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公开(公告)号：TW201308560A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101117629
申请日：2012-05-17
申请人： 新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人： 藤井宣年 , FUJII, NOBUTOSHI , 香川惠永 , KAGAWA, YOSHIHISA
IPC分类号： H01L23/535 , H01L23/538
CPC分类号： H01L23/498 , H01L23/49866 , H01L23/522 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/06131 , H01L2224/06133 , H01L2224/0616 , H01L2224/06517 , H01L2224/08123 , H01L2224/08147 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本發明提供一種具有可靠性更高之接合面之半導體裝置。第1半導體裝置包含：第1配線層，其包含：第1層間絕緣膜；埋入於該第1層間絕緣膜內，且一表面與第1層間絕緣膜之一表面位於同一面上之第1電極墊；及埋入於第1層間絕緣膜內，且一表面與第1層間絕緣膜之一表面位於同一面上，並配設於第1電極墊的周圍之第1虛設電極；及第2配線層，其包含：位於第1層間絕緣膜的第1電極墊之一表面側之第2層間絕緣膜；埋入於第2層間絕緣膜內，且一表面與第2層間絕緣膜的第1層間絕緣膜側之表面位於同一表面，且接合於第1電極墊上之第2電極墊；及一表面與第2層間絕緣膜的第1層間絕緣膜側之表面位於同一面上，並配設於第2電極墊的周圍，且接合於第1虛設電極上之第2虛設電極。第2半導體裝置具備：第1半導體部，其具有形成於接合界面側的表面且在第1方向上延伸之第1電極；及第2半導體部，其具有於上述接合界面與第1電極接合且在與第1方向交叉之第2方向上延伸之第2電極，且於上述接合界面與第1半導體部貼合而設置。
简体摘要： 本发明提供一种具有可靠性更高之接合面之半导体设备。第1半导体设备包含：第1配线层，其包含：第1层间绝缘膜；埋入于该第1层间绝缘膜内，且一表面与第1层间绝缘膜之一表面位于同一面上之第1电极垫；及埋入于第1层间绝缘膜内，且一表面与第1层间绝缘膜之一表面位于同一面上，并配设于第1电极垫的周围之第1虚设电极；及第2配线层，其包含：位于第1层间绝缘膜的第1电极垫之一表面侧之第2层间绝缘膜；埋入于第2层间绝缘膜内，且一表面与第2层间绝缘膜的第1层间绝缘膜侧之表面位于同一表面，且接合于第1电极垫上之第2电极垫；及一表面与第2层间绝缘膜的第1层间绝缘膜侧之表面位于同一面上，并配设于第2电极垫的周围，且接合于第1虚设电极上之第2虚设电极。第2半导体设备具备：第1半导体部，其具有形成于接合界面侧的表面且在第1方向上延伸之第1电极；及第2半导体部，其具有于上述接合界面与第1电极接合且在与第1方向交叉之第2方向上延伸之第2电极，且于上述接合界面与第1半导体部贴合而设置。
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公开(公告)号：TW201533868A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103144819
申请日：2014-12-22
发明人： 劉丙寅 , LIU, PINGYIN , 匡訓沖 , KUANG, HSUNCHUNG , 蕭清泰 , HSIAO, CHENGTAI , 黃信華 , HUANG, XINHUA , 趙蘭璘 , CHAO, LANLIN
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L2224/02181 , H01L2224/0219 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/0516 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05559 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06517 , H01L2224/08147 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/8084 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/8192 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/80001
摘要： 一種半導體裝置與其製備方法。在部分實施方式中，一或多個保護層形成於一第一基板上。接著形成凹陷於保護層中，再形成一或多個導電墊於凹陷中。一或多個阻障層位於保護層與導電墊之間。其中，第一基板的導電墊對準第二基板的導電墊，且第一基板以直接接合方式與第二基板接合。
简体摘要： 一种半导体设备与其制备方法。在部分实施方式中，一或多个保护层形成于一第一基板上。接着形成凹陷于保护层中，再形成一或多个导电垫于凹陷中。一或多个阻障层位于保护层与导电垫之间。其中，第一基板的导电垫对准第二基板的导电垫，且第一基板以直接接合方式与第二基板接合。
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公开(公告)号：TWI437649B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW099130260
申请日：2010-09-08
发明人： 岩津春生 , IWATSU, HARUO
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/94 , B23K1/0016 , B23K2201/40 , H01L21/76898 , H01L23/544 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/06181 , H01L2224/06517 , H01L2224/1131 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/75 , H01L2224/81002 , H01L2224/81011 , H01L2224/81054 , H01L2224/81143 , H01L2224/81801 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0001 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
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公开(公告)号：TWI578484B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW101117629
申请日：2012-05-17
申请人： 新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人： 藤井宣年 , FUJII, NOBUTOSHI , 香川惠永 , KAGAWA, YOSHIHISA
IPC分类号： H01L23/535 , H01L23/538
CPC分类号： H01L23/498 , H01L23/49866 , H01L23/522 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/06131 , H01L2224/06133 , H01L2224/0616 , H01L2224/06517 , H01L2224/08123 , H01L2224/08147 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201707180A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105131747
申请日：2012-05-17
申请人： 新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人： 藤井宣年 , FUJII, NOBUTOSHI , 香川惠永 , KAGAWA, YOSHIHISA
IPC分类号： H01L23/535 , H01L23/538
CPC分类号： H01L23/498 , H01L23/49866 , H01L23/522 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/06131 , H01L2224/06133 , H01L2224/0616 , H01L2224/06517 , H01L2224/08123 , H01L2224/08147 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本發明提供一種具有可靠性更高之接合面之半導體裝置。第1半導體裝置包含：第1配線層，其包含：第1層間絕緣膜；埋入於該第1層間絕緣膜內，且一表面與第1層間絕緣膜之一表面位於同一面上之第1電極墊；及埋入於第1層間絕緣膜內，且一表面與第1層間絕緣膜之一表面位於同一面上，並配設於第1電極墊的周圍之第1虛設電極；及第2配線層，其包含：位於第1層間絕緣膜的第1電極墊之一表面側之第2層間絕緣膜；埋入於第2層間絕緣膜內，且一表面與第2層間絕緣膜的第1層間絕緣膜側之表面位於同一表面，且接合於第1電極墊上之第2電極墊；及一表面與第2層間絕緣膜的第1層間絕緣膜側之表面位於同一面上，並配設於第2電極墊的周圍，且接合於第1虛設電極上之第2虛設電極。第2半導體裝置具備：第1半導體部，其具有形成於接合界面側的表面且在第1方向上延伸之第1電極；及第2半導體部，其具有於上述接合界面與第1電極接合且在與第1方向交叉之第2方向上延伸之第2電極，且於上述接合界面與第1半導體部貼合而設置。
简体摘要： 本发明提供一种具有可靠性更高之接合面之半导体设备。第1半导体设备包含：第1配线层，其包含：第1层间绝缘膜；埋入于该第1层间绝缘膜内，且一表面与第1层间绝缘膜之一表面位于同一面上之第1电极垫；及埋入于第1层间绝缘膜内，且一表面与第1层间绝缘膜之一表面位于同一面上，并配设于第1电极垫的周围之第1虚设电极；及第2配线层，其包含：位于第1层间绝缘膜的第1电极垫之一表面侧之第2层间绝缘膜；埋入于第2层间绝缘膜内，且一表面与第2层间绝缘膜的第1层间绝缘膜侧之表面位于同一表面，且接合于第1电极垫上之第2电极垫；及一表面与第2层间绝缘膜的第1层间绝缘膜侧之表面位于同一面上，并配设于第2电极垫的周围，且接合于第1虚设电极上之第2虚设电极。第2半导体设备具备：第1半导体部，其具有形成于接合界面侧的表面且在第1方向上延伸之第1电极；及第2半导体部，其具有于上述接合界面与第1电极接合且在与第1方向交叉之第2方向上延伸之第2电极，且于上述接合界面与第1半导体部贴合而设置。
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公开(公告)号：TWI569389B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW103144819
申请日：2014-12-22
发明人： 劉丙寅 , LIU, PINGYIN , 匡訓沖 , KUANG, HSUNCHUNG , 蕭清泰 , HSIAO, CHENGTAI , 黃信華 , HUANG, XINHUA , 趙蘭璘 , CHAO, LANLIN
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L2224/02181 , H01L2224/0219 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/0516 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05559 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06517 , H01L2224/08147 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/8084 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/8192 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/80001
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公开(公告)号：TW201131674A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099130260
申请日：2010-09-08
申请人： 東京威力科創股份有限公司
发明人： 岩津春生
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/94 , B23K1/0016 , B23K2201/40 , H01L21/76898 , H01L23/544 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/06181 , H01L2224/06517 , H01L2224/1131 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/75 , H01L2224/81002 , H01L2224/81011 , H01L2224/81054 , H01L2224/81143 , H01L2224/81801 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0001 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
摘要： 本發明揭示一種半導體裝置之製造方法,係層積第1基板與第2基板,並將形成於該第1基板上之第1電極焊墊與形成於該第2基板上且對應於該第1電極焊墊之第2電極焊墊做電連接來形成半導體裝置。該製造方法包含以下步驟:第1親水化處理步驟,係對該第1電極焊墊進行親水化處理;液體供給步驟,係供給液體至該第1基板上形成有該第1電極焊墊的面;及載置步驟,係使形成有該第1電極焊墊之面與形成有該第2電極焊墊之面互相對向地來將該第2基板載置在供給有該液體的該第1基板上。該載置步驟中,係藉由該液體來將該第1電極焊墊與該第2電極焊墊加以對位。
简体摘要： 本发明揭示一种半导体设备之制造方法,系层积第1基板与第2基板,并将形成于该第1基板上之第1电极焊垫与形成于该第2基板上且对应于该第1电极焊垫之第2电极焊垫做电连接来形成半导体设备。该制造方法包含以下步骤:第1亲水化处理步骤,系对该第1电极焊垫进行亲水化处理;液体供给步骤,系供给液体至该第1基板上形成有该第1电极焊垫的面;及载置步骤,系使形成有该第1电极焊垫之面与形成有该第2电极焊垫之面互相对向地来将该第2基板载置在供给有该液体的该第1基板上。该载置步骤中,系借由该液体来将该第1电极焊垫与该第2电极焊垫加以对位。
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