公开(公告)号：TW201743420A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW105117422

申请日：2016-06-02

申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

发明人： 莊詠程 ,  CHUANG, YONG CHENG ,  張家維 ,  CHANG, CHIA WEI

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/19 ,  H01L24/43 ,  H01L24/46 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 揭示一種薄型扇出式多晶片堆疊封裝構造，包含相互堆疊之複數個晶片，當晶片堆疊，該些晶片之電極與上晶片之主動面為顯露。虛置間隔片設置於主動面上。每一銲線各具有一接合至晶片電極之接合線頭與一體連接之垂直線段。封膠體密封晶片堆疊體與銲線並具有一平坦面，銲線之複數個研磨斷面與虛置間隔片之一表面顯露於平坦面。重配置線路結構形成於平坦面上，保護層覆蓋平坦面與虛置間隔片之表面但顯露出研磨斷面，扇出線路形成於保護層上並連接至研磨斷面。因此，可以改善垂直銲線模封沖線之問題。

简体摘要： 揭示一种薄型扇出式多芯片堆栈封装构造，包含相互堆栈之复数个芯片，当芯片堆栈，该些芯片之电极与上芯片之主动面为显露。虚置间隔片设置于主动面上。每一焊线各具有一接合至芯片电极之接合线头与一体连接之垂直线段。封胶体密封芯片堆栈体与焊线并具有一平坦面，焊线之复数个研磨断面与虚置间隔片之一表面显露于平坦面。重配置线路结构形成于平坦面上，保护层覆盖平坦面与虚置间隔片之表面但显露出研磨断面，扇出线路形成于保护层上并连接至研磨断面。因此，可以改善垂直焊线模封冲线之问题。

公开(公告)号：TWI605559B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW104112804

申请日：2015-04-21

申请人： 新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. ,  日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION

发明人： 小山田哲哉 ,  OYAMADA, TETSUYA ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO ,  出合博之 ,  DEAI, HIROYUKI

IPC分类号： H01L23/49 ,  C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/302 ,  B32B15/018 ,  B32B15/20 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033

公开(公告)号：TWI589713B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104120028

申请日：2015-06-22

申请人： 賀利氏德國有限責任兩合公司 ,  HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

发明人： 薩蘭加帕尼 穆拉利 ,  SARANGAPANI, MURALI ,  張 兮 ,  ZHANG, XI ,  楊 平熹 ,  YEUNG, PING HA ,  米爾克 歐根 ,  MILKE, EUGEN

IPC分类号： C22C9/00 ,  B21C1/00 ,  B21F15/02 ,  B21F15/10

CPC分类号： H01L24/45 ,  B21C1/003 ,  B21C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43985 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

公开(公告)号：TW201719842A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105124289

申请日：2016-08-01

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 楊明憲 ,  YANG, MING HSIEN ,  王俊智 ,  WANG, CHING CHUN ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  洪豐基 ,  HUNG, FENG CHI ,  黃信耀 ,  HUANG, SIN YAO

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/43 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L27/14634 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/32 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01029

摘要： 提供一半導體元件結構。半導體元件結構包括一第一半導體基板，第一半導體基板具有一第一表面、一第二表面、以及一凹槽。第二表面相對於第一表面。凹槽貫穿第一半導體基板。半導體元件結構包括一第一線路層，第一線路層係位於第二表面上。半導體元件結構包括第一接墊，第一接墊位於凹槽中並延伸至第一線路層以電性連接至第一線路層。半導體元件結構包括一鎳層，鎳層位於第一接墊上。半導體元件結構包括一金層，金層位於鎳層上。

简体摘要： 提供一半导体组件结构。半导体组件结构包括一第一半导体基板，第一半导体基板具有一第一表面、一第二表面、以及一凹槽。第二表面相对于第一表面。凹槽贯穿第一半导体基板。半导体组件结构包括一第一线路层，第一线路层系位于第二表面上。半导体组件结构包括第一接垫，第一接垫位于凹槽中并延伸至第一线路层以电性连接至第一线路层。半导体组件结构包括一镍层，镍层位于第一接垫上。半导体组件结构包括一金层，金层位于镍层上。

公开(公告)号：TW201717214A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105140437

申请日：2015-07-24

申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION ,  新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 山田隆 ,  YAMADA, TAKASHI ,  小田大造 ,  ODA, DAIZO ,  榛原照男 ,  HAIBARA, TERUO ,  大石良 ,  OISHI, RYO ,  齋藤和之 ,  SAITO, KAZUYUKI ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01L23/48

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

摘要： 本發明係於具有Cu合金芯材與形成於其表面之Pd被覆層之半導體裝置用接合導線，謀求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、與耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之併存。 藉由於導線中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1種以上總計0.03~2質量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，進而藉由於對於接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面測定結晶方位之結果中，將導線長度方向之結晶方位中、相對於導線長度方向而角度差為15度以下的結晶方位 之方位比率設為50%以上，且將接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面中之平均結晶粒徑設為0.9~1.3μm，而使耐力比為1.6以下。

简体摘要： 本发明系于具有Cu合金芯材与形成于其表面之Pd被覆层之半导体设备用接合导线，谋求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、与耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之并存。 借由于导线中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1种以上总计0.03~2质量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，进而借由于对于接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面测定结晶方位之结果中，将导线长度方向之结晶方位中、相对于导线长度方向而角度差为15度以下的结晶方位<100>之方位比率设为50%以上，且将接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面中之平均结晶粒径设为0.9~1.3μm，而使耐力比为1.6以下。

公开(公告)号：TWI582917B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW104124602

申请日：2015-07-29

申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

发明人： 張家維 ,  CHANG, CHIA WEI ,  林國鼎 ,  LIN, KUO TING

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201715658A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105120113

申请日：2016-06-27

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEC INC.

发明人： 陳瑩真 ,  YIN-CHEN, CHEN ,  廖健良 ,  JAN-LIAN, LIAO ,  黃銘傑 ,  MING-CHIEH, HUANG ,  陳智偉 ,  JYH-WEI, CHEN ,  林錫堅 ,  HSI-CHIEN, LIN

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0605 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099

摘要： 本發明乃提出一種新的晶片尺寸等級的感測晶片封裝體以及其製造方法，藉由導入一暫時性載板，使得一厚度較薄的蓋板晶圓可以覆蓋於感測晶圓上，待晶圓級封裝製程完成後，便可剝離該暫時性載板，使得所獲得的晶片尺寸等級的感測晶片上的蓋板變薄，故可增加晶片尺寸等級的感測晶片封裝體的靈敏性。

简体摘要： 本发明乃提出一种新的芯片尺寸等级的传感芯片封装体以及其制造方法，借由导入一暂时性载板，使得一厚度较薄的盖板晶圆可以覆盖于传感晶圆上，待晶圆级封装制程完成后，便可剥离该暂时性载板，使得所获得的芯片尺寸等级的传感芯片上的盖板变薄，故可增加芯片尺寸等级的传感芯片封装体的灵敏性。

公开(公告)号：TW201707009A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW104130999

申请日：2015-09-18

申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION ,  新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 小田大造 ,  ODA, DAIZO ,  江藤基稀 ,  ETO, MOTOKI ,  齋藤和之 ,  SAITO, KAZUYUKI ,  榛原照男 ,  HAIBARA, TERUO ,  大石良 ,  OISHI, RYO ,  山田隆 ,  YAMADA, TAKASHI ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO

IPC分类号： H01B1/02

CPC分类号： H01L24/45 ,  B32B15/00 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01033

摘要： 本發明提供一種接合線，其係於表面具有Pd被覆層之Cu接合線，且改善高溫高濕環境下之球接合部之接合可靠性，適合於車載用元件。 於具有Cu合金芯材、及形成於上述Cu合金芯材之表面之Pd被覆層之半導體裝置用接合線中，接合線包含合計為0.011~1.2質量%之Ga、Ge。藉此，可提昇高溫高濕環境下之球接合部之接合壽命，改善接合可靠性。較佳為Pd被覆層之厚度為0.015~0.150μm。若接合線進而含有分別為0.011~1.2質量%之Ni、Ir、Pt之1種以上，則可提昇175℃以上之高溫環境下之球接合部可靠性。又，若於Pd被覆層之表面進而形成包含Au及Pd之合金表皮層，則會改善楔接合性。

简体摘要： 本发明提供一种接合线，其系于表面具有Pd被覆层之Cu接合线，且改善高温高湿环境下之球接合部之接合可靠性，适合于车载用组件。 于具有Cu合金芯材、及形成于上述Cu合金芯材之表面之Pd被覆层之半导体设备用接合线中，接合线包含合计为0.011~1.2质量%之Ga、Ge。借此，可提升高温高湿环境下之球接合部之接合寿命，改善接合可靠性。较佳为Pd被覆层之厚度为0.015~0.150μm。若接合线进而含有分别为0.011~1.2质量%之Ni、Ir、Pt之1种以上，则可提升175℃以上之高温环境下之球接合部可靠性。又，若于Pd被覆层之表面进而形成包含Au及Pd之合金表皮层，则会改善楔接合性。

公开(公告)号：TW201705431A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105117074

申请日：2016-05-31

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 阮 紅孟 ,  NGUYEN, HOANG MONG ,  赫瑞拉 路易斯 艾瓦多 ,  HERRERA, LUIS EDUARDO ,  剛札雷茲 佛羅雷斯 瑟吉歐 喬群 ,  GONZALEZ FLORES, SERGIO JOAQUIN ,  瑞德 麥修 尚 ,  READ, MATTHEW SEAN ,  洛彼安可 安東尼 詹姆斯 ,  LOBIANCO, ANTHONY JAMES ,  歐蘇那 赫利多羅 ,  OSUNA, HELIODORO

IPC分类号： H01L23/552 ,  H05K9/00 ,  H04B1/38

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/566 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49 ,  H01L23/66 ,  H01L24/29 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85

摘要： 本發明揭示一種用於製造一射頻(RF)模組之方法，該方法包括：形成或提供包括一封裝基板及經裝配於其上之一RF組件之一第一總成，該第一總成進一步包括關於該RF組件而形成之一或多個屏蔽焊線；及在該封裝基板上方形成一外模，以基本上囊封該RF組件及該一或多個屏蔽焊線，藉由包括在一方向上減小經熔化樹脂之一體積之壓縮模製而形成之該外模製具有垂直於由該封裝基板定義之一平面之一組件。

简体摘要： 本发明揭示一种用于制造一射频(RF)模块之方法，该方法包括：形成或提供包括一封装基板及经装配于其上之一RF组件之一第一总成，该第一总成进一步包括关于该RF组件而形成之一或多个屏蔽焊线；及在该封装基板上方形成一外模，以基本上囊封该RF组件及该一或多个屏蔽焊线，借由包括在一方向上减小经熔化树脂之一体积之压缩模制而形成之该外模制具有垂直于由该封装基板定义之一平面之一组件。

公开(公告)号：TW201705386A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW104124602

申请日：2015-07-29

申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

发明人： 張家維 ,  CHANG, CHIA WEI ,  林國鼎 ,  LIN, KUO TING

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： 揭示一種以封膠體取代基板核心之多晶片封裝構造，包含晶片堆疊體、內重配置線路層、晶片互連元件、在內重配置線路層上之金屬柱、密封晶片堆疊體與晶片互連元件之封膠體、外重配置線路層以及複數個設置封膠體周邊之縱向導通機構。內重配置線路層形成於晶片堆疊體之一主動面上，晶片互連元件具有一超過主動面之線弧段，外重配置線路層完整形成於封膠體之平坦面上。封膠體具有一覆蓋於內重配置線路層之覆線厚度，藉以密封線弧段與金屬柱並使金屬柱之端面顯露於平坦面，達到省略基板厚度之超薄型晶片堆疊並可應用於封裝堆疊裝置之功效。

简体摘要： 揭示一种以封胶体取代基板内核之多芯片封装构造，包含芯片堆栈体、内重配置线路层、芯片互连组件、在内重配置线路层上之金属柱、密封芯片堆栈体与芯片互连组件之封胶体、外重配置线路层以及复数个设置封胶体周边之纵向导通机构。内重配置线路层形成于芯片堆栈体之一主动面上，芯片互连组件具有一超过主动面之线弧段，外重配置线路层完整形成于封胶体之平坦面上。封胶体具有一覆盖于内重配置线路层之覆线厚度，借以密封线弧段与金属柱并使金属柱之端面显露于平坦面，达到省略基板厚度之超薄型芯片堆栈并可应用于封装堆栈设备之功效。