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公开(公告)号：TW201727865A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134355
申请日：2016-10-24
发明人： 高金福 , KAO, CHIN-FU , 符策忠 , FU, TSEI-CHUNG , 林俊成 , LIN, JING-CHENG
IPC分类号： H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/76898 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/05557 , H01L2224/05638 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/0569 , H01L2224/08145 , H01L2224/1161 , H01L2224/11616 , H01L2224/11831 , H01L2224/13009 , H01L2224/13019 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/1601 , H01L2224/16012 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73201 , H01L2224/73204 , H01L2224/80075 , H01L2224/80203 , H01L2224/80896 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81012 , H01L2224/81022 , H01L2224/81075 , H01L2224/81203 , H01L2224/81895 , H01L2224/83075 , H01L2224/83104 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/1434 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/01014 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2924/00014 , H01L2924/07025 , H01L2224/83 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2224/08 , H01L2224/16 , H01L2924/01029
摘要： 本揭露提供一種半導體封裝，該半導體封裝包含：一第一裝置；其具有一第一接合表面； 一第一導電組件，其至少自該第一接合表面部分地突出；一第二裝置，其具有面向該第一接合表面之一第二接合表面；及一第二導電組件，其至少自該第二接合表面暴露。該第一導電組件及該第二導電組件形成具有一第一喙部之一接合。該第一喙部指向該第一接合表面或該第二接合表面。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体封装，该半导体封装包含：一第一设备；其具有一第一接合表面； 一第一导电组件，其至少自该第一接合表面部分地突出；一第二设备，其具有面向该第一接合表面之一第二接合表面；及一第二导电组件，其至少自该第二接合表面暴露。该第一导电组件及该第二导电组件形成具有一第一喙部之一接合。该第一喙部指向该第一接合表面或该第二接合表面。
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公开(公告)号：TW201721819A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105125782
申请日：2016-08-12
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 全箕玟 , JUN, KIMIN , 穆勒 布倫南 , MUELLER, BRENNEN , 費雪 保羅 , FISCHER, PAUL
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/065
CPC分类号： H01L23/48 , H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68354 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/04 , H01L2224/05567 , H01L2224/08145 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/1703 , H01L2224/24146 , H01L2224/73201 , H01L2224/73209 , H01L2224/73251 , H01L2224/73259 , H01L2224/80006 , H01L2224/80099 , H01L2224/80201 , H01L2224/80203 , H01L2224/80213 , H01L2224/8083 , H01L2224/80895 , H01L2224/81005 , H01L2224/81099 , H01L2224/81191 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/81895 , H01L2224/9212 , H01L2224/92124 , H01L2224/9222 , H01L2224/92224 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/10157 , H01L2924/00014 , H01L2224/80 , H01L2224/82 , H01L2224/19 , H01L2224/08 , H01L2924/014
摘要： 本文說明混合接合，其用於組合一半導體晶片與另一半導體晶片。一些實施例包括將一晶圓上的小晶片附著至一暫時載體；使用該暫時載體將該等晶片對準一主晶圓上之複數個更大主晶片上方；使用該暫時載體將該等小晶片對著該等主晶片施加，使得一子集的該等小晶片接合到各別主晶片；分開該暫時載體，使得該子集的接合小晶片附著至一各別主晶片，且該等剩餘的小晶片與該暫時載體分開；將該等主晶片切單；以及將該等主晶片封裝。
简体摘要： 本文说明混合接合，其用于组合一半导体芯片与另一半导体芯片。一些实施例包括将一晶圆上的小芯片附着至一暂时载体；使用该暂时载体将该等芯片对准一主晶圆上之复数个更大主芯片上方；使用该暂时载体将该等小芯片对着该等主芯片施加，使得一子集的该等小芯片接合到各别主芯片；分开该暂时载体，使得该子集的接合小芯片附着至一各别主芯片，且该等剩余的小芯片与该暂时载体分开；将该等主芯片切单；以及将该等主芯片封装。
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3.发明专利
公开(公告)号：TW201643778A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105104956
申请日：2016-02-19
发明人： 迪特利爾 伊克哈德 , DITZEL, ECKHARD , 吉赫莉爾特 伯恩哈德 , GEHLERT, BERND , 克勞格 法蘭克 , KRUGER, FRANK
IPC分类号： G06K19/077 , H01L23/538
CPC分类号： G06K19/07722 , C25D3/12 , C25D3/46 , C25D3/562 , C25D5/12 , C25D7/0614 , G06K19/07743 , H01L21/4821 , H01L23/49534 , H01L23/49565 , H01L23/49582 , H01L23/49855 , H01L24/08 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/08225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73251 , H01L2224/80439 , H01L2224/80455 , H01L2224/80904 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2224/08 , H01L2224/48 , H01L2224/45099 , H01L2224/80 , H01L2224/85
摘要： 本發明係有關於一種條帶狀基材，其係包含具有用於製造晶片卡模組之數個基材單元的一箔片，其中該基材具有將會與一半導體晶片至少部份直接或間接接觸的一內側面，以及在該內側面對面的一外側面。根據本發明，該箔片包含一鋼，特別是不鏽鋼，其中包含鎳或一鎳合金的一第一層至少部份形成於該外側面上。
简体摘要： 本发明系有关于一种条带状基材，其系包含具有用于制造芯片卡模块之数个基材单元的一箔片，其中该基材具有将会与一半导体芯片至少部份直接或间接接触的一内侧面，以及在该内侧面对面的一外侧面。根据本发明，该箔片包含一钢，特别是不锈钢，其中包含镍或一镍合金的一第一层至少部份形成于该外侧面上。
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公开(公告)号：TW201742161A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105138134
申请日：2016-11-21
发明人： 黃信華 , HUANG, XIN-HUA , 林永隆 , LIN, YUNG-LUNG , 劉丙寅 , LIU, PING-YIN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA-SHIUNG
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L21/68764 , H01L21/02049 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/799 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L24/98 , H01L2224/04 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/80203 , H01L2224/80801 , H01L2224/80805 , H01L2224/80893 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80908 , H01L2224/80948 , H01L2224/80986 , H01L2224/94 , H01L2224/80 , H01L2924/00014 , H01L2224/08 , H01L2224/808
摘要： 本發明實施例揭露一種半導體製造方法。該方法包含：提供一第一晶圓及一第二晶圓，其中該第一晶圓與該第二晶圓被接合在一起；將該等經接合之第一晶圓與第二晶圓浸沒於一超音波傳輸介質中；產生超音波；及透過該超音波傳輸介質將該等超音波引導至該等經接合之第一晶圓與第二晶圓達一預定時間週期。本發明實施例亦揭露一種用於至少弱化經接合晶圓之一接合強度之相關聯半導體製造系統。
简体摘要： 本发明实施例揭露一种半导体制造方法。该方法包含：提供一第一晶圆及一第二晶圆，其中该第一晶圆与该第二晶圆被接合在一起；将该等经接合之第一晶圆与第二晶圆浸没于一超音波传输介质中；产生超音波；及透过该超音波传输介质将该等超音波引导至该等经接合之第一晶圆与第二晶圆达一预定时间周期。本发明实施例亦揭露一种用于至少弱化经接合晶圆之一接合强度之相关联半导体制造系统。
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公开(公告)号：TW201616690A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104132923
申请日：2015-10-07
申请人： 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人： 何冠儒 , HE, GUAN-RU , 葉瑞鴻 , YEH, JUI-HUNG , 黃子逸 , HUANG, TZ-YI , 陳志忠 , CHEN, CHI-CHUNG
CPC分类号： H01L33/62 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/64 , H01L24/66 , H01L24/69 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L24/89 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/36 , H01L33/486 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2224/29194 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48245 , H01L2224/64 , H01L2224/73251 , H01L2224/80006 , H01L2224/8085 , H01L2224/80862 , H01L2224/80874 , H01L2224/84439 , H01L2224/84444 , H01L2224/84447 , H01L2224/84455 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2224/85455 , H01L2224/89 , H01L2224/9222 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2221/68304 , H01L2224/45099 , H01L2224/32 , H01L2224/69 , H01L2224/83 , H01L2224/08 , H01L2224/80 , H01L2224/85 , H01L2224/84 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： 一發光二極體裝置，包含具有一第一電極之一第一發光二極體晶片、具有一第二電極之一第二發光二極體晶片、一連接第一電極與第二電極的可延伸金屬絲線、以及一連接至第一電極與第二電極之金屬晶種層，其中可延伸金屬絲線係可沿著一方向延伸並同時與第一電極及第二電極保持相連。
简体摘要： 一发光二极管设备，包含具有一第一电极之一第一发光二极管芯片、具有一第二电极之一第二发光二极管芯片、一连接第一电极与第二电极的可延伸金属丝线、以及一连接至第一电极与第二电极之金属晶种层，其中可延伸金属丝线系可沿着一方向延伸并同时与第一电极及第二电极保持相连。
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公开(公告)号：TW201719842A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105124289
申请日：2016-08-01
发明人： 楊明憲 , YANG, MING HSIEN , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI , 黃信耀 , HUANG, SIN YAO
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/43 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L27/14634 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05096 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/13021 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48229 , H01L2224/73251 , H01L2224/73265 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/9222 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2224/45099 , H01L2224/80001 , H01L2224/08 , H01L2224/48 , H01L2224/32 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/13 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/82 , H01L2924/01029
摘要： 提供一半導體元件結構。半導體元件結構包括一第一半導體基板，第一半導體基板具有一第一表面、一第二表面、以及一凹槽。第二表面相對於第一表面。凹槽貫穿第一半導體基板。半導體元件結構包括一第一線路層，第一線路層係位於第二表面上。半導體元件結構包括第一接墊，第一接墊位於凹槽中並延伸至第一線路層以電性連接至第一線路層。半導體元件結構包括一鎳層，鎳層位於第一接墊上。半導體元件結構包括一金層，金層位於鎳層上。
简体摘要： 提供一半导体组件结构。半导体组件结构包括一第一半导体基板，第一半导体基板具有一第一表面、一第二表面、以及一凹槽。第二表面相对于第一表面。凹槽贯穿第一半导体基板。半导体组件结构包括一第一线路层，第一线路层系位于第二表面上。半导体组件结构包括第一接垫，第一接垫位于凹槽中并延伸至第一线路层以电性连接至第一线路层。半导体组件结构包括一镍层，镍层位于第一接垫上。半导体组件结构包括一金层，金层位于镍层上。
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公开(公告)号：TWI553817B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103120794
申请日：2014-06-17
发明人： 李朝政 , LEE, CHAO CHENG , 王文山 , WANG, WEN SHAN
IPC分类号： H01L23/552
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/32051 , H01L21/768 , H01L23/50 , H01L23/5225 , H01L23/528 , H01L23/58 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0231 , H01L2224/0237 , H01L2224/04042 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48106 , H01L2224/48245 , H01L2224/49176 , H01L2224/73251 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2224/08 , H01L2224/48 , H01L2224/45099
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公开(公告)号：TW201601279A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103120794
申请日：2014-06-17
发明人： 李朝政 , LEE, CHAO CHENG , 王文山 , WANG, WEN SHAN
IPC分类号： H01L23/552
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/32051 , H01L21/768 , H01L23/50 , H01L23/5225 , H01L23/528 , H01L23/58 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0231 , H01L2224/0237 , H01L2224/04042 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48106 , H01L2224/48245 , H01L2224/49176 , H01L2224/73251 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2224/08 , H01L2224/48 , H01L2224/45099
摘要： 本發明揭露了一種具有電磁防護功能的積體電路及其製造方法。所述積體電路之一實施例包含：一半導體電路結構，包含一第一表面，該第一表面覆蓋一電磁波發散區域；一電磁防護層，覆蓋該第一表面，包含至少一接點；以及至少一導電路徑，用來將該至少一接點電性連接至一穩定電位，藉此阻隔該電磁波發散區域之電磁波，其中流經該電磁防護層之電流為零或者小於流經該電磁波發散區域之最大電流。
简体摘要： 本发明揭露了一种具有电磁防护功能的集成电路及其制造方法。所述集成电路之一实施例包含：一半导体电路结构，包含一第一表面，该第一表面覆盖一电磁波发散区域；一电磁防护层，覆盖该第一表面，包含至少一接点；以及至少一导电路径，用来将该至少一接点电性连接至一稳定电位，借此阻隔该电磁波发散区域之电磁波，其中流经该电磁防护层之电流为零或者小于流经该电磁波发散区域之最大电流。
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