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    安裝晶片的方法與安裝晶片的裝置
    2.
    发明专利
    安裝晶片的方法與安裝晶片的裝置 审中-公开
    安装芯片的方法与安装芯片的设备

    公开(公告)号：TW201622024A

    公开(公告)日：2016-06-16

    申请号：TW104139911

    申请日：2015-11-30

    申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

    发明人： 休勒 瓦金斯 賽巴斯提安 ,  SCHULER-WATKINS, SEBASTIAN ,  萊賢巴哈 拉夫 ,  REICHENBACH, RALF ,  貝爾 漢斯 彼德 ,  BAER, HANS-PETER

    IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/67

    CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83911 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15321 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0305 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10977 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665

    摘要： 一種安裝晶片的方法，包括以下步驟：提供一個具有一前側(V)及一後側(R)的載體基材(1)；將第一多數個組的第一種銲錫珠(L1)(L2),(L3)(L4)到該前側(V)上；將第二多數個組的晶片(C1)(C2)用倒裝晶片方法施加到該前側(V)上，其中各有一組第一種銲錫珠(L1)(L2),(L3)(L4)設在一相關晶片的周圍；將一種下填料(UF)施到該前側(V)上以將該晶片(C1)(C2)至少部分地下填，其中該下填料(UF)局部沈積到該第一銲錫珠(L1)(L2),(L3)(L4)上；做一道電漿清潔步驟，以將該下填料從該第一種銲錫珠(L1)(L2),(L3)(L4)至少部分地除去，其中該晶片(C1)(C2)至少保持部分下填充；且將該晶片(C1)(C2)與該各組的第一種銲錫珠(L1)(L2),(L3)(L4)及該載體基材(1)的一相關區域(1a)(1b)的複合物切分，此外關於一種一種安裝晶片的裝置，具有一載體基材(1)的一區域(1a)(1b)，其具有一前側(Va)(Vb)及一後側(Ra)(Rb)， 一晶片(C1)(C2)，其用導裝晶片方法設到該前側(Va)(Vb)，一組第一銲錫珠(L1)(L2),(L3)(L4)，設在晶片(C1)(C2)周圍，及一下充填部(UF)，充填到該前側(V)，它將該晶片(C1)(C2)至少部分地下充填，其中該下填充部(UF’)有一用電漿蝕刻的表面(DF)。

    简体摘要： 一种安装芯片的方法，包括以下步骤：提供一个具有一前侧(V)及一后侧(R)的载体基材(1)；将第一多数个组的第一种焊锡珠(L1)(L2),(L3)(L4)到该前侧(V)上；将第二多数个组的芯片(C1)(C2)用倒装芯片方法施加到该前侧(V)上，其中各有一组第一种焊锡珠(L1)(L2),(L3)(L4)设在一相关芯片的周围；将一种下填料(UF)施到该前侧(V)上以将该芯片(C1)(C2)至少部分地下填，其中该下填料(UF)局部沉积到该第一焊锡珠(L1)(L2),(L3)(L4)上；做一道等离子清洁步骤，以将该下填料从该第一种焊锡珠(L1)(L2),(L3)(L4)至少部分地除去，其中该芯片(C1)(C2)至少保持部分下填充；且将该芯片(C1)(C2)与该各组的第一种焊锡珠(L1)(L2),(L3)(L4)及该载体基材(1)的一相关区域(1a)(1b)的复合物切分，此外关于一种一种安装芯片的设备，具有一载体基材(1)的一区域(1a)(1b)，其具有一前侧(Va)(Vb)及一后侧(Ra)(Rb)， 一芯片(C1)(C2)，其用导装芯片方法设到该前侧(Va)(Vb)，一组第一焊锡珠(L1)(L2),(L3)(L4)，设在芯片(C1)(C2)周围，及一下充填部(UF)，充填到该前侧(V)，它将该芯片(C1)(C2)至少部分地下充填，其中该下填充部(UF’)有一用等离子蚀刻的表面(DF)。