公开(公告)号：US20080105828A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11733973

申请日：2007-04-11

申请人： Christopher R. HATEM ,  Jay Thomas SCHEUER ,  Russell J. LOW ,  Morgan D. Evans ,  Jonathan Gerald ENGLAND

发明人： Christopher R. HATEM ,  Jay Thomas SCHEUER ,  Russell J. LOW ,  Morgan D. Evans ,  Jonathan Gerald ENGLAND

IPC分类号： H01J49/02 ,  H01J27/02

CPC分类号： C23C14/48 ,  C01B3/0026 ,  C01B3/0031 ,  C01B3/0036 ,  C01B3/0047 ,  C01B3/0068 ,  C23C14/564 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705 ,  Y02E60/327

摘要： Techniques for removing molecular fragments from an ion implanter are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for removing molecular fragments from an ion implanter. The apparatus may comprise a supply mechanism configured to couple to an ion source chamber and to supply a feed material to the ion source chamber. The apparatus may also comprise one or more hydrogen-absorbing materials placed in a flow path of the feed material, to prevent at least one portion of hydrogen-containing molecular fragments in the feed material from entering the ion source chamber.

摘要翻译： 公开了从离子注入机去除分子碎片的技术。 在一个特定的示例性实施例中，这些技术可以被实现为用于从离子注入机去除分子碎片的装置。 该装置可以包括配置成耦合到离子源室并且将进料材料供应到离子源室的供给机构。 该装置还可以包括放置在进料材料的流动路径中的一种或多种吸氢材料，以防止进料中至少一部分含氢分子碎片进入离子源室。

公开(公告)号：US20090114813A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US11933934

申请日：2007-11-01

申请人： Bon Woong KOO ,  Jonathan Gerald ENGLAND

发明人： Bon Woong KOO ,  Jonathan Gerald ENGLAND

IPC分类号： H01J49/02

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/0225 ,  H01J2237/24485 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24585 ,  H01J2237/31703

摘要： Techniques for measuring energy contamination using time-of-flight (TOF) sensor are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as a method for detecting energy contamination in an ion beam using time-of-flight comprising directing an ion beam towards an entrance of a sensor, wherein the ion beam may include charged particles and neutral particles, blocking the ion beam periodically from entering the sensor and allowing a pulse of the ion beam to enter the sensor periodically using a gate mechanism, separating the charged particles and the neutral particles of the ion beam pulse based at least in part upon different transit times over a distance caused by variations in at least one of mass and energy associated with the charged particles and the neutral particles, and detecting at least one of the charged particles and the neutral particles separately at a detector based at least in part upon the different transit times.

摘要翻译： 公开了使用飞行时间（TOF）传感器测量能量污染的技术。 在一个特定的示例性实施例中，技术可以被实现为使用飞行时间来检测离子束中的能量污染的方法，包括将离子束朝向传感器的入口引导，其中离子束可以包括带电粒子和中性 颗粒，阻止离子束周期性地进入传感器并且允许离子束的脉冲使用门机构周期性地进入传感器，至少部分地基于不同的转移分离带电粒子和离子束脉冲的中性粒子 在与带电粒子和中性粒子相关联的质量和能量中的至少一种的变化引起的一段距离上的时间，以及至少部分地基于不同的方式在检测器处检测带电粒子和中性粒子中的至少一个 过境时间

公开(公告)号：US20080124903A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11733445

申请日：2007-04-10

申请人： Jonathan Gerald ENGLAND ,  Richard Stephen Muka ,  D. Jeffrey Lischer

发明人： Jonathan Gerald ENGLAND ,  Richard Stephen Muka ,  D. Jeffrey Lischer

IPC分类号： H01L21/425 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67005

摘要： Techniques for low-temperature ion implantation are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for low-temperature ion implantation. The apparatus may comprise a wafer support mechanism to hold a wafer during ion implantation and to facilitate movement of the wafer in at least one dimension. The apparatus may also comprise a cooling mechanism coupled to the wafer support mechanism. The cooling mechanism may comprise a refrigeration unit, a closed loop of rigid pipes to circulate at least one coolant from the refrigeration unit to the wafer support mechanism, and one or more rotary bearings to couple the rigid pipes to accommodate the movement of the wafer in the at least one dimension.

摘要翻译： 公开了用于低温离子注入的技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将技术实现为用于低温离子注入的装置。 该装置可以包括晶片支撑机构，以在离子注入期间保持晶片，并且促进晶片在至少一个维度上的移动。 该装置还可以包括联接到晶片支撑机构的冷却机构。 冷却机构可以包括制冷单元，刚性管的闭环，以将来自制冷单元的至少一个冷却剂循环到晶片支撑机构，以及一个或多个旋转轴承，以连接刚性管以适应晶片的移动 至少一个维度。

公开(公告)号：US20080044257A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11770220

申请日：2007-06-28

申请人： Jonathan Gerald ENGLAND ,  Richard Stephen Muka ,  Edwin A. Arevalo ,  Ziwei Fang ,  Vikram Singh

发明人： Jonathan Gerald ENGLAND ,  Richard Stephen Muka ,  Edwin A. Arevalo ,  Ziwei Fang ,  Vikram Singh

IPC分类号： H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/336 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/6831

摘要： Techniques for temperature-controlled ion implantation are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for temperature-controlled ion implantation. The apparatus may comprise a platen to hold a wafer in a single-wafer process chamber during ion implantation, the platen including: a wafer clamping mechanism to secure the wafer onto the platen and to provide a predetermined thermal contact between the wafer and the platen, and one or more heating elements to pre-heat and maintain the platen in a predetermined temperature range above room temperature. The apparatus may also comprise a post-cooling station to cool down the wafer after ion implantation. The apparatus may further comprise a wafer handling assembly to load the wafer onto the pre-heated platen and to remove the wafer from the platen to the post-cooling station.

摘要翻译： 公开了用于温度控制离子注入的技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将技术实现为用于温度控制的离子注入的装置。 该设备可以包括在离子注入期间将晶片保持在单晶片处理室中的压板，压板包括：晶片夹持机构，用于将晶片固定到压板上并在晶片和压板之间提供预定的热接触， 以及一个或多个加热元件以预热并将压板保持在高于室温的预定温度范围内。 该装置还可以包括后冷却站，以在离子注入之后冷却晶片。 该设备还可以包括晶片处理组件，以将晶片加载到预热台板上，并将晶片从压板移除到后冷却站。

公开(公告)号：US20080042078A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11778335

申请日：2007-07-16

申请人： Jonathan Gerald ENGLAND ,  Richard Stephen Muka ,  Scott C. Holden

发明人： Jonathan Gerald ENGLAND ,  Richard Stephen Muka ,  Scott C. Holden

IPC分类号： H01J37/08

CPC分类号： H01J37/20 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2065 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/336 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67213

摘要： Techniques for temperature-controlled ion implantation are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for high-temperature ion implantation. The apparatus may comprise a platen to hold a wafer in a single-wafer process chamber during ion implantation, the platen having a wafer interface to provide a predetermined thermal contact between the wafer and the platen. The apparatus may also comprise an array of heating elements to heat the wafer while the wafer is held on the platen to achieve a predetermined temperature profile on the wafer during ion implantation, the heating elements being external to the platen. The apparatus may further comprise a post-implant cooling station to cool down the wafer after ion implantation of the wafer.

摘要翻译： 公开了用于温度控制离子注入的技术。 在一个特定的示例性实施例中，这些技术可以被实现为用于高温离子注入的装置。 该装置可以包括在离子注入期间将晶片保持在单晶片处理室中的压板，压板具有晶片界面以在晶片和压板之间提供预定的热接触。 该装置还可以包括加热元件的阵列，以将晶片保持在压板上，以在离子注入期间在晶片上实现预定的温度分布，加热元件在压板外部。 该装置还可以包括植入物后冷却台，以在晶片的离子注入之后冷却晶片。