公开(公告)号：TW201826509A

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：TW106130878

申请日：2017-09-08

Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/12

Abstract: 本發明的一個實施方式的目的是提供一種新穎的顯示裝置。該顯示裝置包括像素部以及驅動該像素部的驅動電路，驅動電路包括雙閘極結構的第一電晶體，像素部包括單閘極結構的第二電晶體及與第二電晶體電連接的像素電極。第一電晶體及第二電晶體的每一個包括具有通道的功能的第一金屬氧化物膜。各金屬氧化物膜包括第一區域及第二區域，第一區域包含In或者Zn、以及氧，第二區域包含In或者元素M、以及氧，並且，第一區域及第二區域以馬賽克狀分散或者分佈。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种新颖的显示设备。该显示设备包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路，驱动电路包括双闸极结构的第一晶体管，像素部包括单闸极结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括具有信道的功能的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域，第一区域包含In或者Zn、以及氧，第二区域包含In或者元素M、以及氧，并且，第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。

公开(公告)号：TWI686899B

公开(公告)日：2020-03-01

申请号：TW104113295

申请日：2015-04-24

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  G06F3/041

公开(公告)号：TW202004309A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108136274

申请日：2014-12-22

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA

IPC: G02F1/1362 ,  H01L29/786

Abstract: 本發明的一個方式提供包括使用氧化物半導體並通態電流大的電晶體的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：設置在驅動電路部中的第一電晶體；以及設置在像素部中的第二電晶體，其中，第一電晶體的結構和第二電晶體的結構互不相同。此外，第一電晶體及第二電晶體為頂閘極結構的電晶體，閘極電極不與被用作源極電極及汲極電極的導電膜重疊。此外，在氧化物半導體膜中，在不與閘極電極、源極電極及汲極電極重疊的區域中具有雜質元素。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶闸极结构的晶体管，闸极电极不与被用作源极电极及汲极电极的导电膜重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与闸极电极、源极电极及汲极电极重叠的区域中具有杂质元素。

公开(公告)号：TWI645568B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：TW104106352

申请日：2015-02-26

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TWI645566B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：TW103141189

申请日：2014-11-27

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/66

公开(公告)号：TW201838179A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106112076

申请日：2017-04-11

Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  島行德 ,  SHIMA, YUKINORI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30

Abstract: 本發明提供一種電特性良好的半導體裝置、可靠性高的半導體裝置、功耗低的半導體裝置。本發明是一種半導體裝置，包括：閘極電極；閘極電極上的第一絕緣層；第一絕緣層上的金屬氧化物層；金屬氧化物層上的一對電極；以及一對電極上的第二絕緣層，其中，第一絕緣層包括第一區域及第二區域，第一區域與金屬氧化物層接觸，且包括其氧含量比第二區域多的區域，第二區域包括其氮含量比第一區域多的區域，金屬氧化物層在膜厚度方向上至少具有氧的濃度梯度，並且，氧濃度在第一區域一側及第二絕緣層一側較高。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电特性良好的半导体设备、可靠性高的半导体设备、功耗低的半导体设备。本发明是一种半导体设备，包括：闸极电极；闸极电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

公开(公告)号：TWI614813B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW103101162

申请日：2014-01-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201804621A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106125761

申请日：2013-07-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  栃林克明 ,  TOCHIBAYASHI, KATSUAKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/78606 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G06F3/0412 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/15 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的一個方式抑制在將氧化物半導體用於半導體膜的電晶體上包括層間絕緣膜的半導體裝置的電特性的變動。本發明的一個方式包括：在半導體膜上的由源極電極及汲極電極形成的步階區域具有空隙部，且作為成分包含氧化矽的第一絕緣膜；以及以堵住第一絕緣膜的空隙部的方式與第一絕緣膜接觸地設置且作為成分包含氮化矽的第二絕緣膜。藉由採用該結構，可以防止產生在第一絕緣膜中的空隙部進一步擴大到外側。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式抑制在将氧化物半导体用于半导体膜的晶体管上包括层间绝缘膜的半导体设备的电特性的变动。本发明的一个方式包括：在半导体膜上的由源极电极及汲极电极形成的步阶区域具有空隙部，且作为成分包含氧化硅的第一绝缘膜；以及以堵住第一绝缘膜的空隙部的方式与第一绝缘膜接触地设置且作为成分包含氮化硅的第二绝缘膜。借由采用该结构，可以防止产生在第一绝缘膜中的空隙部进一步扩大到外侧。

公开(公告)号：TWI596772B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW102122702

申请日：2013-06-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  宮本敏行 ,  MIYAMOTO, TOSHIYUKI ,  野村昌史 ,  NOMURA, MASAFUMI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869

公开(公告)号：TWI594326B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW101107922

申请日：2012-03-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  大野普司 ,  OHNO, SHINJI ,  佐藤優一 ,  SATO, YUICHI ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696