、Zr及Ti之金属原子比之合计为1时之前述Zr及Ti之合计比例成为0.9300~0.9902的比例，含有前述PZT系前驱物。
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公开(公告)号：TW201107267A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW098128146
申请日：2009-08-21
申请人： 達方電子股份有限公司
CPC分类号： H01G4/1227 , C01G23/002 , C01G45/006 , C04B35/016 , C04B35/453 , C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/475 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3268 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , H01G4/30
摘要： 本發明揭示一種陶瓷粉體組合物、陶瓷材料及其所製成的積層陶瓷電容器。陶瓷粉體組成物包括一主成份及一副成份，主成份的含量為95~99mol％，且主成份包括BaTiO3，副成份的含量為1~5mol％，且副成份由氧化物Bi2O3-TiO2-XO所組成，其中X係選自鎂(Mg)、釩(V)、錳(Mn)及鉻(Cr)所組成之群組。
简体摘要： 本发明揭示一种陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容器。陶瓷粉体组成物包括一主成份及一副成份，主成份的含量为95~99mol％，且主成份包括BaTiO3，副成份的含量为1~5mol％，且副成份由氧化物Bi2O3-TiO2-XO所组成，其中X系选自镁(Mg)、钒(V)、锰(Mn)及铬(Cr)所组成之群组。
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公开(公告)号：TW201111320A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099121559
申请日：2010-06-30
申请人： 聖高拜歐洲實驗及研究中心
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B35/486 , C04B35/488 , C04B35/6261 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3243 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3262 , C04B2235/3268 , C04B2235/327 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2235/9661 , Y10T428/24413
摘要： 本發明係關於一種物件，其包含自微粒混合物獲得之裝飾性燒結物項，該微粒混合物展示以下化學組成：-氧化鋯ZrO2：補足至100％的量；-0.5至10.0％之鈣鈦礦結構之氧化物；-2.0至20.0％之氧化鋯之穩定劑，其選自由Y2O3、Sc2O3、MgO、CaO、CeO2及其混合物所形成之群，MgO+CaO含量小於5.0％；-小於2.0％之燒結添加劑，其選自由Al2O3、ZnO、TiO2及其混合物所形成之群；-小於2.0％之其他氧化物。
简体摘要： 本发明系关于一种对象，其包含自微粒混合物获得之装饰性烧结物项，该微粒混合物展示以下化学组成：-氧化锆ZrO2：补足至100％的量；-0.5至10.0％之钙钛矿结构之氧化物；-2.0至20.0％之氧化锆之稳定剂，其选自由Y2O3、Sc2O3、MgO、CaO、CeO2及其混合物所形成之群，MgO+CaO含量小于5.0％；-小于2.0％之烧结添加剂，其选自由Al2O3、ZnO、TiO2及其混合物所形成之群；-小于2.0％之其他氧化物。
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公开(公告)号：TW557453B
公开(公告)日：2003-10-11
申请号：TW090124989
申请日：2001-10-09
申请人： 村田製作所股份有限公司
IPC分类号： H01C
CPC分类号： B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/016 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3268 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3293 , C04B2235/763 , C04B2237/34 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01C7/043 , H01C7/045
摘要： 一種具有負電阻溫度係數的半導性陶瓷，該元件包括約0.1至20莫耳百分比的AMnO3(A表示Ca、Sr、Ba、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy及Ho中的至少一種)，及一種尖晶石複合氧化物，由Mn與Ti、V、Cr、Fe、 Co、Ni、Cu、Zn、Mg與 Al中至少一種元素的固態溶液所組成。就鈣鈦礦Mn複合氧化物而言，可使用CaMnO3、SrMnO3、BaMnO3、LaMnO3、PrMnO3、NdMnO3、 SrnMnO3、EuMnO3、GdMnO3、TbMnO3、DyMnO3與 HoMnO3中之一種或多種 。
简体摘要： 一种具有负电阻温度系数的半导性陶瓷，该组件包括约0.1至20莫耳百分比的AMnO3(A表示Ca、Sr、Ba、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy及Ho中的至少一种)，及一种尖晶石复合氧化物，由Mn与Ti、V、Cr、Fe、 Co、Ni、Cu、Zn、Mg与 Al中至少一种元素的固态溶液所组成。就钙钛矿Mn复合氧化物而言，可使用CaMnO3、SrMnO3、BaMnO3、LaMnO3、PrMnO3、NdMnO3、 SrnMnO3、EuMnO3、GdMnO3、TbMnO3、DyMnO3与 HoMnO3中之一种或多种 。
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公开(公告)号：TW201601360A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104107913
申请日：2015-03-12
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： H01L41/39 , H01L41/318
CPC分类号： C04B35/493 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C04B35/491 , C04B35/62218 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3268 , C04B2235/3296 , H01L41/1876 , H01L41/318
摘要： 本發明之摻雜Mn及Nb之PZT系壓電體膜係由摻雜Mn及Nb之複合金屬氧化物所構成，膜中之金屬原子比(Pb：Mn：Nb：Zr：Ti)滿足(0.98~1.12)：(0.002~0.056)：(0.002~0.056)：(0.40~0.60)：(0.40~0.60)，且前述Mn及Nb之金屬原子比之合計為1時之前述Mn之比例為0.20~0.80、前述Zr及Ti之金屬原子比之合計為1時之前述Zr之比例為0.40~0.60、前述Mn、Nb、Zr及Ti之金屬原子比之合計為1時之前述Zr及Ti之合計比例為0.9300~0.9902。
简体摘要： 本发明之掺杂Mn及Nb之PZT系压电体膜系由掺杂Mn及Nb之复合金属氧化物所构成，膜中之金属原子比(Pb：Mn：Nb：Zr：Ti)满足(0.98~1.12)：(0.002~0.056)：(0.002~0.056)：(0.40~0.60)：(0.40~0.60)，且前述Mn及Nb之金属原子比之合计为1时之前述Mn之比例为0.20~0.80、前述Zr及Ti之金属原子比之合计为1时之前述Zr之比例为0.40~0.60、前述Mn、Nb、Zr及Ti之金属原子比之合计为1时之前述Zr及Ti之合计比例为0.9300~0.9902。
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公开(公告)号：TWI398033B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW098127041
申请日：2009-08-12
申请人： 大井EM股份有限公司 , DAEJUNG EM CO., LTD. , 柯肯股份有限公司 , KOKAM CO., LTD.
发明人： 金成培 , KIM, SEONG BAE , 金佑成 , KIM, WOO SEONG , 許允禎 , HEO, YOON JEONG , 高成泰 , KO, SUNG TAE , 洪智俊 , HONG, JI JUN
IPC分类号： H01M4/04
CPC分类号： H01M4/485 , B82Y30/00 , C01G23/006 , C01G45/1228 , C01G45/1242 , C01G51/42 , C01G51/50 , C01G53/42 , C01G53/50 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , C01P2006/11 , C01P2006/40 , C04B35/62805 , C04B35/62821 , C04B35/62892 , C04B2235/3203 , C04B2235/3222 , C04B2235/3268 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/5436 , C04B2235/5454 , H01M4/131 , H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M10/052 , Y02T10/7011
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公开(公告)号：TW201730361A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105135705
申请日：2016-11-03
申请人： 迪睿合股份有限公司 , DEXERIALS CORPORATION
发明人： 菅原淳一 , SUGAWARA, JUNICHI , 加守雄一 , KAMORI, YUICHI
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/453
CPC分类号： H01J37/3426 , C04B35/453 , C04B35/62635 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3263 , C04B2235/3268 , C04B2235/3284 , C04B2235/404 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/3414 , G11B7/241 , G11B7/243 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2432
摘要： 本發明提供一種可供DC濺鍍的Mn-Zn-O系濺鍍靶材及其製造方法。本發明的Mn-Zn-O系濺鍍靶材的特徵在於：成分組成中包含Mn、Zn、O和元素X，其中元素X為選自W和Mo所組成的群組中的單獨一種或兩種元素，相對密度為90%以上，並且電阻率為1×10-3Ω·cm以下。
简体摘要： 本发明提供一种可供DC溅镀的Mn-Zn-O系溅镀靶材及其制造方法。本发明的Mn-Zn-O系溅镀靶材的特征在于：成分组成中包含Mn、Zn、O和元素X，其中元素X为选自W和Mo所组成的群组中的单独一种或两种元素，相对密度为90%以上，并且电阻率为1×10-3Ω·cm以下。
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公开(公告)号：TW201546831A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104110055
申请日：2015-03-27
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
CPC分类号： H01L41/1876 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/63444 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3268 , C04B2235/3296 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/74 , C04B2235/787 , C04B2235/79 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , H01L41/318
摘要： 使用於由摻雜Mn之複合金屬氧化物所構成之PZT系壓電體膜之形成的組成物，含有包含構成前述複合金屬氧化物之各金屬原子的PZT系前驅物、二醇、與聚乙烯基吡咯啶酮，將前述組成物中之金屬原子比表示為Pb：Mn：Zr：Ti時，係以Pb滿足1.00~1.20、Mn滿足0.002以上且未達0.05、Zr滿足0.40~0.55、Ti滿足0.45~0.60，且前述Zr與前述Ti之金屬原子比的合計比例成為1之比例，含有前述PZT系前驅物。
简体摘要： 使用于由掺杂Mn之复合金属氧化物所构成之PZT系压电体膜之形成的组成物，含有包含构成前述复合金属氧化物之各金属原子的PZT系前驱物、二醇、与聚乙烯基吡咯啶酮，将前述组成物中之金属原子比表示为Pb：Mn：Zr：Ti时，系以Pb满足1.00~1.20、Mn满足0.002以上且未达0.05、Zr满足0.40~0.55、Ti满足0.45~0.60，且前述Zr与前述Ti之金属原子比的合计比例成为1之比例，含有前述PZT系前驱物。
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9.发明专利用於鋰二次電池之高安全陰極活性材料與製備該材料及包含該材料之鋰二次電池之方法 CATHODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM SECONDARY BATTERIES WITH HIGH SAFETY AND METHOD OF PREPARING FOR THE SAME AND LITHIUM SECONDARY BATTERIES COMPRISING THE SAME 审中-公开用于锂二次电池之高安全阴极活性材料与制备该材料及包含该材料之锂二次电池之方法 CATHODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM SECONDARY BATTERIES WITH HIGH SAFETY AND METHOD OF PREPARING FOR THE SAME AND LITHIUM SECONDARY BATTERIES COMPRISING THE SAME
公开(公告)号：TW201019520A
公开(公告)日：2010-05-16
申请号：TW098127041
申请日：2009-08-12
申请人： 大井EM股份有限公司 , 柯肯股份有限公司
IPC分类号： H01M
CPC分类号： H01M4/485 , B82Y30/00 , C01G23/006 , C01G45/1228 , C01G45/1242 , C01G51/42 , C01G51/50 , C01G53/42 , C01G53/50 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , C01P2006/11 , C01P2006/40 , C04B35/62805 , C04B35/62821 , C04B35/62892 , C04B2235/3203 , C04B2235/3222 , C04B2235/3268 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/5436 , C04B2235/5454 , H01M4/131 , H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M10/052 , Y02T10/7011
摘要： 一種用於鋰二次電池之陰極活性材料，其包括：一藉由結塊鋰金屬氧化物原始顆粒而形成之鋰金屬氧化物二次顆粒核；與一藉由用鈦酸鋇與金屬氧化物塗佈該二次顆粒核而形成之殼。此陰極活性材料允許製造安全性得以改良，尤其熱穩定性與過充電特性得以改良之鋰二次電池。
简体摘要： 一种用于锂二次电池之阴极活性材料，其包括：一借由结块锂金属氧化物原始颗粒而形成之锂金属氧化物二次颗粒核；与一借由用钛酸钡与金属氧化物涂布该二次颗粒核而形成之壳。此阴极活性材料允许制造安全性得以改良，尤其热稳定性与过充电特性得以改良之锂二次电池。
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公开(公告)号：TW588026B
公开(公告)日：2004-05-21
申请号：TW090128853
申请日：2001-11-21
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B35/486 , C04B33/14 , C04B33/20 , C04B33/32 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/488 , C04B35/4885 , C04B35/581 , C04B35/64 , C04B35/6455 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3241 , C04B2235/3243 , C04B2235/3246 , C04B2235/3248 , C04B2235/3265 , C04B2235/3268 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/765 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2235/9661 , C04B2235/9669 , H05K1/0254 , H05K1/0306
摘要： 本發明有關於一種緻密陶瓷其具有ESD耗散特性，於半絕緣範圍內(103~1011 Ohm-cm)可調整體積及表面電阻率，實質上為無孔隙，高彎曲強度，淡色，用在需求ESD耗散特性，構造可靠度，高視覺可辨別，低磨耗以及微粒污染，以在製造及組合靜電敏感的微電子、電磁、電光元件、裝置及系統時用做ESD耗散性工具，夾具，承載軸承元件，工作表面與容器。
简体摘要： 本发明有关于一种致密陶瓷其具有ESD耗散特性，于半绝缘范围内(103~1011 Ohm-cm)可调整体积及表面电阻率，实质上为无孔隙，高弯曲强度，淡色，用在需求ESD耗散特性，构造可靠度，高视觉可辨别，低磨耗以及微粒污染，以在制造及组合静电敏感的微电子、电磁、电光组件、设备及系统时用做ESD耗散性工具，夹具，承载轴承组件，工作表面与容器。
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