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公开(公告)号：TW201535682A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103145704
申请日：2014-12-26
Inventor： 徐晨祐 , HSU, CHERN YOW , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳 曉萌 , CHEN, XIAO-MENG , 王銓中 , WANG, CHEN JONG
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/90
Abstract: 半導體配置包括主動區，其包括半導體裝置。半導體配置包括電容。電容包括第一電極於主動區上的至少一介電層上。第一電極圍繞電容中的開口空間。第一電極具有非線性的第一電極側壁。
Abstract in simplified Chinese: 半导体配置包括主动区，其包括半导体设备。半导体配置包括电容。电容包括第一电极于主动区上的至少一介电层上。第一电极围绕电容中的开口空间。第一电极具有非线性的第一电极侧壁。
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公开(公告)号：TWI534884B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103101927
申请日：2014-01-20
Inventor： 吳麗嵐 , WU, LI LAN , 陳繼元 , CHEN, CHI YUAN , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 駱家駉 , LO, CARY CHIA CHIUNG , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 林正堂 , LIN, CHENG TUNG , 林國楹 , LIN, KUO YIN , 王立廷 , WANG, LI TING , 潘婉君 , PAN, WAN CHUN , 顏名良 , YEN, MING LIANG , 張惠政 , CHANG, HUICHENG
IPC: H01L21/306 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0206 , B82Y10/00 , H01L21/3105 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66772 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TW201608710A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104106961
申请日：2015-03-05
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MING CHYI
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本揭露之提供一種影像感測器及其形成方法。此影像感測器包括基板，其中基板包括畫素區，周邊區及交界區，且交界區形成於畫素區與周邊區之間。此影像感測器亦包括第一閘極堆疊結構形成於畫素區之中，以及第二閘極堆疊結構形成於周邊區之中。第二閘極堆疊結構包括高介電常數介電層及第一金屬層。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露之提供一种影像传感器及其形成方法。此影像传感器包括基板，其中基板包括像素区，周边区及交界区，且交界区形成于像素区与周边区之间。此影像传感器亦包括第一闸极堆栈结构形成于像素区之中，以及第二闸极堆栈结构形成于周边区之中。第二闸极堆栈结构包括高介电常数介电层及第一金属层。
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公开(公告)号：TW201515029A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103115768
申请日：2014-05-02
Inventor： 曾元泰 , TSENG, YUAN TAI , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 周仲彥 , CHOU, CHUNG YEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F1/0306 , H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F27/24 , H01F2017/0066 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本揭露提供一種電感結構與其形成方法。電感結構包括：一基板；一第一介電層形成在該基板之上；一第一金屬層形成在該第一介電層之中；一第二介電層形成在該第一金屬層之上；以及一磁性層形成在該第一介電層之上，其中該磁性層具有一上表面、一下表面與複數個側壁表面介於該上表面與該下表面之間，且其中該些側壁表面具有至少兩個交界點(intersection points)。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种电感结构与其形成方法。电感结构包括：一基板；一第一介电层形成在该基板之上；一第一金属层形成在该第一介电层之中；一第二介电层形成在该第一金属层之上；以及一磁性层形成在该第一介电层之上，其中该磁性层具有一上表面、一下表面与复数个侧壁表面介于该上表面与该下表面之间，且其中该些侧壁表面具有至少两个交界点(intersection points)。
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公开(公告)号：TWI543353B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW104106961
申请日：2015-03-05
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MING CHYI
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI537995B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103115768
申请日：2014-05-02
Inventor： 曾元泰 , TSENG, YUAN TAI , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 周仲彥 , CHOU, CHUNG YEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F1/0306 , H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F27/24 , H01F2017/0066 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI508147B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW101122589
申请日：2012-06-25
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MING CHYI
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L29/045 , H01L29/06 , H01L29/0653 , H01L29/66651
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公开(公告)号：TW201539730A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103146487
申请日：2014-12-31
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 曾元泰 , TSENG, YUAN TAI , 徐晨祐 , HSU, CHERN YOW , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
CPC classification number: H01L45/1691 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 本發明關於電阻隨機存取記憶體(RRAM)裝置結構，其包含單層的薄導電蝕刻停止層於較下方之金屬內連線與RRAM單元之底電極之間。導電蝕刻停止層可簡化結構，且其蝕刻選擇性可保護下方的層狀物。導電蝕刻停止層之蝕刻可採用乾蝕刻或濕蝕刻，以落在較下方之金屬內連線上。在某些例子中，較下方的金屬內連線為銅，而蝕刻導電蝕刻停止層之步驟會露出銅，但不似習知方法一樣產生許多非揮發的銅蝕刻副產物。與習知方法相較，某些實施例揭露的技術可減少遮罩步驟的數目，並在形成底電極時省略化學機械研磨製程。
Abstract in simplified Chinese: 本发明关于电阻随机存取内存(RRAM)设备结构，其包含单层的薄导电蚀刻停止层于较下方之金属内连接与RRAM单元之底电极之间。导电蚀刻停止层可简化结构，且其蚀刻选择性可保护下方的层状物。导电蚀刻停止层之蚀刻可采用干蚀刻或湿蚀刻，以落在较下方之金属内连接上。在某些例子中，较下方的金属内连接为铜，而蚀刻导电蚀刻停止层之步骤会露出铜，但不似习知方法一样产生许多非挥发的铜蚀刻副产物。与习知方法相较，某些实施例揭露的技术可减少遮罩步骤的数目，并在形成底电极时省略化学机械研磨制程。
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公开(公告)号：TW201436027A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103101927
申请日：2014-01-20
Inventor： 吳麗嵐 , WU, LI LAN , 陳繼元 , CHEN, CHI YUAN , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 駱家駉 , LO, CARY CHIA CHIUNG , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 林正堂 , LIN, CHENG TUNG , 林國楹 , LIN, KUO YIN , 王立廷 , WANG, LI TING , 潘婉君 , PAN, WAN CHUN , 顏名良 , YEN, MING LIANG , 張惠政 , CHANG, HUICHENG
IPC: H01L21/306 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0206 , B82Y10/00 , H01L21/3105 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66772 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/78696
Abstract: 本發明之一實施例揭露一種清洗氧化層的方法，其包括在半導體基底上形成由半導體材料所構成的磊晶層，在磊晶層上形成氧化層，且將含有氧化劑的溶液施加於氧化層上，並透過清洗液清洗氧化層。在另一實施例中，對氧化層進行緻密化製程，其包括透過熱能、紫外線能量或其組合對氧化層進行處理。在環繞式閘極裝置的實施例中，對位於鰭式結構的磊晶部份上的氧化層進行清洗製程。本發明亦揭露其他的方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之一实施例揭露一种清洗氧化层的方法，其包括在半导体基底上形成由半导体材料所构成的磊晶层，在磊晶层上形成氧化层，且将含有氧化剂的溶液施加于氧化层上，并透过清洗液清洗氧化层。在另一实施例中，对氧化层进行致密化制程，其包括透过热能、紫外线能量或其组合对氧化层进行处理。在环绕式闸极设备的实施例中，对位于鳍式结构的磊晶部份上的氧化层进行清洗制程。本发明亦揭露其他的方法。
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公开(公告)号：TWI451490B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW099139911
申请日：2007-02-07
Inventor： 劉源鴻 , LIU, YUAN HUNG , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 羅際興 , LO, CHI HSIN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
IPC: H01L21/306 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02274 , H01L21/02115 , H01L21/28273 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3146 , H01L21/76816 , H01L21/7682 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L28/91 , H01L29/42328 , H01L29/7881
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