公开(公告)号：TW201827637A

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：TW106132501

申请日：2017-09-22

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 希姆斯 詹姆士 S ,  SIMS, JAMES S. ,  亨利 強 ,  HENRI, JON ,  謙德拉瑟哈蘭 拉密許 ,  CHANDRASEKHARAN, RAMESH ,  瑪克羅 安組 約翰 ,  MCKERROW, ANDREW JOHN ,  凡拉德拉真 瑟沙撒依 ,  VARADARAJAN, SESHASAYEE ,  凱爾克納 凱瑟琳 美熹德 ,  KELCHNER, KATHRYN MERCED

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02

Abstract: 一種在電漿輔助原子層沉積(PEALD)反應腔室的微容積中受到處理的半導體基板上沉積氮化矽膜的方法，其中單一半導體基板係支撐在基座的陶瓷表面上，且製程氣體係通過噴淋頭的陶瓷表面中的氣體出口導入至半導體基板上方的反應區域中，該方法包括(a)使用氟電漿清潔基座與噴淋頭的該等陶瓷表面，(b)在該等陶瓷表面上沉積無鹵化物原子層沉積(ALD)氧化物底層塗覆，(c)在無鹵化物ALD氧化物底層塗覆上沉積ALD氮化矽的預塗覆，及(d)藉由將一批量的半導體基板的各半導體基板轉移至反應腔室內並在支撐於基座陶瓷表面上之半導體基板上沉積ALD氮化矽膜來處理該批量的半導體基板。

Abstract in simplified Chinese: 一种在等离子辅助原子层沉积(PEALD)反应腔室的微容积中受到处理的半导体基板上沉积氮化硅膜的方法，其中单一半导体基板系支撑在基座的陶瓷表面上，且制程气体系通过喷淋头的陶瓷表面中的气体出口导入至半导体基板上方的反应区域中，该方法包括(a)使用氟等离子清洁基座与喷淋头的该等陶瓷表面，(b)在该等陶瓷表面上沉积无卤化物原子层沉积(ALD)氧化物底层涂覆，(c)在无卤化物ALD氧化物底层涂复上沉积ALD氮化硅的预涂覆，及(d)借由将一批量的半导体基板的各半导体基板转移至反应腔室内并在支撑于基座陶瓷表面上之半导体基板上沉积ALD氮化硅膜来处理该批量的半导体基板。

公开(公告)号：TWI695082B

公开(公告)日：2020-06-01

申请号：TW104138370

申请日：2015-11-20

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 亨利 強 ,  HENRI, JON ,  豪斯曼恩 丹尼斯 M ,  HAUSMANN, DENNIS M. ,  唐 沙恩 ,  TANG, SHANE ,  希姆斯 詹姆士 S ,  SIMS, JAMES S.

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/513

公开(公告)号：TW201723216A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105130541

申请日：2016-09-22

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 亨利 強 ,  HENRI, JON ,  豪斯曼恩 丹尼斯 M ,  HAUSMANN, DENNIS M. ,  凡拉德拉真 瑟沙撒依 ,  VARADARAJAN, SESHASAYEE ,  凡拉德拉彥 巴德里 N ,  VARADARAJAN, BHADRI N.

IPC: C23C16/455 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 本文提供在包含硫屬化物材料的記憶體元件上藉由原子層沉積沉積氮化矽封裝層的方法。該等方法包括使用含碘及/或含溴的矽前驅物及使用氨或聯胺作為第二反應物進行熱沉積，或使用含碘及/或含溴的矽前驅物及使用基於氮或基於氫的電漿進行沉積。

Abstract in simplified Chinese: 本文提供在包含硫属化物材料的内存组件上借由原子层沉积沉积氮化硅封装层的方法。该等方法包括使用含碘及/或含溴的硅前驱物及使用氨或联胺作为第二反应物进行热沉积，或使用含碘及/或含溴的硅前驱物及使用基于氮或基于氢的等离子进行沉积。

公开(公告)号：TW201629253A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104137641

申请日：2015-11-16

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 亨利 強 ,  HENRI, JON ,  豪斯曼恩 丹尼斯 M ,  HAUSMANN, DENNIS M. ,  凡 史貴凡迪 巴頓 J ,  VAN SCHRAVENDIJK, BART J. ,  唐 沙恩 ,  TANG, SHANE ,  里瑟 卡爾 F ,  LEESER, KARL F.

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/04 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262

Abstract: 提供選擇性抑制藉由原子層沉積所沉積之含矽膜之沉積作用的方法。選擇性抑制涉及將含矽前驅物之吸附層暴露到含氫抑制劑，且於若干例子中，在將吸附層暴露到第二反應劑之前進行選擇性抑制。暴露到含氫抑制劑可在有電漿存在之情況下執行，且方法適用於含矽膜之熱或電漿增強原子層沉積中的選擇性抑制。

Abstract in simplified Chinese: 提供选择性抑制借由原子层沉积所沉积之含硅膜之沉积作用的方法。选择性抑制涉及将含硅前驱物之吸附层暴露到含氢抑制剂，且于若干例子中，在将吸附层暴露到第二反应剂之前进行选择性抑制。暴露到含氢抑制剂可在有等离子存在之情况下运行，且方法适用于含硅膜之热或等离子增强原子层沉积中的选择性抑制。

公开(公告)号：TW201715609A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105123513

申请日：2016-07-26

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 亨利 強 ,  HENRI, JON

IPC: H01L21/31 ,  H01L45/00 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L45/1616 ,  C23C16/26 ,  C23C16/345 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 本文各種實施例關於在基板上沉積雙層阻障層的方法及設備。該雙層阻障層可包含第一子層及第二子層，該第一子層係設計成保護下方鹵化物敏感層免於損壞性的含鹵化物化學品，該第二子層係設計成保護下方材料免受由於氧化造成的損壞。在若干實施例中，第一子層係具有高碳含量的層，而第二子層係氮化矽。該氮化矽第二子層可使用原本在若非存在第一子層的情況下將損壞鹵化物敏感材料的含鹵化物化學品加以沉積。所得到的雙層阻障層針對下方材料提供高品質的保護。

Abstract in simplified Chinese: 本文各种实施例关于在基板上沉积双层阻障层的方法及设备。该双层阻障层可包含第一子层及第二子层，该第一子层系设计成保护下方卤化物敏感层免于损坏性的含卤化物化学品，该第二子层系设计成保护下方材料免受由于氧化造成的损坏。在若干实施例中，第一子层系具有高碳含量的层，而第二子层系氮化硅。该氮化硅第二子层可使用原本在若非存在第一子层的情况下将损坏卤化物敏感材料的含卤化物化学品加以沉积。所得到的双层阻障层针对下方材料提供高品质的保护。

公开(公告)号：TW201704517A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105109955

申请日：2016-03-30

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL ,  亨利 強 ,  HENRI, JON ,  唐 沙恩 ,  TANG, SHANE

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207

Abstract: 提出一種在原子層沉積期間使用含鹵素蝕刻劑以沉積保形膜之方法。該方法涉及，在使基板暴露至第一前驅物與使基板暴露至第二電漿活化反應物之間使基板暴露至含鹵素蝕刻劑，例如三氟化氮。可沉積之保形膜之範例包括含矽膜及含金屬膜。亦提出相關的設備。

Abstract in simplified Chinese: 提出一种在原子层沉积期间使用含卤素蚀刻剂以沉积保形膜之方法。该方法涉及，在使基板暴露至第一前驱物与使基板暴露至第二等离子活化反应物之间使基板暴露至含卤素蚀刻剂，例如三氟化氮。可沉积之保形膜之范例包括含硅膜及含金属膜。亦提出相关的设备。

公开(公告)号：TW201632650A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104138370

申请日：2015-11-20

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 亨利 強 ,  HENRI, JON ,  豪斯曼恩 丹尼斯 M ,  HAUSMANN, DENNIS M. ,  唐 沙恩 ,  TANG, SHANE ,  希姆斯 詹姆士 S ,  SIMS, JAMES S.

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/303 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 此處提供藉由下列步驟使用原子層沉積沉積保形氮化矽膜的方法：曝露至如二矽烷之無鹵素、無N-H鍵、及無碳的含矽前驅物；前驅物的沖洗；曝露至氮電漿；以及低溫下電漿的沖洗。使用高頻電漿，如具有至少13.56MHz、或至少27MHz之頻率的電漿。 方法產生實質上純的保形氮化矽膜，其適用於半導體裝置中的沉積，例如在凹槽或特徵部中、或用於記憶體封裝。

Abstract in simplified Chinese: 此处提供借由下列步骤使用原子层沉积沉积保形氮化硅膜的方法：曝露至如二硅烷之无卤素、无N-H键、及无碳的含硅前驱物；前驱物的冲洗；曝露至氮等离子；以及低温下等离子的冲洗。使用高频等离子，如具有至少13.56MHz、或至少27MHz之频率的等离子。 方法产生实质上纯的保形氮化硅膜，其适用于半导体设备中的沉积，例如在凹槽或特征部中、或用于内存封装。

公开(公告)号：TW201623682A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104131344

申请日：2015-09-23

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 希姆斯 詹姆士 S ,  SIMS, JAMES S. ,  凱爾克納 凱瑟琳 M ,  KELCHNER, KATHRYN M. ,  亨利 強 ,  HENRI, JON ,  豪斯曼恩 丹尼斯 M ,  HAUSMANN, DENNIS M.

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/513 ,  C23C16/517 ,  C23C16/52 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234

Abstract: 本文中揭露沉積具有降低的濕蝕刻速率的SiN薄膜的方法。該方法可包括在處理腔室中，將含Si薄膜前驅物吸附到半導體基板上，以形成前驅物之吸附限制層；然後將未吸附的前驅物從已吸附的前驅物的周圍容積中移除。之後透過將該已吸附的前驅物暴露到電漿而使其進行反應，以在該基板上形成SiN薄膜層，其中該電漿包含含N離子及/或自由基；以及透過將該SiN薄膜層暴露到He電漿而使其稠化。然後可重複執行前述步驟以在該基板上形成另外的稠化的SiN薄膜層。本文中亦揭露應用前述之技術而將具有降低的濕蝕刻速率的SiN薄膜沉積在半導體基板上的設備。

Abstract in simplified Chinese: 本文中揭露沉积具有降低的湿蚀刻速率的SiN薄膜的方法。该方法可包括在处理腔室中，将含Si薄膜前驱物吸附到半导体基板上，以形成前驱物之吸附限制层；然后将未吸附的前驱物从已吸附的前驱物的周围容积中移除。之后透过将该已吸附的前驱物暴露到等离子而使其进行反应，以在该基板上形成SiN薄膜层，其中该等离子包含含N离子及/或自由基；以及透过将该SiN薄膜层暴露到He等离子而使其稠化。然后可重复运行前述步骤以在该基板上形成另外的稠化的SiN薄膜层。本文中亦揭露应用前述之技术而将具有降低的湿蚀刻速率的SiN薄膜沉积在半导体基板上的设备。

公开(公告)号：TW201531587A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103145386

申请日：2014-12-25

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 希姆斯 詹姆士S ,  SIMS, JAMES S. ,  亨利 強 ,  HENRI, JON ,  凱爾克納 凱瑟琳M ,  KELCHNER, KATHRYN M. ,  詹賈姆 沙堤什 巴布 SV ,  JANJAM, SATHISH BABU S.V. ,  唐 沙恩 ,  TANG, SHANE

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/515

Abstract: 此處的實施例聚焦在使用脈衝式電漿的電漿輔助式原子層沉積(PEALD)程序。雖然習知的PEALD程序在電漿曝露/轉變操作期間使用連續波電漿，此處的實施例在此操作期間使用脈衝式電漿以完成具有高品質的側壁膜層。因為習知的PEALD技術會在特徵部的底部與頂部產生具有高品質的膜層但在側壁上產生低品質的膜層，故與利用習知連續波電漿技術所完成的膜層相比，在所揭露之實施例中的「增加側壁膜層品質」相當於整體品質上較為均勻的膜層。

Abstract in simplified Chinese: 此处的实施例聚焦在使用脉冲式等离子的等离子辅助式原子层沉积(PEALD)进程。虽然习知的PEALD进程在等离子曝露/转变操作期间使用连续波等离子，此处的实施例在此操作期间使用脉冲式等离子以完成具有高品质的侧壁膜层。因为习知的PEALD技术会在特征部的底部与顶部产生具有高品质的膜层但在侧壁上产生低品质的膜层，故与利用习知连续波等离子技术所完成的膜层相比，在所揭露之实施例中的“增加侧壁膜层品质”相当于整体品质上较为均匀的膜层。