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    半導體裝置
    2.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201308560A

    公开(公告)日：2013-02-16

    申请号：TW101117629

    申请日：2012-05-17

    申请人： 新力股份有限公司 ,  SONY CORPORATION

    发明人： 藤井宣年 ,  FUJII, NOBUTOSHI ,  香川惠永 ,  KAGAWA, YOSHIHISA

    IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L23/538

    CPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/522 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

    摘要： 本發明提供一種具有可靠性更高之接合面之半導體裝置。第1半導體裝置包含：第1配線層，其包含：第1層間絕緣膜；埋入於該第1層間絕緣膜內，且一表面與第1層間絕緣膜之一表面位於同一面上之第1電極墊；及埋入於第1層間絕緣膜內，且一表面與第1層間絕緣膜之一表面位於同一面上，並配設於第1電極墊的周圍之第1虛設電極；及第2配線層，其包含：位於第1層間絕緣膜的第1電極墊之一表面側之第2層間絕緣膜；埋入於第2層間絕緣膜內，且一表面與第2層間絕緣膜的第1層間絕緣膜側之表面位於同一表面，且接合於第1電極墊上之第2電極墊；及一表面與第2層間絕緣膜的第1層間絕緣膜側之表面位於同一面上，並配設於第2電極墊的周圍，且接合於第1虛設電極上之第2虛設電極。第2半導體裝置具備：第1半導體部，其具有形成於接合界面側的表面且在第1方向上延伸之第1電極；及第2半導體部，其具有於上述接合界面與第1電極接合且在與第1方向交叉之第2方向上延伸之第2電極，且於上述接合界面與第1半導體部貼合而設置。

    简体摘要： 本发明提供一种具有可靠性更高之接合面之半导体设备。第1半导体设备包含：第1配线层，其包含：第1层间绝缘膜；埋入于该第1层间绝缘膜内，且一表面与第1层间绝缘膜之一表面位于同一面上之第1电极垫；及埋入于第1层间绝缘膜内，且一表面与第1层间绝缘膜之一表面位于同一面上，并配设于第1电极垫的周围之第1虚设电极；及第2配线层，其包含：位于第1层间绝缘膜的第1电极垫之一表面侧之第2层间绝缘膜；埋入于第2层间绝缘膜内，且一表面与第2层间绝缘膜的第1层间绝缘膜侧之表面位于同一表面，且接合于第1电极垫上之第2电极垫；及一表面与第2层间绝缘膜的第1层间绝缘膜侧之表面位于同一面上，并配设于第2电极垫的周围，且接合于第1虚设电极上之第2虚设电极。第2半导体设备具备：第1半导体部，其具有形成于接合界面侧的表面且在第1方向上延伸之第1电极；及第2半导体部，其具有于上述接合界面与第1电极接合且在与第1方向交叉之第2方向上延伸之第2电极，且于上述接合界面与第1半导体部贴合而设置。

    攝像裝置
    3.
    发明专利
    攝像裝置 审中-公开
    摄像设备

    公开(公告)号：TW201832340A

    公开(公告)日：2018-09-01

    申请号：TW107118686

    申请日：2012-05-17

    申请人： 日商新力股份有限公司 ,  SONY CORPORATION

    发明人： 藤井宣年 ,  FUJII,NOBUTOSHI ,  香川惠永 ,  KAGAWA,YOSHIHISA

    IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L23/538

    摘要： 本發明提供一種具有可靠性更高之接合面之半導體裝置。第1半導體裝置包含：第1配線層，其包含：第1層間絕緣膜；埋入於該第1層間絕緣膜內，且一表面與第1層間絕緣膜之一表面位於同一面上之第1電極墊；及埋入於第1層間絕緣膜內，且一表面與第1層間絕緣膜之一表面位於同一面上，並配設於第1電極墊的周圍之第1虛設電極；及第2配線層，其包含：位於第1層間絕緣膜的第1電極墊之一表面側之第2層間絕緣膜；埋入於第2層間絕緣膜內，且一表面與第2層間絕緣膜的第1層間絕緣膜側之表面位於同一表面，且接合於第1電極墊上之第2電極墊；及一表面與第2層間絕緣膜的第1層間絕緣膜側之表面位於同一面上，並配設於第2電極墊的周圍，且接合於第1虛設電極上之第2虛設電極。第2半導體裝置具備：第1半導體部，其具有形成於接合界面側的表面且在第1方向上延伸之第1電極；及第2半導體部，其具有於上述接合界面與第1電極接合且在與第1方向交叉之第2方向上延伸之第2電極，且於上述接合界面與第1半導體部貼合而設置。

    简体摘要： 本发明提供一种具有可靠性更高之接合面之半导体设备。第1半导体设备包含：第1配线层，其包含：第1层间绝缘膜；埋入于该第1层间绝缘膜内，且一表面与第1层间绝缘膜之一表面位于同一面上之第1电极垫；及埋入于第1层间绝缘膜内，且一表面与第1层间绝缘膜之一表面位于同一面上，并配设于第1电极垫的周围之第1虚设电极；及第2配线层，其包含：位于第1层间绝缘膜的第1电极垫之一表面侧之第2层间绝缘膜；埋入于第2层间绝缘膜内，且一表面与第2层间绝缘膜的第1层间绝缘膜侧之表面位于同一表面，且接合于第1电极垫上之第2电极垫；及一表面与第2层间绝缘膜的第1层间绝缘膜侧之表面位于同一面上，并配设于第2电极垫的周围，且接合于第1虚设电极上之第2虚设电极。第2半导体设备具备：第1半导体部，其具有形成于接合界面侧的表面且在第1方向上延伸之第1电极；及第2半导体部，其具有于上述接合界面与第1电极接合且在与第1方向交叉之第2方向上延伸之第2电极，且于上述接合界面与第1半导体部贴合而设置。

    半導體裝置、半導體裝置之製造方法及電子機器
    5.
    发明专利
    半導體裝置、半導體裝置之製造方法及電子機器 审中-公开
    半导体设备、半导体设备之制造方法及电子机器

    公开(公告)号：TW201401494A

    公开(公告)日：2014-01-01

    申请号：TW102120415

    申请日：2013-06-07

    申请人： 新力股份有限公司 ,  SONY CORPORATION

    发明人： 藤井宣年 ,  FUJII, NOBUTOSHI ,  青柳健一 ,  AOYAGI, KENICHI

    IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L31/02

    CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/1469 ,  H04N5/2254

    摘要： 本揭示之目的在於：在具有積層有複數個基板之3維構造之固體攝像裝置等之半導體裝置中，謀求耐熱性、耐擴散性之提高，從而謀求可靠性之提高。又，本發明提供該半導體裝置之製造方法、以及包含該半導體裝置之電子機器。本揭示之半導體裝置包含：第1基板，其包含具有自第1層間絕緣膜突出特定量之第1連接電極之第1配線層；及第2基板，其包含具有自第2層間絕緣膜突出特定量之第2連接電極之第2配線層。而且，於第1基板與第2基板之貼合面上，第1連接電極與第2連接電極接合，且於積層方向上相對之第1層間絕緣膜與第2層間絕緣膜以至少一部分接合。

    简体摘要： 本揭示之目的在于：在具有积层有复数个基板之3维构造之固体摄像设备等之半导体设备中，谋求耐热性、耐扩散性之提高，从而谋求可靠性之提高。又，本发明提供该半导体设备之制造方法、以及包含该半导体设备之电子机器。本揭示之半导体设备包含：第1基板，其包含具有自第1层间绝缘膜突出特定量之第1连接电极之第1配线层；及第2基板，其包含具有自第2层间绝缘膜突出特定量之第2连接电极之第2配线层。而且，于第1基板与第2基板之贴合面上，第1连接电极与第2连接电极接合，且于积层方向上相对之第1层间绝缘膜与第2层间绝缘膜以至少一部分接合。