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公开(公告)号：TW201705358A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104136967
申请日：2015-11-10
发明人： 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 劉獻文 , LIU, HSIEN WEN
CPC分类号： H01L23/564 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2224/024 , H01L2224/03332 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
摘要： 本揭露提供一種半導體裝置結構及其形成方法。半導體裝置結構包括一基底及位於基底上的一導電墊。半導體裝置結構包括形成於導電墊上方的一保護層以及至少形成於保護層內的一後鈍化內連接(post-passivation interconnect,PPI)結構。PPI結構電性連接至導電墊。半導體裝置結構也包括形成於保護層上方的一第一防潮層，且保護層及第一防潮層由不同材料所製成。半導體裝置結構更包括一凸塊底部金屬(UBM)層，形成於第一防潮層上方且連接至PPI結構。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体设备结构及其形成方法。半导体设备结构包括一基底及位于基底上的一导电垫。半导体设备结构包括形成于导电垫上方的一保护层以及至少形成于保护层内的一后钝化内连接(post-passivation interconnect,PPI)结构。PPI结构电性连接至导电垫。半导体设备结构也包括形成于保护层上方的一第一防潮层，且保护层及第一防潮层由不同材料所制成。半导体设备结构更包括一凸块底部金属(UBM)层，形成于第一防潮层上方且连接至PPI结构。
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公开(公告)号：TWI596701B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW104136967
申请日：2015-11-10
发明人： 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 劉獻文 , LIU, HSIEN WEN
CPC分类号： H01L23/564 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2224/024 , H01L2224/03332 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI460801B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW099136258
申请日：2010-10-22
申请人： 王琮淇 , WANG, TSUNG CHI
发明人： 王琮淇 , WANG, TSUNG CHI
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/561 , H01L23/29 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/03332 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0384 , H01L2224/03849 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/056 , H01L2224/11332 , H01L2224/1147 , H01L2224/1184 , H01L2224/11849 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
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公开(公告)号：TW201218290A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW099136258
申请日：2010-10-22
申请人： 王琮淇
发明人： 王琮淇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/561 , H01L23/29 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/03332 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0384 , H01L2224/03849 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/056 , H01L2224/11332 , H01L2224/1147 , H01L2224/1184 , H01L2224/11849 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
摘要： 一種晶圓級半導體晶片封裝方法被提供,該方法包含如下之步驟:提供一個半導體晶圓,該半導體晶圓具有數個晶片區域,每個晶片區域具有一個電極形成表面和至少一個形成於該電氣接點形成表面上的電氣接點;於所有晶片區域之形成表面上塗佈一個光阻層,藉著曝光與顯影處理,該光阻層形成有數個各曝露一對應之電氣接點的曝露孔;於該光阻層的每個曝露孔之內填充導電材料並且透過迴焊處理使填充於每個曝露孔之內的導電材料形成一導電觸點;把該光阻層移除並且在該等晶片區域的電氣接點形成表面上塗佈一個覆蓋所有導電觸點的保護層;研磨該保護層直到每個導電觸點的頂部被曝露為止;在該保護層的表面上塗佈一個鈍化層,該鈍化層是透過曝光和顯影處理來形成有數個各曝露一對應之導電觸點的曝露孔;於該鈍化層的曝露孔之內填充導電材料並且透過迴焊處理使填充於該鈍化層之每個曝露孔之內的導電材料形成一導電觸點;及把該鈍化層移除。
简体摘要： 一种晶圆级半导体芯片封装方法被提供,该方法包含如下之步骤:提供一个半导体晶圆,该半导体晶圆具有数个芯片区域,每个芯片区域具有一个电极形成表面和至少一个形成于该电气接点形成表面上的电气接点;于所有芯片区域之形成表面上涂布一个光阻层,借着曝光与显影处理,该光阻层形成有数个各曝露一对应之电气接点的曝露孔;于该光阻层的每个曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点;把该光阻层移除并且在该等芯片区域的电气接点形成表面上涂布一个覆盖所有导电触点的保护层;研磨该保护层直到每个导电触点的顶部被曝露为止;在该保护层的表面上涂布一个钝化层,该钝化层是透过曝光和显影处理来形成有数个各曝露一对应之导电触点的曝露孔;于该钝化层的曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于该钝化层之每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点;及把该钝化层移除。
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