公开(公告)号：TWI520242B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW102110438

申请日：2013-03-25

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  李明機 ,  LII, MIRNG JI ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  陳孟澤 ,  CHEN, MENG TSE ,  林威宏 ,  LIN, WEI HUNG ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3613 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08113 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI499019B

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW101131840

申请日：2012-08-31

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李 凱文J ,  LEE, KEVIN J.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/11848 ,  H01L21/304

公开(公告)号：TWI483357B

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW101122590

申请日：2012-06-25

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  李明機 ,  LII, MIRNG JI ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05693 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48693 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48793 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48893 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81009 ,  H01L2224/81026 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01006

公开(公告)号：TW201413844A

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW102125691

申请日：2013-07-18

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 萊恩 薇薇安W ,  RYAN, VIVIAN W. ,  格斯勒 侯姆 ,  GEISLER, HOLM ,  彼爾 迪克 ,  BREUER, DIRK

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L22/12 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明涉及檢測金屬化系統之上所形成的異常剛性支柱凸塊。一般而言，本文所揭露的技術主題是與在半導體晶片上測試形成的支柱凸塊相關，以便檢測是否存在異常剛性的支柱凸塊。本文所揭露的一種說明性方法包括：將相鄰於在半導體晶片的金屬化系統上方形成的支柱凸塊的側部的測試探針定位；以及在以小於近似1微米/秒的實質固定速度移動該測試探針的同時，藉由使該支柱凸塊的該側部與該測試探針接觸而在該支柱凸塊上實施側向力測試。

简体摘要： 本发明涉及检测金属化系统之上所形成的异常刚性支柱凸块。一般而言，本文所揭露的技术主题是与在半导体芯片上测试形成的支柱凸块相关，以便检测是否存在异常刚性的支柱凸块。本文所揭露的一种说明性方法包括：将相邻于在半导体芯片的金属化系统上方形成的支柱凸块的侧部的测试探针定位；以及在以小于近似1微米/秒的实质固定速度移动该测试探针的同时，借由使该支柱凸块的该侧部与该测试探针接触而在该支柱凸块上实施侧向力测试。

公开(公告)号：TW201328447A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW101105323

申请日：2012-02-17

申请人： 三星電機股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.

发明人： 吳興才 ,  OH, HUENG JAE ,  鄭富陽 ,  JUNG, BOO YANG ,  李大榮 ,  LEE, DAE YOUNG ,  崔晉源 ,  CHOI, JIN WON

IPC分类号： H05K1/11 ,  H05K3/18

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8138 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/831 ,  H05K1/111 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2203/054 ,  H05K2203/0588 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明係關於一種印刷電路板(PCR)及其製造方法。印刷電路板包含一基板、一電路層、一阻焊層、一金屬柱及一種子層。電路層係形成於基板上，並包含一連接墊。阻焊層係形成於基板之上方部位，並具有暴露出連接墊的一開口。金屬柱係形成於阻焊層及連接墊的上方部位，且金屬柱具有多個直徑。種子層係沿著金屬柱的界面，形成於阻焊層之上方部位及開口的內壁上。

简体摘要： 本发明系关于一种印刷电路板(PCR)及其制造方法。印刷电路板包含一基板、一电路层、一阻焊层、一金属柱及一种子层。电路层系形成于基板上，并包含一连接垫。阻焊层系形成于基板之上方部位，并具有暴露出连接垫的一开口。金属柱系形成于阻焊层及连接垫的上方部位，且金属柱具有多个直径。种子层系沿着金属柱的界面，形成于阻焊层之上方部位及开口的内壁上。

公开(公告)号：TW201108342A

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：TW099121741

申请日：2010-07-01

申请人： 飛立帕奇帕國際股份有限公司

发明人： 柏吉斯古伊F ,  克帝斯安東尼 ,  強森麥可E ,  史陶特吉恩 ,  特西爾希歐多爾G

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/563 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/831 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 在晶圓級晶片尺度封裝及覆晶封裝及裝配中,將一焊料蓋形成於一垂直柱上。在一實施例中,該垂直柱上覆於一半導體基板。將可摻雜有至少一種微量元素之一焊膏施加於該柱狀結構之一頂部表面上。在施加該焊膏之後,執行一回焊製程以提供該焊料蓋。

简体摘要： 在晶圆级芯片尺度封装及覆晶封装及装配中,将一焊料盖形成于一垂直柱上。在一实施例中,该垂直柱上覆于一半导体基板。将可掺杂有至少一种微量元素之一焊膏施加于该柱状结构之一顶部表面上。在施加该焊膏之后,运行一回焊制程以提供该焊料盖。

公开(公告)号：TWI331391B

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：TW096109442

申请日：2007-03-20

申请人： 矽品精密工業股份有限公司

发明人： 黃建屏 ,  張錦煌 ,  黃致明 ,  柯俊吉

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一種可供堆疊之半導體裝置及其製法，係提供一具有複數晶片之晶圓，該晶片及晶圓具有相對之主動面及非主動面，且各該晶片主動面上設有複數銲墊，以於相鄰晶片銲墊間形成溝槽及於該溝槽處形成電性連接至晶片銲墊之第一金屬層，接著薄化該晶圓非主動面至該溝槽處而外露該第一金屬層，並於該晶圓非主動面形成電性連接至該第一金屬層之第二金屬層，之後分離各該晶片，以形成複數可供堆疊之半導體裝置，後續即可利用形成於該些半導體裝置主動面及非主動面上之第一及第二金屬層進行相互堆疊及電性連接，以構成多晶片之堆疊結構，俾可在不增加堆疊面積情況下有效整合更多晶片，同時避免使用銲線技術所導致電性不佳及因使用矽貫通電極(TSV)所導致製程複雜及高成本等問題。

简体摘要： 一种可供堆栈之半导体设备及其制法，系提供一具有复数芯片之晶圆，该芯片及晶圆具有相对之主动面及非主动面，且各该芯片主动面上设有复数焊垫，以于相邻芯片焊垫间形成沟槽及于该沟槽处形成电性连接至芯片焊垫之第一金属层，接着薄化该晶圆非主动面至该沟槽处而外露该第一金属层，并于该晶圆非主动面形成电性连接至该第一金属层之第二金属层，之后分离各该芯片，以形成复数可供堆栈之半导体设备，后续即可利用形成于该些半导体设备主动面及非主动面上之第一及第二金属层进行相互堆栈及电性连接，以构成多芯片之堆栈结构，俾可在不增加堆栈面积情况下有效集成更多芯片，同时避免使用焊线技术所导致电性不佳及因使用硅贯通电极(TSV)所导致制程复杂及高成本等问题。

公开(公告)号：TW200901304A

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：TW097115013

申请日：2008-04-24

申请人： 迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION

发明人： 木村祐輔 KIMURA, YUSUKE ,  台井曉治 DAII, TOSHIHARU ,  森俊 MORI, TAKASHI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： B24B37/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10158 ,  Y10S438/959 ,  Y10T83/0524 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401

摘要： 本發明之課題在於使在基板單體之基板的厚度及突起狀金屬的高度均一化。解決方法為使晶圓(基板)之裏面直接吸附且保持於夾頭台之吸附面,並切削突起狀電極之前端與抗蝕層,令其等在同一平面上(附加部切削步驟)。其次,使已切削之附加部之表面直接吸附且保持於夾頭台之吸附面後,研削晶圓裏面(裏面研削步驟),然後,除去抗蝕層。在將晶圓保持於夾頭台時,不使用保護膠帶,而使之直接保持,藉此均一地研削晶圓之厚度。

简体摘要： 本发明之课题在于使在基板单体之基板的厚度及突起状金属的高度均一化。解决方法为使晶圆(基板)之里面直接吸附且保持于夹头台之吸附面,并切削突起状电极之前端与抗蚀层,令其等在同一平面上(附加部切削步骤)。其次,使已切削之附加部之表面直接吸附且保持于夹头台之吸附面后,研削晶圆里面(里面研削步骤),然后,除去抗蚀层。在将晶圆保持于夹头台时,不使用保护胶带,而使之直接保持,借此均一地研削晶圆之厚度。

公开(公告)号：TWI279881B

公开(公告)日：2007-04-21

申请号：TW091103580

申请日：2002-02-27

申请人： 恰巴克有限公司 CHIPPAC, INC.

发明人： 關永都 YOUNG-DO KWEON ,  拉傑卓 潘希 RAJENDRA PENDSE ,  納及爾 艾瑪德 NAZIR AHMAD ,  金永門 KYUNG-MOON KIM

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一種金線成形凸塊結構，用於在一對包含一基座部份及一支幹部份的構件之間的電性內連線。該基座部份係固定在要進行內連線的一對構件中的一個當中的銲墊或跡線(例如一積體電路晶片)，而該支幹末端設置來接觸其它構件上的金屬墊(例如一印刷電路板)，以完成該內連線。根據本發明，該支幹末端被截斷而形成一橫斷平面，而該支幹比該基座更為柔。同時，亦提供一種在一接觸表面上形成一金線成形凸塊的方法，其包含在該表面上形成一凸塊基座部份，由該基座上端拉伸出一通常為錐形的尾端，並截斷該尾端來形成具有一平面橫斷上表面，及具有由該基座部份的上端到該上表面之長度的支幹部份。在一些具體實施例中，至少該金線成形凸塊的尾端部份使用一打線接合工具來形成。同時，亦提供一種在一電子封裝的一第一構件及一第二構件之間內連線的方法，其包含提供具有本發明的金線成形凸塊之構件中的一個，然後在一接合製程中將相對應的凸塊及銲墊放置在一起，該凸塊的支幹部份之柔性可容納該銲墊表面之共平面性的變化。

简体摘要： 一种金线成形凸块结构，用于在一对包含一基座部份及一支干部份的构件之间的电性内连接。该基座部份系固定在要进行内连接的一对构件中的一个当中的焊垫或迹线(例如一集成电路芯片)，而该支干末端设置来接触其它构件上的金属垫(例如一印刷电路板)，以完成该内连接。根据本发明，该支干末端被截断而形成一横断平面，而该支干比该基座更为柔。同时，亦提供一种在一接触表面上形成一金线成形凸块的方法，其包含在该表面上形成一凸块基座部份，由该基座上端拉伸出一通常为锥形的尾端，并截断该尾端来形成具有一平面横断上表面，及具有由该基座部份的上端到该上表面之长度的支干部份。在一些具体实施例中，至少该金线成形凸块的尾端部份使用一打线接合工具来形成。同时，亦提供一种在一电子封装的一第一构件及一第二构件之间内连接的方法，其包含提供具有本发明的金线成形凸块之构件中的一个，然后在一接合制程中将相对应的凸块及焊垫放置在一起，该凸块的支干部份之柔性可容纳该焊垫表面之共平面性的变化。

公开(公告)号：TWI224823B

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：TW092132839

申请日：2003-11-21

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

发明人： 劉昇聰 LIU, SHENG TSUNG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13194 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種利用導線銲塊之銲球製造方法，其係提供一銲料導線，該銲料導線具有一中空管，該中空管係填設有一助銲劑，並以打線方式將該銲料導線之一端加熱並接合在一基板之銲墊，以形成一含有助銲劑之導線銲塊，再經迴銲步驟使該導線銲塊形成銲球，省卻習知磨平導線銲塊與塗施助銲劑之步驟。

简体摘要： 一种利用导线焊块之焊球制造方法，其系提供一焊料导线，该焊料导线具有一中空管，该中空管系填设有一助焊剂，并以打线方式将该焊料导线之一端加热并接合在一基板之焊垫，以形成一含有助焊剂之导线焊块，再经回焊步骤使该导线焊块形成焊球，省却习知磨平导线焊块与涂施助焊剂之步骤。