公开(公告)号：TWI538211B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW102113567

申请日：2013-04-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 朱鳴 ,  ZHU, MING ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201349311A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102116477

申请日：2013-05-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志忠 ,  LIN, JR JUNG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  張銘慶 ,  CHANG, MING CHING ,  陳昭成 ,  CHEN, CHAO CHENG

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545

Abstract: 本發明是有關於一種積體電路的製造方法，且特別是有關於一種金屬閘極電極。一半導體裝置的實施例包括含有一主要表面之一基底；一第一矩形閘極電極，位於主要表面上，包括一多層材料的第一層；一第一介電材料，鄰近於第一矩形閘極電極之其中一側；及一第二介電材料，鄰近於第一矩形閘極電極之其他三側，其中第一介電材料及第二介電材料共同圍繞著第一矩形閘極電極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是有关于一种集成电路的制造方法，且特别是有关于一种金属闸极电极。一半导体设备的实施例包括含有一主要表面之一基底；一第一矩形闸极电极，位于主要表面上，包括一多层材料的第一层；一第一介电材料，邻近于第一矩形闸极电极之其中一侧；及一第二介电材料，邻近于第一矩形闸极电极之其他三侧，其中第一介电材料及第二介电材料共同围绕着第一矩形闸极电极。

公开(公告)号：TWI509670B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW102109426

申请日：2013-03-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  朱鳴 ,  ZHU, MING ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606

公开(公告)号：TWI495013B

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW101112186

申请日：2012-04-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  張啟新 ,  CHANG, MAXI ,  楊仁盛 ,  YANG, JEN SHENG ,  林大為 ,  LIN, TA WEI ,  羅仕豪 ,  LO, SHIH HAO ,  葉志揚 ,  YEH, CHIH YANG ,  林慧雯 ,  LIN, HUI WEN ,  高榮輝 ,  KAO, JUNG HUI ,  涂元添 ,  TU, YUAN TIEN ,  林煥哲 ,  LIN, HUAN JUST ,  彭治棠 ,  PENG, CHIH TANG ,  鄭培仁 ,  JENG, PEI REN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

公开(公告)号：TWI541876B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW102116477

申请日：2013-05-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志忠 ,  LIN, JR JUNG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  張銘慶 ,  CHANG, MING CHING ,  陳昭成 ,  CHEN, CHAO CHENG

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TW201349510A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102113567

申请日：2013-04-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 朱鳴 ,  ZHU, MING ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明提供了一種積體電路，包括：一半導體基板；一n型場效電晶體，位於該半導體基板上，具有包括一第一高介電常數介電層、位於該高介電常數介電層上之一上蓋層、位於該上蓋層上之一p型功函數金屬、以及位於該p型功函數金屬上之一多晶矽層之一第一閘堆疊物；以及一p型場效電晶體，位於該半導體基板之上，具有包括該第一高介電常數介電層、位於該高介電常數介電層上之該p型功函數金屬、以及位於該p型功函數金屬上之一金屬材料之一第二閘堆疊物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种集成电路，包括：一半导体基板；一n型场效应管，位于该半导体基板上，具有包括一第一高介电常数介电层、位于该高介电常数介电层上之一上盖层、位于该上盖层上之一p型功函数金属、以及位于该p型功函数金属上之一多晶硅层之一第一闸堆栈物；以及一p型场效应管，位于该半导体基板之上，具有包括该第一高介电常数介电层、位于该高介电常数介电层上之该p型功函数金属、以及位于该p型功函数金属上之一金属材料之一第二闸堆栈物。

公开(公告)号：TW201344885A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW102114963

申请日：2013-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  朱鳴 ,  ZHU, MING ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/511 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明提供了具有位於一基板之不同區域上之五個閘堆疊物之一種半導體裝置及其製造方法。此半導體裝置包括一半導體基板以及複數個隔離元件，以於半導體基板上分隔出複數個區域。上述不同區域包括一p型場效電晶體核心區、一p型場效電晶體輸入/輸出區、一n型場效電晶體核心區、一n型場效電晶體輸入/輸出區以及一高電阻區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了具有位于一基板之不同区域上之五个闸堆栈物之一种半导体设备及其制造方法。此半导体设备包括一半导体基板以及复数个隔离组件，以于半导体基板上分隔出复数个区域。上述不同区域包括一p型场效应管内核区、一p型场效应管输入/输出区、一n型场效应管内核区、一n型场效应管输入/输出区以及一高电阻区。

公开(公告)号：TWI534988B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW102114964

申请日：2013-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

公开(公告)号：TWI478218B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW098135566

申请日：2009-10-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  楊文誌 ,  YANG, WEN CHIH ,  陳建良 ,  CHEN, CHIEN LIANG ,  費中豪 ,  FEI, CHUNG HAU ,  張啟新 ,  CHANG, MAXI ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201403794A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102114964

申请日：2013-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本發明提供之半導體元件與其形成方法，具有五個閘極堆疊於基板的不同區域上。半導體元件包括半導體基板與隔離結構以分隔基板上的不同區域，這些區域包含p型場效電晶體核心區、輸入/輸出p型場效電晶體區、n型場效電晶體核心區、輸入/輸出n型場效電晶體區、與高電阻區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供之半导体组件与其形成方法，具有五个闸极堆栈于基板的不同区域上。半导体组件包括半导体基板与隔离结构以分隔基板上的不同区域，这些区域包含p型场效应管内核区、输入/输出p型场效应管区、n型场效应管内核区、输入/输出n型场效应管区、与高电阻区。