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公开(公告)号：TWI501420B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101115893
申请日：2012-05-04
发明人： 魏洋 , WEI, YANG , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
CPC分类号： H01L33/10 , B82Y99/00 , H01L33/02 , H01L33/36 , H01L33/405 , Y10S977/734
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公开(公告)号：TWI493716B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101148054
申请日：2012-12-18
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 卡佩拉尼 安娜麗莎 , CAPPELLANI, ANNALISA , 庫恩 科林J , KUHN, KELIN J. , 瑞歐斯 拉斐爾 , RIOS, RAFAEL , 畢瑪拉瑟堤 果平納斯 , BHIMARASETTI, GOPINATH , 迦尼 泰希爾 , GHANI, TAHIR , 金世淵 , KIM, SEIYON
CPC分类号： H01L27/0886 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01L21/02587 , H01L29/0673 , H01L29/16 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/78696 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI489631B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101145428
申请日：2012-12-04
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 皮拉瑞斯提 拉維 , PILLARISETTY, RAVI , 朱功 班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 瑞奇曼第 威利 , RACHMADY, WILLY , 雷 凡 , LE, VAN H. , 狄威 吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 穆可吉 尼洛依 , MUKHERJEE, NILOY , 梅茲 馬修 , METZ, MATTHEW V. , 陳漢威 , THEN, HAN WUI , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO
CPC分类号： H01L29/41791 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , G11C7/02 , H01L23/485 , H01L23/535 , H01L27/115 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/16 , H01L29/42392 , H01L29/66477 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/78696 , H01L2029/7858 , H01L2924/0002 , Y10S977/762 , Y10S977/89 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI477666B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101115888
申请日：2012-05-04
发明人： 魏洋 , WEI, YANG , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
CPC分类号： H01L21/20 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01L29/0657 , H01L29/1606 , H01L29/66015 , H01L29/6603 , H01L29/66037 , H01L33/007 , H01L33/40
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公开(公告)号：TWI468341B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW101134374
申请日：2012-09-19
发明人： 馮辰 , FENG, CHEN , 王昱權 , WANG, YU-QUAN , 潛力 , QIAN, LI
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公开(公告)号：TW201415636A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102136559
申请日：2013-10-09
申请人： 三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. , 首爾大學校產學協力團 , SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
发明人： 宣敏喆 , SUN, MIN-CHUL , 朴炳國 , PARK, BYUNG-GOOK
CPC分类号： H01L21/823412 , B82Y99/00 , H01L21/02532 , H01L21/02647 , H01L21/3065 , H01L27/088 , H01L27/1222 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/772 , H01L29/7843 , H01L29/78651 , H01L29/78696 , Y10S977/762 , Y10S977/938
摘要： 半導體裝置具有形成在基底上相應區域中的閘極環繞裝置。閘極環繞裝置具有在不同水平面的奈米線。第一區域中的閘極環繞裝置之臨界電壓是根據在相鄰第二區域中的主動層的厚度。第二區域中的主動層可在與第一區域中的奈米線實質上相同的水平面。因此，第一區域中的奈米線的厚度可以是根據第二區域中的主動層的厚度，或兩者厚度可不同。當包括一層或一層以上的主動層時，在不同區域中的奈米線可配置在不同高度及/或可具有不同厚度。
简体摘要： 半导体设备具有形成在基底上相应区域中的闸极环绕设备。闸极环绕设备具有在不同水平面的奈米线。第一区域中的闸极环绕设备之临界电压是根据在相邻第二区域中的主动层的厚度。第二区域中的主动层可在与第一区域中的奈米线实质上相同的水平面。因此，第一区域中的奈米线的厚度可以是根据第二区域中的主动层的厚度，或两者厚度可不同。当包括一层或一层以上的主动层时，在不同区域中的奈米线可配置在不同高度及/或可具有不同厚度。
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公开(公告)号：TW201405209A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101128345
申请日：2012-08-06
发明人： 吳和虔 , WU, HO CHIEN
IPC分类号： G02F1/1335 , G06F3/041
CPC分类号： G02B5/30 , B82Y20/00 , B82Y99/00 , G02B5/3058
摘要： 一種觸控功能偏光片，該偏光片包括一第一透明導電層、一第二透明導電層、一偏光層、複數個第一電極及複數個第二電極，該第一透明導電層在第一方向上具有最小的電阻，並在第二方向上具有最大的電阻或在第二方向絕緣；該第二透明導電層在第一方向上具有最大的電阻或在第一方向絕緣，並在第二方向上具有最小的電阻；該偏光層設置在該第一透明導電層和該第二透明導電層之間；該複數個第一電極相互間隔，沿該第二方向排列成一行，且與該第一透明導電層電連接；該複數個第二電極相互間隔，沿該第一方向排列成一行，且與該第二透明導電層電連接。
简体摘要： 一种触摸功能偏光片，该偏光片包括一第一透明导电层、一第二透明导电层、一偏光层、复数个第一电极及复数个第二电极，该第一透明导电层在第一方向上具有最小的电阻，并在第二方向上具有最大的电阻或在第二方向绝缘；该第二透明导电层在第一方向上具有最大的电阻或在第一方向绝缘，并在第二方向上具有最小的电阻；该偏光层设置在该第一透明导电层和该第二透明导电层之间；该复数个第一电极相互间隔，沿该第二方向排列成一行，且与该第一透明导电层电连接；该复数个第二电极相互间隔，沿该第一方向排列成一行，且与该第二透明导电层电连接。
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8.发明专利
公开(公告)号：TWI419319B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099106970
申请日：2010-03-10
申请人： 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： 米迪 羅伊E , MEADE, ROY E. , 珊得胡 高提傑S , SANDHU, GURTEJ S.
IPC分类号： H01L27/22
CPC分类号： H05K1/0298 , B82Y99/00 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/14 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C19/0808 , H01L24/02 , H01L24/80 , H01L2224/04042 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01093 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H05K1/112 , H05K1/113 , H05K1/144 , H05K3/3436 , H05K3/36 , H05K3/4697 , H05K7/04 , H05K2201/09381 , Y10S977/932 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201342613A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101148054
申请日：2012-12-18
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 卡佩拉尼 安娜麗莎 , CAPPELLANI, ANNALISA , 庫恩 科林J , KUHN, KELIN J. , 瑞歐斯 拉斐爾 , RIOS, RAFAEL , 畢瑪拉瑟堤 果平納斯 , BHIMARASETTI, GOPINATH , 迦尼 泰希爾 , GHANI, TAHIR , 金世淵 , KIM, SEIYON
CPC分类号： H01L27/0886 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01L21/02587 , H01L29/0673 , H01L29/16 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/78696 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本文已描述具有經調節奈米線計數的半導體裝置及用以形成此種裝置之方法。舉例而言，一半導體結構包括一第一半導體裝置，其具有設置在一基材上方且以與一第一最上面奈米線於一第一垂直平面中堆疊之多個奈米線。一第二半導體裝置，其具有設置在該基材上方且以與一第二最上面奈米線於一第二垂直平面中堆疊之一或更多個奈米線。該第二半導體裝置包括比該第一半導體裝置少一或更多個的奈米線。該等第一和第二最上面奈米線設置於與該等第一和第二垂直平面正交之一相同平面中。
简体摘要： 本文已描述具有经调节奈米线计数的半导体设备及用以形成此种设备之方法。举例而言，一半导体结构包括一第一半导体设备，其具有设置在一基材上方且以与一第一最上面奈米线于一第一垂直平面中堆栈之多个奈米线。一第二半导体设备，其具有设置在该基材上方且以与一第二最上面奈米线于一第二垂直平面中堆栈之一或更多个奈米线。该第二半导体设备包括比该第一半导体设备少一或更多个的奈米线。该等第一和第二最上面奈米线设置于与该等第一和第二垂直平面正交之一相同平面中。
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公开(公告)号：TW201340168A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101112334
申请日：2012-04-06
发明人： 柳鵬 , LIU, PENG , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
CPC分类号： H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/842 , Y10S977/939
摘要： 一種奈米碳管場發射體之製備方法，包括以下步驟：提供一奈米碳管陣列，該奈米碳管陣列形成於一生長基底；採用一拉伸工具從奈米碳管陣列中選定複數個奈米碳管片段拉取獲得一奈米碳管膜，該奈米碳管膜包括一三角區奈米碳管膜，拉伸工具所選定之複數個奈米碳管片段為三角區奈米碳管膜之一頂部；處理拉伸工具所選定之奈米碳管片段，使三角區奈米碳管膜之所述頂部形成一奈米碳管線；採用鐳射束以三角區奈米碳管膜之頂部為中心，切斷三角區奈米碳管膜，得到一扇形或三角形之奈米碳管場發射體。
简体摘要： 一种奈米碳管场发射体之制备方法，包括以下步骤：提供一奈米碳管数组，该奈米碳管数组形成于一生长基底；采用一拉伸工具从奈米碳管数组中选定复数个奈米碳管片段拉取获得一奈米碳管膜，该奈米碳管膜包括一三角区奈米碳管膜，拉伸工具所选定之复数个奈米碳管片段为三角区奈米碳管膜之一顶部；处理拉伸工具所选定之奈米碳管片段，使三角区奈米碳管膜之所述顶部形成一奈米碳管线；采用激光束以三角区奈米碳管膜之顶部为中心，切断三角区奈米碳管膜，得到一扇形或三角形之奈米碳管场发射体。
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