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    SECURE STORAGE DEVICES AND METHODS OF MANAGING SECURE STORAGE DEVICES
    1.
    发明申请
    SECURE STORAGE DEVICES AND METHODS OF MANAGING SECURE STORAGE DEVICES 审中-公开
    安全存储设备和管理安全存储设备的方法

    公开(公告)号：US20090164709A1

    公开(公告)日：2009-06-25

    申请号：US12328553

    申请日：2008-12-04

    申请人： Byoung-Kook Lee ,  Ji-Soo Kim ,  Seon-Taek Kim ,  Won-Hee Cho

    发明人： Byoung-Kook Lee ,  Ji-Soo Kim ,  Seon-Taek Kim ,  Won-Hee Cho

    IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00

    CPC分类号： G06F12/023 ,  G06F12/14 ,  G06F21/78 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/1052 ,  G06F2212/7204 ,  G11C16/22

    摘要： Methods of managing a secure area in a secure storage device include conducting an authentication process between a host and the secure storage device while modifying a size of the secure area, backing up secure data to the host from the secure area after completing the authentication process, updating management information to modify a size of the secure area, and storing the secure data, which has been backed up to the host, into the secure area that is modified in size. Related storage devices are also disclosed.

    摘要翻译： 管理安全存储设备中的安全区域的方法包括在修改安全区域的大小的同时在主机与安全存储设备之间进行认证处理，在完成认证过程之后从安全区域向主机备份安全数据， 更新管理信息以修改安全区域的大小，并将已经备份到主机的安全数据存储到大小修改的安全区域中。 还公开了相关的存储设备。

    Portable storage device and method of managing resource of the portable storage device
    2.
    发明授权
    Portable storage device and method of managing resource of the portable storage device 有权
    便携式存储装置以及管理便携式存储装置的资源的方法

    公开(公告)号：US08578503B2

    公开(公告)日：2013-11-05

    申请号：US12192543

    申请日：2008-08-15

    申请人： Ji-Soo Kim ,  Seon-Taek Kim ,  Byung-Gook Kim ,  Byoung-Kook Lee ,  Chan-Ik Park

    发明人： Ji-Soo Kim ,  Seon-Taek Kim ,  Byung-Gook Kim ,  Byoung-Kook Lee ,  Chan-Ik Park

    IPC分类号： G06F7/04

    CPC分类号： G06F9/485 ,  G06F9/5016 ,  G06F21/10

    摘要： Provided are a portable storage device and a method of managing a resource of the portable storage device. The method includes converting a first DRM application into a ready status from an idle status if task processing of the first DRM application is required, and converting the first DRM application into a pending status and a second DRM application into the ready status from the idle status if task processing of the second DRM application is required.

    摘要翻译： 提供了便携式存储装置和管理便携式存储装置的资源的方法。 该方法包括：如果需要第一DRM应用的任务处理，将空闲状态的第一DRM应用转换为就绪状态，并且将第一DRM应用转换为待机状态，并将第二DRM应用从空闲状态转换为就绪状态 如果需要第二DRM应用的任务处理。

    Solid state disk and input/output method
    3.
    发明授权
    Solid state disk and input/output method 有权
    固态磁盘和输入/输出方式

    公开(公告)号：US09270445B2

    公开(公告)日：2016-02-23

    申请号：US12464914

    申请日：2009-05-13

    申请人： Woo-Hyun Lee ,  Ji-Soo Kim ,  Bum-Seok Yu

    发明人： Woo-Hyun Lee ,  Ji-Soo Kim ,  Bum-Seok Yu

    IPC分类号： G06F15/16 ,  H04L9/06 ,  G06F21/79

    CPC分类号： H04L9/0637 ,  G06F21/79 ,  H04L2209/08 ,  H04L2209/12

    摘要： Disclosed is a solid state disk including a storage unit configured to store data, and a control part configured to control enciphering and writing operation for the data using a key value and an initialization vector. The initialization vector is generated by processing an address corresponding to the data.

    摘要翻译： 公开了一种包括被配置为存储数据的存储单元的固态盘，以及被配置为使用键值和初始化向量来控制数据的加密和写入操作的控制部。 通过处理对应于数据的地址来生成初始化向量。

    Plasma etching method using polymer deposition and method of forming contact hole using the plasma etching method
    4.
    发明授权
    Plasma etching method using polymer deposition and method of forming contact hole using the plasma etching method 有权
    使用聚合物沉积的等离子体蚀刻方法和使用等离子体蚀刻方法形成接触孔的方法

    公开(公告)号：US06617253B1

    公开(公告)日：2003-09-09

    申请号：US09620022

    申请日：2000-07-20

    申请人： Chang-Woong Chu ,  Tae-Hyuk Ahn ,  Sang-Sup Jeong ,  Ji-Soo Kim

    发明人： Chang-Woong Chu ,  Tae-Hyuk Ahn ,  Sang-Sup Jeong ,  Ji-Soo Kim

    IPC分类号： H01L21302

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802

    摘要： A plasma etching method using selective polymer deposition, and a method of forming a contact hole using the plasma etching method are provided. The plasma etching method uses a method of reinforcing an etch mask by selectively depositing polymer on only a photoresist pattern, which is an etch mask. That is, a dielectric film is plasma etched for a predetermined period of time using the photoresist pattern as an etch mask, and polymer is selectively deposited on only the photoresist pattern which is thinned by plasma etching, thereby forming a polymer layer. Following this, the dielectric film is plasma etched using the photoresist pattern and the polymer layer as a mask. Thus, dielectric film etching providing high resolution and an excellent profile can be performed using the thinned photoresist pattern as a mask, and a contact hole and a self-aligned contact hole each having a very high aspect ratio, and a self-aligned contact hole having an excellent profile, can be formed.

    摘要翻译： 提供了使用选择性聚合物沉积的等离子体蚀刻方法，以及使用等离子体蚀刻方法形成接触孔的方法。 等离子体蚀刻方法使用通过仅在作为蚀刻掩模的光致抗蚀剂图案上选择性地沉积聚合物来增强蚀刻掩模的方法。 也就是说，使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，将电介质膜等离子体蚀刻预定的时间段，并且仅通过等离子体蚀刻而减薄的光致抗蚀剂图案上选择性地沉积聚合物，从而形成聚合物层。 接下来，使用光致抗蚀剂图案和聚合物层作为掩模来等离子体蚀刻电介质膜。 因此，可以使用减薄的光致抗蚀剂图案作为掩模，以及具有非常高的纵横比的接触孔和自对准接触孔以及自对准的接触孔来实现提供高分辨率和优异的轮廓的电介质膜蚀刻 具有优异的外形，可以形成。

    Method of dry-etching semiconductor devices
    8.
    发明授权
    Method of dry-etching semiconductor devices 有权
    干蚀刻半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07572736B2

    公开(公告)日：2009-08-11

    申请号：US10261595

    申请日：2002-09-30

    申请人： Yun-Sook Chae ,  Ji-Soo Kim ,  Chang-jin Kang

    发明人： Yun-Sook Chae ,  Ji-Soo Kim ,  Chang-jin Kang

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

    摘要： A system, method and product of dry-etching a semiconductor device are disclosed, the system having a material supply for forming a material layer on the semiconductor substrate, a pattern for disposing at least one photoresist pattern on the material layer, a dry-etching chamber for housing a dry-etching process of the material layer, a chiller for adjusting the temperature of the chamber, the semiconductor substrate, the material layer and/or the photoresist for the dry-etching process, a stage for loading the semiconductor substrate in the dry-etching chamber, and a dry-etchant supply for dry-etching the material layer while the integrity of the photoresist pattern is enhanced by the adjusted temperature.

    摘要翻译： 公开了一种干法蚀刻半导体器件的系统，方法和产品，该系统具有用于在半导体衬底上形成材料层的材料供应，用于在材料层上设置至少一种光致抗蚀剂图案的图案，干蚀刻 用于容纳材料层的干蚀刻工艺的腔室，用于调节用于干蚀刻工艺的腔室温度，半导体衬底，材料层和/或光致抗蚀剂的冷却器，用于将半导体衬底加载到 干蚀刻室和用于干蚀刻材料层的干蚀刻剂供应，同时通过调节的温度增强光致抗蚀剂图案的完整性。

    Method of forming fine patterns of semiconductor device
    9.
    发明授权
    Method of forming fine patterns of semiconductor device 有权
    形成半导体器件精细图案的方法

    公开(公告)号：US06723607B2

    公开(公告)日：2004-04-20

    申请号：US10440104

    申请日：2003-05-19

    申请人： Dong-Seok Nam ,  Ji-Soo Kim

    发明人： Dong-Seok Nam ,  Ji-Soo Kim

    IPC分类号： H01L218234

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/32139

    摘要： In the method of forming fine patterns of a semiconductor integrated circuit, a mask layer is formed over a semiconductor structure having a first region and a second region. A portion of the mask layer over the first region is removed to expose the semiconductor structure, and sacrificial layer patterns are formed over the exposed semiconductor structure. Then, spacers are formed on sidewalls of the sacrificial layer patterns and the mask layer, and portions of the spacers are removed to create fine mask patterns. The semiconductor structure is then patterned using the fine mask patterns to create fine patterns.

    摘要翻译： 在形成半导体集成电路的精细图案的方法中，在具有第一区域和第二区域的半导体结构上形成掩模层。 去除第一区域上的掩模层的一部分以暴露半导体结构，并且在暴露的半导体结构上形成牺牲层图案。 然后，在牺牲层图案和掩模层的侧壁上形成间隔物，并且去除间隔物的部分以产生精细的掩模图案。 然后使用精细掩模图案对半导体结构进行构图以产生精细图案。