公开(公告)号：TW201537638A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW104108394

申请日：2015-03-17

申请人： ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

发明人： 塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  古德曼 馬修G ,  GOODMAN, MATTHEW G. ,  凡 羅伯特 麥克 ,  VYNE, ROBERT MICHAEL ,  希爾 艾瑞克R ,  HILL, ERIC R.

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/20 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02049 ,  B08B5/00 ,  B08B7/0014 ,  B08B7/0071 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

摘要： 積體電路的製造方法可以包含以預清潔製程移除氧化矽。預清潔製程可以包含於第一反應室中在基底的表面上沉積含鹵素材料，並將具有含鹵素材料的基底傳送到第二反應室。氧化矽材料在第二反應室中可以藉由昇華含鹵素材料而從基底的表面移除。目標材料(如傳導性材料)可在第二反應室中隨後沉積到基底表面上。

简体摘要： 集成电路的制造方法可以包含以预清洁制程移除氧化硅。预清洁制程可以包含于第一反应室中在基底的表面上沉积含卤素材料，并将具有含卤素材料的基底发送到第二反应室。氧化硅材料在第二反应室中可以借由升华含卤素材料而从基底的表面移除。目标材料(如传导性材料)可在第二反应室中随后沉积到基底表面上。

公开(公告)号：TW201216366A

公开(公告)日：2012-04-16

申请号：TW100122615

申请日：2011-06-28

申请人： 愛發科股份有限公司

发明人： 石川清士 ,  深谷亮介 ,  井上寬揚

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/02049 ,  H01L21/02046

摘要： 〔課題〕提供一種：在將晶圓上之氧化膜除去時，而使蝕刻量增加之氧化膜之除去方法。〔解決手段〕係具備有：使氟化氫或者是氟化銨與矽晶圓(10)表面上之氧化膜起反應並產生矽氟化銨之第1工程；和在將由氣體排氣手段所進行之排氣停止了的狀態下，將經由前述反應所產生之矽氟化銨加熱至300℃以上而將其蒸發、除去之第2工程。

简体摘要： 〔课题〕提供一种：在将晶圆上之氧化膜除去时，而使蚀刻量增加之氧化膜之除去方法。〔解决手段〕系具备有：使氟化氢或者是氟化铵与硅晶圆(10)表面上之氧化膜起反应并产生硅氟化铵之第1工程；和在将由气体排气手段所进行之排气停止了的状态下，将经由前述反应所产生之硅氟化铵加热至300℃以上而将其蒸发、除去之第2工程。

公开(公告)号：TW200742770A

公开(公告)日：2007-11-16

申请号：TW096115743

申请日：2007-05-03

申请人： 世創電子材料公司 SILTRONIC AG

发明人： 迪雅歌 費胡 FEIJ O, DIEGO ,  甘特 舒瓦布 SCHWAB, GNTER ,  湯馬斯 布奇哈特 BUSCHHARDT, THOMAS

IPC分类号： C23F ,  C03B

CPC分类号： H01L21/02049

摘要： 一種製造層結構之方法,該層結構包含一經光滑化之中間層以及一施加在該中間層上之覆蓋層,其中係利用一含氟化氫之氣態蝕刻劑處理該中間層,以去除材料而使該中間層光滑化。

简体摘要： 一种制造层结构之方法,该层结构包含一经光滑化之中间层以及一施加在该中间层上之覆盖层,其中系利用一含氟化氢之气态蚀刻剂处理该中间层,以去除材料而使该中间层光滑化。

公开(公告)号：TW201417167A

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：TW102133545

申请日：2013-09-16

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 柯傳偉 ,  OR, DAVID T. ,  克林喬許華 ,  COLLINS, JOSHUA ,  張鎂 ,  CHANG, MEI

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

摘要： 本文描述用於處理基板之方法。該等方法可包括將含矽基板定位於處理腔室中，在偏壓基板的同時將電漿遞送至基板之表面，將基板之表面曝露於氟化銨(NH4F)，及將基板退火至第一溫度以昇華一或更多揮發性副產物。

简体摘要： 本文描述用于处理基板之方法。该等方法可包括将含硅基板定位于处理腔室中，在偏压基板的同时将等离子递送至基板之表面，将基板之表面曝露于氟化铵(NH4F)，及将基板退火至第一温度以升华一或更多挥发性副产物。

公开(公告)号：TWI350319B

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：TW096115743

申请日：2007-05-03

申请人： 世創電子材料公司

发明人： 迪雅歌 費胡 ,  甘特 舒瓦布 ,  湯馬斯 布奇哈特

IPC分类号： C23F ,  C03B

CPC分类号： H01L21/02049

摘要： 一種製造層結構之方法，該層結構包含一經光滑化之中間層以及一施加在該中間層上之覆蓋層，其中係利用一含氟化氫之氣態蝕刻劑處理該中間層，以去除材料而使該中間層光滑化。

简体摘要： 一种制造层结构之方法，该层结构包含一经光滑化之中间层以及一施加在该中间层上之覆盖层，其中系利用一含氟化氢之气态蚀刻剂处理该中间层，以去除材料而使该中间层光滑化。

公开(公告)号：TW253065B

公开(公告)日：1995-08-01

申请号：TW083104347

申请日：1994-07-09

申请人： 先進半導體材料公司 ,  環宇微電中心

发明人： 杜爾斯特.馬克 ,  貝爾曼斯.馬克 ,  帝布蘭克爾 ,  格森斯.瓦爾達 ,  海德利克斯耶姆 ,  費爾哈伯貝克.史帝芬 ,  黑因斯.馬克

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/02049 ,  H01L21/31116

摘要： 含有腐蝕氧化層步驟的半導體材料的製造方法，特別是腐蝕厚的Sio2層和／或用於清工藝的最後步驟之中。本發明採用HF及一種或多種羧酸的混合蒸汽，該蒸汽最終同水相混合來腐蝕氧化層。

简体摘要： 含有腐蚀氧化层步骤的半导体材料的制造方法，特别是腐蚀厚的Sio2层和／或用于清工艺的最后步骤之中。本发明采用HF及一种或多种羧酸的混合蒸汽，该蒸汽最终同水相混合来腐蚀氧化层。

公开(公告)号：TW201742161A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW105138134

申请日：2016-11-21

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 黃信華 ,  HUANG, XIN-HUA ,  林永隆 ,  LIN, YUNG-LUNG ,  劉丙寅 ,  LIU, PING-YIN ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA-SHIUNG

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L21/68764 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/799 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/808

摘要： 本發明實施例揭露一種半導體製造方法。該方法包含：提供一第一晶圓及一第二晶圓，其中該第一晶圓與該第二晶圓被接合在一起；將該等經接合之第一晶圓與第二晶圓浸沒於一超音波傳輸介質中；產生超音波；及透過該超音波傳輸介質將該等超音波引導至該等經接合之第一晶圓與第二晶圓達一預定時間週期。本發明實施例亦揭露一種用於至少弱化經接合晶圓之一接合強度之相關聯半導體製造系統。

简体摘要： 本发明实施例揭露一种半导体制造方法。该方法包含：提供一第一晶圆及一第二晶圆，其中该第一晶圆与该第二晶圆被接合在一起；将该等经接合之第一晶圆与第二晶圆浸没于一超音波传输介质中；产生超音波；及透过该超音波传输介质将该等超音波引导至该等经接合之第一晶圆与第二晶圆达一预定时间周期。本发明实施例亦揭露一种用于至少弱化经接合晶圆之一接合强度之相关联半导体制造系统。

公开(公告)号：TWI383076B

公开(公告)日：2013-01-21

申请号：TW097116620

申请日：2008-05-06

申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 ,  SUMCO TECHXIV CORPORATION

发明人： 小佐佐和明 ,  三好康介

IPC分类号： C30B33/00

CPC分类号： C30B33/12 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658

公开(公告)号：TW571340B

公开(公告)日：2004-01-11

申请号：TW091113007

申请日：2002-06-14

申请人： 住友精密工業股份有限公司 SUMITOMO PRECISION PRODUCTS CO., LTD.

发明人： 金山登紀子 KANAYAMA, TOKIKO ,  河野廣明 KOUNO, HIROAKI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/3065 ,  A23K10/37 ,  B01D11/0488 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02049 ,  Y02P60/877

摘要： 一種蝕刻裝置，其係於具有減壓真空機構之半導體晶圓的製造裝置或半導體元件製造裝置中，設置有XeF2氣體產生機構，與使裝置內氣體環境含有水分之機構者；其係進行：於含有所需量的水分之減壓下或於真空環境下，使被洗淨物與XeF2氣體進行接觸作用之步驟；及其後在不含水分之減壓或真空環境下，使被洗淨物與XeF2氣體進行接觸作用之步驟者。

简体摘要： 一种蚀刻设备，其系于具有减压真空机构之半导体晶圆的制造设备或半导体组件制造设备中，设置有XeF2气体产生机构，与使设备内气体环境含有水分之机构者；其系进行：于含有所需量的水分之减压下或于真空环境下，使被洗净物与XeF2气体进行接触作用之步骤；及其后在不含水分之减压或真空环境下，使被洗净物与XeF2气体进行接触作用之步骤者。

公开(公告)号：TW546729B

公开(公告)日：2003-08-11

申请号：TW090118249

申请日：2001-07-25

申请人： 瓦克矽電子公司

发明人： 羅藍 布龍諾

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/02049 ,  H01L21/02052 ,  Y10S134/902

摘要： 一種在有氟化氫存在之情況下及隨後在有臭氧存在之情況下實施半導體晶圓化學處理、尤其矽半導體晶圓清理之方法，經以含有臭氧介質處理之半導體晶圓無殘留氫氟酸。

简体摘要： 一种在有氟化氢存在之情况下及随后在有臭氧存在之情况下实施半导体晶圆化学处理、尤其硅半导体晶圆清理之方法，经以含有臭氧介质处理之半导体晶圆无残留氢氟酸。