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公开(公告)号：TWI692818B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108102517
申请日：2019-01-23
Inventor： 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 周正賢 , CHOU, CHENG-HSIEN , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN , 黃志輝 , HUANG, CHIH-HUI , 吳國銘 , WU, KUO-MING
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/538
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公开(公告)号：TW201737478A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105137979
申请日：2016-11-18
Inventor： 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 黃志輝 , HUANG, CHIH-HUI , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN , 杜友倫 , TU, YEUR-LUEN
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本揭露之某些實施例提供一種半導體結構，該半導體結構包括：一基板；一輻射感測區，其位於該基板中；及一溝槽，其位於該基板中且包含位於該溝槽之一內壁上方之一襯層、位於該襯層上方之一FSG層、位於該FSG層上方之一個氧化物層及位於該氧化物層上方之一反射材料。該半導體結構之該輻射感測區包括複數個輻射感測單元。該半導體結構之該溝槽將該等輻射感測單元中之至少兩者分離。該半導體結構之該FSG層包括至少2原子％游離氟及自約500埃至約1300埃之一厚度。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露之某些实施例提供一种半导体结构，该半导体结构包括：一基板；一辐射传感区，其位于该基板中；及一沟槽，其位于该基板中且包含位于该沟槽之一内壁上方之一衬层、位于该衬层上方之一FSG层、位于该FSG层上方之一个氧化物层及位于该氧化物层上方之一反射材料。该半导体结构之该辐射传感区包括复数个辐射传感单元。该半导体结构之该沟槽将该等辐射传感单元中之至少两者分离。该半导体结构之该FSG层包括至少2原子％游离氟及自约500埃至约1300埃之一厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201828461A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106115619
申请日：2017-05-11
Inventor： 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 周正賢 , CHOU, CHENG-HSIEN , 陳昇照 , CHEN, SHENG-CHAU , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN , 黃志輝 , HUANG, CHIH-HUI
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申請案實施例係關於一種用以簡化切割道開口填充製程且進一步改良導電墊製作製程之表面均勻性之方法。在一半導體基板上方形成一鈍化層，並穿過該鈍化層及該半導體基板形成一切割道開口。為了填充該切割道開口，在該切割道開口內於導電墊上方形成一第一介電層且該第一介電層延伸於該鈍化層上方。該第一介電層係藉由一選擇性沉積製程而形成，使得該第一介電層以大於其形成該鈍化層上之沉積速率的一沉積速率形成於該導電墊上。
Abstract in simplified Chinese: 本申请案实施例系关于一种用以简化切割道开口填充制程且进一步改良导电垫制作制程之表面均匀性之方法。在一半导体基板上方形成一钝化层，并穿过该钝化层及该半导体基板形成一切割道开口。为了填充该切割道开口，在该切割道开口内于导电垫上方形成一第一介电层且该第一介电层延伸于该钝化层上方。该第一介电层系借由一选择性沉积制程而形成，使得该第一介电层以大于其形成该钝化层上之沉积速率的一沉积速率形成于该导电垫上。
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公开(公告)号：TWI670863B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107121149
申请日：2018-06-20
Inventor： 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 陳春元 , CHEN, CHUN-YUAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO-HUI , 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 王昱仁 , WANG, YU-JEN , 吳尉壯 , WU, WEI CHUANG , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN
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公开(公告)号：TWI681567B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107120208
申请日：2018-06-12
Inventor： 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 陳奕男 , CHEN, I-NAN , 陳子祥 , CHEN, TZU-HSIANG , 王昱仁 , WANG, YU-JEN , 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 周正賢 , CHOU, CHENG-HSIEN , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN
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公开(公告)号：TW201919253A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107121149
申请日：2018-06-20
Inventor： 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 陳春元 , CHEN, CHUN-YUAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO-HUI , 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 王昱仁 , WANG, YU-JEN , 吳尉壯 , WU, WEI CHUANG , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本發明實施例係關於一種半導體影像感測器裝置，其包含一半導體基板、一輻射感測區及一第一隔離結構。該輻射感測區在該半導體基板中。該第一隔離結構在該半導體基板中且鄰近於該輻射感測區。該第一隔離結構包含在該半導體基板中之一底部隔離部分、在該半導體基板中之一上隔離部分，及包圍該上隔離部分之一側壁的一擴散阻障層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于一种半导体影像传感器设备，其包含一半导体基板、一辐射传感区及一第一隔离结构。该辐射传感区在该半导体基板中。该第一隔离结构在该半导体基板中且邻近于该辐射传感区。该第一隔离结构包含在该半导体基板中之一底部隔离部分、在该半导体基板中之一上隔离部分，及包围该上隔离部分之一侧壁的一扩散阻障层。
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公开(公告)号：TW201727882A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134356
申请日：2016-10-24
Inventor： 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 王俊智 , WANG, CHING-CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO-HUI , 黃志輝 , HUANG, CHIH-HUI , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN , 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 李昇展 , LI, SHENG-CHAN
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本發明實施例係關於一種具有改良之DTI結構之BSI影像感測器及一種相關聯之形成方法。在一些實施例中，該BSI影像感測器包括被放置在對應於複數個像素區之一基板內的複數個影像感測元件。一深溝槽隔離件(DTI)柵格被放置在鄰近影像感測元件之間且自該基板之一上表面延伸至該基板內的位置。該DTI柵格包括經放置在該基板之該上表面下方的氣隙，該等氣隙具有由一第一介電層包圍的下部分及由一第二介電層密封的一些上部分。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于一种具有改良之DTI结构之BSI影像传感器及一种相关联之形成方法。在一些实施例中，该BSI影像传感器包括被放置在对应于复数个像素区之一基板内的复数个影像传感组件。一深沟槽隔离件(DTI)栅格被放置在邻近影像传感组件之间且自该基板之一上表面延伸至该基板内的位置。该DTI栅格包括经放置在该基板之该上表面下方的气隙，该等气隙具有由一第一介电层包围的下部分及由一第二介电层密封的一些上部分。
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