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    半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
    1.
    发明专利
    半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备以及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201834249A

    公开(公告)日：2018-09-16

    申请号：TW106143008

    申请日：2017-12-07

    Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  遠藤佑太 ,  ENDO, YUTA ,  及川欣聡 ,  OIKAWA, YOSHIAKI

    IPC: H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

    Abstract: 本發明提供一種電特性良好的半導體裝置。本發明的半導體裝置包括：基板上的第一導電體、第一導電體上的第一絕緣體、第一絕緣體上的氧化物、氧化物上的第二絕緣體、第二絕緣體上的第二導電體、第二導電體上的第三絕緣體、與第二絕緣體的側面、第二導電體的側面及第三絕緣體的側面接觸的第四絕緣體、以及與氧化物、第一絕緣體及第四絕緣體接觸的第五絕緣體。第一絕緣體和第五絕緣體在氧化物一側的周邊區域中接觸。氧化物包括形成有通道的第一區域、相鄰於第一區域的第二區域、相鄰於第二區域的第三區域以及相鄰於第三區域的第四區域。第一區域具有比第二區域、第三區域及第四區域高的電阻，並與第二導電體重疊。第二區域具有比第三區域及第四區域高的電阻，並與第二導電體重疊。第三區域具有比第四區域高的電阻，並與第四絕緣體重疊。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电特性良好的半导体设备。本发明的半导体设备包括：基板上的第一导电体、第一导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第二导电体、第二导电体上的第三绝缘体、与第二绝缘体的侧面、第二导电体的侧面及第三绝缘体的侧面接触的第四绝缘体、以及与氧化物、第一绝缘体及第四绝缘体接触的第五绝缘体。第一绝缘体和第五绝缘体在氧化物一侧的周边区域中接触。氧化物包括形成有信道的第一区域、相邻于第一区域的第二区域、相邻于第二区域的第三区域以及相邻于第三区域的第四区域。第一区域具有比第二区域、第三区域及第四区域高的电阻，并与第二导电体重叠。第二区域具有比第三区域及第四区域高的电阻，并与第二导电体重叠。第三区域具有比第四区域高的电阻，并与第四绝缘体重叠。

    發光裝置及其製造方法
    2.
    发明专利
    發光裝置及其製造方法 审中-公开
    发光设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW202004922A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108120329

    申请日：2010-09-01

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

    Abstract: 目的係為了提高發光裝置的可靠性。發光裝置在一基板上具有：驅動器電路部，其包括用於驅動器電路之電晶體；及像素部，其包括用於像素之電晶體。用於該驅動器電路之該電晶體和用於該像素之該電晶體為反向交錯式電晶體，其各個包括與氧化物絕緣層的一部分接觸之氧化物半導體層。在該像素部中，濾色器層和發光元件係設置在該氧化物絕緣層上。在用於該驅動器電路的該電晶體中，與閘極電極層和該氧化物半導體層重疊之導電層係設置在該氧化物絕緣層上。該閘極電極層、源極電極層、和汲極電極層係使用金屬導電膜所形成。

    Abstract in simplified Chinese: 目的系为了提高发光设备的可靠性。发光设备在一基板上具有：驱动器电路部，其包括用于驱动器电路之晶体管；及像素部，其包括用于像素之晶体管。用于该驱动器电路之该晶体管和用于该像素之该晶体管为反向交错式晶体管，其各个包括与氧化物绝缘层的一部分接触之氧化物半导体层。在该像素部中，滤色器层和发光组件系设置在该氧化物绝缘层上。在用于该驱动器电路的该晶体管中，与闸极电极层和该氧化物半导体层重叠之导电层系设置在该氧化物绝缘层上。该闸极电极层、源极电极层、和汲极电极层系使用金属导电膜所形成。

    顯示裝置及電子裝置
    4.
    发明专利
    顯示裝置及電子裝置 审中-公开
    显示设备及电子设备

    公开(公告)号：TW201824218A

    公开(公告)日：2018-07-01

    申请号：TW105137948

    申请日：2016-11-18

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  久保田大介 ,  KUBOTA, DAISUKE ,  安達廣樹 ,  ADACHI, HIROKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI

    IPC: G09F9/30

    Abstract: 本發明提供一種可見度良好的顯示裝置。本發明是一種顯示裝置，包括第一基板、第二基板、第一顯示元件、第二顯示元件、輸入裝置，其中第一基板包括第一顯示元件的一部分及第二顯示元件，第二基板包括輸入裝置，第一顯示元件及第二顯示元件設置於第一基板的第一面與第二基板的第一之間，第一顯示元件具有反射可見光的功能，第二顯示元件具有發射可見光的功能，在與第二基板的第一面對置的第二面設置有防反射層。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可见度良好的显示设备。本发明是一种显示设备，包括第一基板、第二基板、第一显示组件、第二显示组件、输入设备，其中第一基板包括第一显示组件的一部分及第二显示组件，第二基板包括输入设备，第一显示组件及第二显示组件设置于第一基板的第一面与第二基板的第一之间，第一显示组件具有反射可见光的功能，第二显示组件具有发射可见光的功能，在与第二基板的第一面对置的第二面设置有防反射层。

    半導體裝置
    5.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201631738A

    公开(公告)日：2016-09-01

    申请号：TW105116108

    申请日：2009-09-16

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  江口晉吾 ,  EGUCHI, SHINGO

    IPC: H01L27/04 ,  G06K19/077 ,  H01L23/52

    CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 為了要解決其中天線或包括薄膜電晶體之電路由於累積於絕緣物中的電荷之放電而損壞(靜電放電的問題)，半導體裝置包含：第一絕緣物；包括薄膜電晶體之電路，該電路係設置於該第一絕緣物之上；天線，其係設置於該電路之上且電性連接至該電路；以及第二絕緣物，其係設置於該天線之上；第一導電膜，其係設置於該第一絕緣物與該電路之間；以及第二導電膜，其係設置於該第二絕緣物與該天線之間。

    Abstract in simplified Chinese: 为了要解决其中天线或包括薄膜晶体管之电路由于累积于绝缘物中的电荷之放电而损坏(静电放电的问题)，半导体设备包含：第一绝缘物；包括薄膜晶体管之电路，该电路系设置于该第一绝缘物之上；天线，其系设置于该电路之上且电性连接至该电路；以及第二绝缘物，其系设置于该天线之上；第一导电膜，其系设置于该第一绝缘物与该电路之间；以及第二导电膜，其系设置于该第二绝缘物与该天线之间。

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