公开(公告)号：TWI609488B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW105127919

申请日：2010-08-24

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 儲榮明 ,  CHU, RONGMING ,  可菲羅柏特 ,  COFFIE, ROBERT

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TWI475691B

公开(公告)日：2015-03-01

申请号：TW099103836

申请日：2010-02-08

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 吳毅鋒 ,  WU, YIFENG ,  儲榮明 ,  CHU, RONGMING

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L23/492 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TW201711196A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105127919

申请日：2010-08-24

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 儲榮明 ,  CHU, RONGMING ,  可菲羅柏特 ,  COFFIE, ROBERT

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

摘要： 所述III族氮化物(III-Nitride或III-N)元件具有III-N材料層、位於III-N材料層表面之絕緣層、位於遠離III-N材料層的絕緣層對側之蝕刻終止層、以及位於遠離絕緣層、遠離蝕刻終止層的蝕刻終止層對側之電極定義層。在該電極定義層中形成凹部。在該凹部中形成電極。特別是在電極與III-N材料層間的絕緣層可具有精確控制的厚度。

简体摘要： 所述III族氮化物(III-Nitride或III-N)组件具有III-N材料层、位于III-N材料层表面之绝缘层、位于远离III-N材料层的绝缘层对侧之蚀刻终止层、以及位于远离绝缘层、远离蚀刻终止层的蚀刻终止层对侧之电极定义层。在该电极定义层中形成凹部。在该凹部中形成电极。特别是在电极与III-N材料层间的绝缘层可具有精确控制的厚度。

公开(公告)号：TWI555199B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW099128303

申请日：2010-08-24

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 儲榮明 ,  CHU, RONGMING ,  可菲羅柏特 ,  COFFIE, ROBERT

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TWI478357B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW098141930

申请日：2009-12-08

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 吳毅鋒 ,  WU, YIFENG ,  米雪尤美希 ,  MISHRA, UMESH ,  帕立克波利米特 ,  PARIKH, PRIMIT ,  儲榮明 ,  CHU, RONGMING ,  班亞可夫伊蘭 ,  BEN-YAACOV, ILAN ,  申立坤 ,  SHEN, LIKUN

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TW201036155A

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：TW099103836

申请日：2010-02-08

申请人： 全斯法姆公司

发明人： 吳毅鋒 ,  儲榮明

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L23/492 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本文描述一種第三族氮化物基高電子遷移率電晶體,其具有一閘極連接接地場板。該閘極連接接地場板裝置可最小化米勒電容效應。該電晶體可形成為一高電壓空乏模態電晶體,並可結合一低壓加强模態電晶體使用而形成一組件,其按照單一高電壓加强模態電晶體操作。

简体摘要： 本文描述一种第三族氮化物基高电子迁移率晶体管,其具有一闸极连接接地场板。该闸极连接接地场板设备可最小化米勒电容效应。该晶体管可形成为一高电压空乏模态晶体管,并可结合一低压加强模态晶体管使用而形成一组件,其按照单一高电压加强模态晶体管操作。

公开(公告)号：TW201027759A

公开(公告)日：2010-07-16

申请号：TW098141930

申请日：2009-12-08

申请人： 全斯法姆公司

发明人： 吳毅鋒 ,  米雪尤美希 ,  帕立克波利米特 ,  儲榮明 ,  班亞可夫伊蘭 ,  申立坤

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： 平面蕭特基二極體之半導體材料包含一異質結構,其在至少一半導體層上引致一二維電子氣體通道。一金屬陽極接觸位在上部半導體層之頂部,並形成與該層接觸的一蕭特基接觸。一金屬陰極接觸連接到該二維電子氣體通道,其形成與含有該二維電子氣體通道的層相接觸之歐姆接觸。

简体摘要： 平面萧特基二极管之半导体材料包含一异质结构,其在至少一半导体层上引致一二维电子气体信道。一金属阳极接触位在上部半导体层之顶部,并形成与该层接触的一萧特基接触。一金属阴极接触连接到该二维电子气体信道,其形成与含有该二维电子气体信道的层相接触之欧姆接触。

公开(公告)号：TW201119033A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：TW099128303

申请日：2010-08-24

申请人： 全斯法姆公司

发明人： 儲榮明 ,  可菲羅柏特

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

摘要： 所述III族氮化物(III-Nitride或III-N)元件具有III-N材料層、位於III-N材料層表面之絕緣層、位於遠離III-N材料層的絕緣層對側之蝕刻終止層、以及位於遠離絕緣層、遠離蝕刻終止層的蝕刻終止層對側之電極定義層。在該電極定義層中形成凹部。在該凹部中形成電極。特別是在電極與III-N材料層間的絕緣層可具有精確控制的厚度。

简体摘要： 所述III族氮化物(III-Nitride或III-N)组件具有III-N材料层、位于III-N材料层表面之绝缘层、位于远离III-N材料层的绝缘层对侧之蚀刻终止层、以及位于远离绝缘层、远离蚀刻终止层的蚀刻终止层对侧之电极定义层。在该电极定义层中形成凹部。在该凹部中形成电极。特别是在电极与III-N材料层间的绝缘层可具有精确控制的厚度。