公开(公告)号：TW201724480A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105138957

申请日：2016-11-25

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 高敏峰 ,  KAO, MIN-FENG ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN-NIAN ,  劉人誠 ,  LIU, JEN-CHENG ,  林政賢 ,  LIN, JENG-SHYAN ,  黃薰瑩 ,  HUANG, HSUN-YING ,  許慈軒 ,  HSU, TZU-HSUAN

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L25/03

CPC分类号： H01L27/14629 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469

摘要： 本發明實施例提供一種具有一反射器之前側照明式(FSI)影像感測器。一光偵測器埋置於一感測器基板中。一支撐基板配置於該感測器基板下方且接合至該感測器基板。該反射器配置於該光偵測器下方，介於該感測器基板與該支撐基板之間，且經組態以將入射輻射朝向該光偵測器反射。本發明實施例亦提供一種用於製造FSI影像感測器及反射器之方法。

简体摘要： 本发明实施例提供一种具有一反射器之前侧照明式(FSI)影像传感器。一光侦测器埋置于一传感器基板中。一支撑基板配置于该传感器基板下方且接合至该传感器基板。该反射器配置于该光侦测器下方，介于该传感器基板与该支撑基板之间，且经组态以将入射辐射朝向该光侦测器反射。本发明实施例亦提供一种用于制造FSI影像传感器及反射器之方法。

公开(公告)号：TW201729408A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105139138

申请日：2016-11-28

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 許慈軒 ,  HSU, TZU-HSUAN ,  王俊智 ,  WANG, CHING-CHUN ,  曾建賢 ,  TSENG, CHIEN-HSIEN ,  王銓中 ,  WANG, CHEN-JONG ,  洪豐基 ,  HUNG, FENG-CHI ,  許文義 ,  HSU, WEN-I

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

摘要： 提供一種用於偏壓背側深溝槽隔離(BDTI)及/或偏壓背側屏蔽之背側照明式(BSI)影像感測器。一光偵測器經配置於一半導體基板中、橫向毗鄰於該半導體基板中之一周邊開口。一互連結構經配置於該半導體基板下方。一墊結構經配置於該周邊開口中，且穿過該周邊開口之一下部表面突出至該互連結構。一導電層電經耦合至該墊結構，且自該墊結構上方朝向該光偵測器橫向延伸。亦提供一種用於製造該BSI影像感測器之方法。

简体摘要： 提供一种用于偏压背侧深沟槽隔离(BDTI)及/或偏压背侧屏蔽之背侧照明式(BSI)影像传感器。一光侦测器经配置于一半导体基板中、横向毗邻于该半导体基板中之一周边开口。一互链接构经配置于该半导体基板下方。一垫结构经配置于该周边开口中，且穿过该周边开口之一下部表面突出至该互链接构。一导电层电经耦合至该垫结构，且自该垫结构上方朝向该光侦测器横向延伸。亦提供一种用于制造该BSI影像传感器之方法。

公开(公告)号：TWI517369B

公开(公告)日：2016-01-11

申请号：TW102119881

申请日：2013-06-05

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 曾曉暉 ,  TSENG, HSIAO HUI ,  劉人誠 ,  LIU, JEN CHENG ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  許慈軒 ,  HSU, TZU HSUAN

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643

公开(公告)号：TWI509808B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW102132926

申请日：2013-09-12

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 高敏峰 ,  KAO, MIN FENG ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  劉人誠 ,  LIU, JEN CHENG ,  許慈軒 ,  HSU, TZU HSUAN ,  王文德 ,  WANG, WEN DE ,  許文義 ,  HSU, WEN I

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI496278B

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：TW102111825

申请日：2013-04-02

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 林政賢 ,  LIN, JENG SHYAN ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  劉人誠 ,  LIU, JEN CHENG ,  許慈軒 ,  HSU, TZU HSUAN ,  蔡雙吉 ,  TSAI, SHUANG JI ,  高敏峰 ,  KAO, MIN FENG

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463

公开(公告)号：TWI613816B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW102128419

申请日：2013-08-08

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 許文義 ,  HSU, WEN I ,  高敏峰 ,  KAO, MIN FENG ,  劉人誠 ,  LIU, JEN CHENG ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  許慈軒 ,  HSU, TZU HSUAN ,  王文德 ,  WANG, WEN DE

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/0649

公开(公告)号：TW201727883A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105134398

申请日：2016-10-25

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 王子睿 ,  WANG, TZU JUI ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  劉人誠 ,  LIU, JEN CHENG ,  許慈軒 ,  HSU, TZU HSUAN ,  山下雄一郎 ,  YAMASHITA, YUICHIRO

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： 本發明的實施例提供了一種影像感測器結構及其形成方法。影像感測器結構包括基板，該基板包括第一感光區域和第二感光區域。影像感測器結構還包括：隔離結構，穿過基板形成以使第一感光區域與第二感光區域分離；以及第一源極/汲極結構和第二源極/汲極結構，形成在基板的前側處。另外，第一源極/汲極結構和第二源極/汲極結構位於隔離結構的相對側處。影像感測器結構還包括：接觸插塞，形成在隔離結構上方並且形成在第一源極/汲極結構的一部分和第二源極/汲極結構的一部分上方。

简体摘要： 本发明的实施例提供了一种影像传感器结构及其形成方法。影像传感器结构包括基板，该基板包括第一感光区域和第二感光区域。影像传感器结构还包括：隔离结构，穿过基板形成以使第一感光区域与第二感光区域分离；以及第一源极/汲极结构和第二源极/汲极结构，形成在基板的前侧处。另外，第一源极/汲极结构和第二源极/汲极结构位于隔离结构的相对侧处。影像传感器结构还包括：接触插塞，形成在隔离结构上方并且形成在第一源极/汲极结构的一部分和第二源极/汲极结构的一部分上方。

公开(公告)号：TWI493717B

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：TW102110601

申请日：2013-03-26

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 高敏峰 ,  KAO, MIN FENG ,  陳思瑩 ,  CHEN, SZU YING ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  劉人誠 ,  LIU, JEN CHENG ,  許慈軒 ,  HSU, TZU HSUAN ,  洪豐基 ,  HUNG, FENG CHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/2652 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76229 ,  H01L23/544 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201409714A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102128419

申请日：2013-08-08

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 許文義 ,  HSU, WEN I ,  高敏峰 ,  KAO, MIN FENG ,  劉人誠 ,  LIU, JEN CHENG ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  許慈軒 ,  HSU, TZU HSUAN ,  王文德 ,  WANG, WEN DE

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/0649

摘要： 本發明揭露一種隔離半導體裝置的系統及方法，包括一隔離區，橫向區隔半導體裝置的源極/汲極區，且具有一介電材料，延伸於源極/汲極區之間的離子佈植隔離區上。形成隔離區的步驟包括：形成通過一基板上的一層結構的一開口，沿著開口的側壁沉積介電材料。接著，在基板內進行離子佈植製程，且以另一介電材料填充開口。

简体摘要： 本发明揭露一种隔离半导体设备的系统及方法，包括一隔离区，横向区隔半导体设备的源极/汲极区，且具有一介电材料，延伸于源极/汲极区之间的离子布植隔离区上。形成隔离区的步骤包括：形成通过一基板上的一层结构的一开口，沿着开口的侧壁沉积介电材料。接着，在基板内进行离子布植制程，且以另一介电材料填充开口。

公开(公告)号：TWI353052B

公开(公告)日：2011-11-21

申请号：TW096129360

申请日：2007-08-09

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 蕭國裕 ,  劉銘棋 ,  許慈軒 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

摘要： 一種半導體裝置的製造方法，包括下列步驟：提供一基板，該基板包含一第一表面以及一第二表面，其中至少有一影像感測器鄰接於該第一表面；利用一局部退火製程以活化在該半導體基板中鄰接該第二表面之一摻雜層；以及對該摻雜層進行一蝕刻製程。

简体摘要： 一种半导体设备的制造方法，包括下列步骤：提供一基板，该基板包含一第一表面以及一第二表面，其中至少有一影像传感器邻接于该第一表面；利用一局部退火制程以活化在该半导体基板中邻接该第二表面之一掺杂层；以及对该掺杂层进行一蚀刻制程。