公开(公告)号：TW201826509A

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：TW106130878

申请日：2017-09-08

Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/12

Abstract: 本發明的一個實施方式的目的是提供一種新穎的顯示裝置。該顯示裝置包括像素部以及驅動該像素部的驅動電路，驅動電路包括雙閘極結構的第一電晶體，像素部包括單閘極結構的第二電晶體及與第二電晶體電連接的像素電極。第一電晶體及第二電晶體的每一個包括具有通道的功能的第一金屬氧化物膜。各金屬氧化物膜包括第一區域及第二區域，第一區域包含In或者Zn、以及氧，第二區域包含In或者元素M、以及氧，並且，第一區域及第二區域以馬賽克狀分散或者分佈。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种新颖的显示设备。该显示设备包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路，驱动电路包括双闸极结构的第一晶体管，像素部包括单闸极结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括具有信道的功能的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域，第一区域包含In或者Zn、以及氧，第二区域包含In或者元素M、以及氧，并且，第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。

公开(公告)号：TWI698006B

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：TW108126104

申请日：2015-01-29

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  片山雅博 ,  KATAYAMA, MASAHIRO ,  中田昌孝 ,  NAKADA, MASATAKA

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362

公开(公告)号：TWI686899B

公开(公告)日：2020-03-01

申请号：TW104113295

申请日：2015-04-24

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  G06F3/041

公开(公告)号：TW201842673A

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW107111955

申请日：2014-05-06

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO ,  松田慎平 ,  MATSUDA, SHINPEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

Abstract: 本發明的一個方式提供一種使用氧化物半導體的半導體裝置，其中抑制閘極BT應力所導致的寄生通道的形成，或者一種包括電特性優良的電晶體的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：具有在第一閘極電極和第二閘極電極之間設置氧化物半導體膜的雙閘極結構的電晶體，其中，在第一閘極電極或第二閘極電極和氧化物半導體膜之間設置閘極絕緣膜，並且，在電晶體的通道寬度方向上，第一閘極電極或第二閘極電極與氧化物半導體膜的側面隔著閘極絕緣膜相對。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种使用氧化物半导体的半导体设备，其中抑制闸极BT应力所导致的寄生信道的形成，或者一种包括电特性优良的晶体管的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：具有在第一闸极电极和第二闸极电极之间设置氧化物半导体膜的双闸极结构的晶体管，其中，在第一闸极电极或第二闸极电极和氧化物半导体膜之间设置闸极绝缘膜，并且，在晶体管的信道宽度方向上，第一闸极电极或第二闸极电极与氧化物半导体膜的侧面隔着闸极绝缘膜相对。

公开(公告)号：TW201838179A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106112076

申请日：2017-04-11

Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  島行德 ,  SHIMA, YUKINORI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30

Abstract: 本發明提供一種電特性良好的半導體裝置、可靠性高的半導體裝置、功耗低的半導體裝置。本發明是一種半導體裝置，包括：閘極電極；閘極電極上的第一絕緣層；第一絕緣層上的金屬氧化物層；金屬氧化物層上的一對電極；以及一對電極上的第二絕緣層，其中，第一絕緣層包括第一區域及第二區域，第一區域與金屬氧化物層接觸，且包括其氧含量比第二區域多的區域，第二區域包括其氮含量比第一區域多的區域，金屬氧化物層在膜厚度方向上至少具有氧的濃度梯度，並且，氧濃度在第一區域一側及第二絕緣層一側較高。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电特性良好的半导体设备、可靠性高的半导体设备、功耗低的半导体设备。本发明是一种半导体设备，包括：闸极电极；闸极电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

公开(公告)号：TW201834202A

公开(公告)日：2018-09-16

申请号：TW106144012

申请日：2010-09-15

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 江口晉吾 ,  EGUCHI, SHINGO ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本發明的目的在於增進發光裝置的可靠度。本發明的另一目的在於提供可撓性給具有使用氧化物半導體膜的薄膜電晶體之發光裝置。發光裝置在一可撓基底上具有驅動電路部及像素部，驅動電路部包含用於驅動電路的薄膜電晶體，像素部包含用於像素的薄膜電晶體。用於驅動電路的薄膜電晶體及用於像素的薄膜電晶體是逆交錯薄膜電晶體，包含與部份氧化物絕緣層接觸的氧化物半導體層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的在于增进发光设备的可靠度。本发明的另一目的在于提供可挠性给具有使用氧化物半导体膜的薄膜晶体管之发光设备。发光设备在一可挠基底上具有驱动电路部及像素部，驱动电路部包含用于驱动电路的薄膜晶体管，像素部包含用于像素的薄膜晶体管。用于驱动电路的薄膜晶体管及用于像素的薄膜晶体管是逆交错薄膜晶体管，包含与部份氧化物绝缘层接触的氧化物半导体层。

公开(公告)号：TWI627751B

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：TW103116089

申请日：2014-05-06

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO ,  松田慎平 ,  MATSUDA, SHINPEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TWI617035B

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106111746

申请日：2013-07-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  家田義紀 ,  IEDA, YOSHINORI ,  宮本敏行 ,  MIYAMOTO, TOSHIYUKI ,  野村昌史 ,  NOMURA, MASAFUMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  遠藤俊 ,  ENDO, TOSHIYA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225

公开(公告)号：TWI614813B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW103101162

申请日：2014-01-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI604253B

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW105137465

申请日：2013-07-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 横山雅俊 ,  YOKOYAMA, MASATOSHI ,  小森茂樹 ,  KOMORI, SHIGEKI ,  佐藤学 ,  SATO, MANABU ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/32

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2202/02 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869