公开(公告)号：TWI445099B

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：TW099143382

申请日：2010-12-10

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 博納德 卡爾艾皮特 ,  BERND, KARL APPELT ,  史蒂芬 凱 ,  ESSIG, KAY ,  蘇洹漳 ,  SU, YUAN CHANG ,  李俊哲 ,  LEE, CHUN CHE ,  陳光雄 ,  CHEN, KUANG HSIUNG

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201448075A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103118000

申请日：2014-05-23

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 李俊哲 ,  LEE, CHUN CHE ,  蘇洹漳 ,  SU, YUAN CHANG ,  鄭文吉 ,  CHENG, WEN CHI ,  廖國成 ,  LIAO, GUO CHENG ,  丁一權 ,  DING, YI CHUAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1163 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/108 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係關於一種半導體基板及其製造方法。該半導體基板包括一絕緣層、一第一線路層、一第二線路層、複數個導電通道及複數個凸塊。該第一線路層嵌於該絕緣層之第一表面，且顯露於絕緣層之第一表面。該第二線路層位於該絕緣層之第二表面上，且經由該等導電通道電性連接該第一線路層。該等凸塊直接位於部份該第一線路層上，其中該等凸塊之晶格與該第一線路層之晶格相同。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种半导体基板及其制造方法。该半导体基板包括一绝缘层、一第一线路层、一第二线路层、复数个导电信道及复数个凸块。该第一线路层嵌于该绝缘层之第一表面，且显露于绝缘层之第一表面。该第二线路层位于该绝缘层之第二表面上，且经由该等导电信道电性连接该第一线路层。该等凸块直接位于部份该第一线路层上，其中该等凸块之晶格与该第一线路层之晶格相同。

公开(公告)号：TWI435424B

公开(公告)日：2014-04-21

申请号：TW099113749

申请日：2010-04-29

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 黃士輔 ,  HUANG, SHIH FU ,  李俊哲 ,  LEE, CHUN CHE ,  李達鈞 ,  LEE, TA CHUN ,  陳姿慧 ,  CHEN, TZU HUI

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW200410353A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：TW091136764

申请日：2002-12-13

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 林悦農 ,  林千琪 ,  張志煌 ,  林義隆 ,  李俊哲 ,  唐和明

IPC: H01L

Abstract: 一種製造以及測試半導體元件的方法。該方法適用於具有不對稱分佈導電接點(與該半導體元件之積體電路電性連接)的半導體元件。該方法的主要步驟包含於該半導體元件表面上形成至少一偽接點，使該偽接點與導電接點形成一對稱圖案；然後，將一探測器移到該半導體元件上以一測試程式進行測試。由於該探測器之連接接點係以對應於該對稱圖案之方式配置，因此在偵測過程中該探測器係均勻地施力於該半導體元件，藉此避免造成探測器誤載或是誤判。

Abstract in simplified Chinese: 一种制造以及测试半导体组件的方法。该方法适用于具有不对称分布导电接点(与该半导体组件之集成电路电性连接)的半导体组件。该方法的主要步骤包含于该半导体组件表面上形成至少一伪接点，使该伪接点与导电接点形成一对称图案；然后，将一探测器移到该半导体组件上以一测试进程进行测试。由于该探测器之连接接点系以对应于该对称图案之方式配置，因此在侦测过程中该探测器系均匀地施力于该半导体组件，借此避免造成探测器误载或是误判。

公开(公告)号：TWI557859B

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：TW100114923

申请日：2011-04-28

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 李俊哲 ,  LEE, CHUN CHE ,  蘇洹漳 ,  SU, YUAN CHANG ,  李明錦 ,  LEE, MING CHIANG ,  李瑜鏞 ,  LEE, YU-YONG ,  金錫奉 ,  KIM, SEOKBONG

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW200410352A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：TW091136763

申请日：2002-12-13

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 曹育誠 ,  林悦農 ,  林義隆 ,  唐和明 ,  李俊哲

IPC: H01L ,  B08B

Abstract: 一種探測器清潔方法用以清潔一探測器之連接接點上的有機殘留物，其特徵在於利用一熱源以非接觸的方式對欲清潔的連接接點釋放熱，使得連接接點上的有機殘留物受熱與空氣中的氧反應而分解成氣體，離開連接接點表面。

Abstract in simplified Chinese: 一种探测器清洁方法用以清洁一探测器之连接接点上的有机残留物，其特征在于利用一热源以非接触的方式对欲清洁的连接接点释放热，使得连接接点上的有机残留物受热与空气中的氧反应而分解成气体，离开连接接点表面。

公开(公告)号：TWI533418B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：TW102123100

申请日：2013-06-28

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 陳天賜 ,  CHEN, TIEN SZU ,  李俊哲 ,  LEE, CHUN CHE ,  王聖民 ,  WANG, SHENG MING

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/768 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201403770A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102123100

申请日：2013-06-28

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 陳天賜 ,  CHEN, TIEN SZU ,  李俊哲 ,  LEE, CHUN CHE ,  王聖民 ,  WANG, SHENG MING

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/768 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一封裝基板包括一中心部、一上電路層及複數個柱體。該等柱體係位於該上電路層上，且從該上電路層朝上。該等柱體之頂面大致上共平面。該等柱體提供電性連接至一半導體晶粒。藉此，改善該基板及該半導體晶粒間之焊料結合可靠度。

Abstract in simplified Chinese: 一封装基板包括一中心部、一上电路层及复数个柱体。该等柱体系位于该上电路层上，且从该上电路层朝上。该等柱体之顶面大致上共平面。该等柱体提供电性连接至一半导体晶粒。借此，改善该基板及该半导体晶粒间之焊料结合可靠度。

公开(公告)号：TW200409927A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：TW091136226

申请日：2002-12-11

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 林悦農 ,  林千琪 ,  張志煌 ,  林義隆 ,  李俊哲 ,  唐和明

IPC: G01R

Abstract: 一種半導體元件的處理以及測試方法。本方法的特徵在於以打線技術破壞半導體元件表面接墊上的絕緣層，並且藉此形成一個直接與接墊接觸並且電性連接的金屬凸塊。接著以探測器的連接接點與該金屬凸塊接觸並且執行測試步驟。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件的处理以及测试方法。本方法的特征在于以打线技术破坏半导体组件表面接垫上的绝缘层，并且借此形成一个直接与接垫接触并且电性连接的金属凸块。接着以探测器的连接接点与该金属凸块接触并且运行测试步骤。

公开(公告)号：TWI514491B

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：TW103118000

申请日：2014-05-23

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 李俊哲 ,  LEE, CHUN CHE ,  蘇洹漳 ,  SU, YUAN CHANG ,  鄭文吉 ,  CHENG, WEN CHI ,  廖國成 ,  LIAO, GUO CHENG ,  丁一權 ,  DING, YI CHUAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1163 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/108 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/1461 ,  H01L2924/00