公开(公告)号：US4042454A

公开(公告)日：1977-08-16

申请号：US521388

申请日：1974-11-06

申请人： Ernst Haas ,  Joachim Martin ,  Konrad Reuschel ,  Manfred Schnoeller

发明人： Ernst Haas ,  Joachim Martin ,  Konrad Reuschel ,  Manfred Schnoeller

IPC分类号： C30B13/10 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  C30B31/20 ,  C30B31/22 ,  H01L21/261 ,  G21G1/06

CPC分类号： C30B31/22 ,  C30B13/00 ,  C30B31/20 ,  H01L21/261 ,  Y10S148/153 ,  Y10S148/165

摘要： Si monocrystals of the n-type are produced by zone melting polycrystalline Si rods under conditions sufficient to produce monocrystal rods, measuring the specific conductivity of such monocrystal rods and subjecting such monocrystal rods to a controlled radiation by thermal neutrons based on the measured conductivity to produce a desired degree of n-conductivity in the ultimately attained rods.

摘要翻译： n型的Si单晶通过区域熔化多晶硅棒在足以产生单晶棒的条件下产生，测量这种单晶棒的比电导率，并且基于所测量的导电率，使这种单晶棒受到热中子的受控辐射，以产生 在最终获得的杆中的n导电率的期望程度。

公开(公告)号：US4048508A

公开(公告)日：1977-09-13

申请号：US603680

申请日：1975-08-11

申请人： Joachim Martin ,  Ernst Haas ,  Manfred Schnoeller

发明人： Joachim Martin ,  Ernst Haas ,  Manfred Schnoeller

IPC分类号： C30B31/20 ,  G21G1/06 ,  G21K1/00 ,  G21K5/08 ,  H01L21/261 ,  B01J17/34

CPC分类号： G21K1/00 ,  C30B31/20 ,  G21K5/08

摘要： An apparatus for doping a semiconductor crystalline rod by nuclear or radiogenic reactions comprised of a hollow irradiation housing having axially and rotatably movable rod support means within the chamber thereof and a neutron conductive sleeve connected with the housing and providing communication between a neutron source and the housing chamber. Accurate and controlled doping of a semiconductor crystalline rod mounted on the rod support means within the housing chamber occurs via controlled rod movement in relation to the neutron source.

摘要翻译： 一种用于通过核或放射反应掺杂半导体晶体棒的装置，包括在其室内具有轴向和可旋转地移动的杆支撑装置的中空辐射壳体和与壳体连接并提供中子源和壳体之间的连通的中子导电套筒 房间。 安装在壳体室内的杆支撑装置上的半导体晶体棒的精确和受控的掺杂通过相对于中子源的受控棒移动发生。

公开(公告)号：US3967982A

公开(公告)日：1976-07-06

申请号：US595150

申请日：1975-07-11

申请人： Heinz-Herbert Arndt ,  Joachim Burtscher ,  Gustav Fischer ,  Ernst Haas ,  Joachim Martin ,  Gunter Raab ,  Manfred Schnoeller

发明人： Heinz-Herbert Arndt ,  Joachim Burtscher ,  Gustav Fischer ,  Ernst Haas ,  Joachim Martin ,  Gunter Raab ,  Manfred Schnoeller

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/261 ,  H01L21/263

CPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/261 ,  Y10S148/165

摘要： A semiconductor layer, such as an epitaxial layer on a suitable substrate is subjected to controlled bombardment by neutrons whereby the atoms of the semiconductor layer are converted via nuclear reaction into doping material atoms.

摘要翻译： 在合适的衬底上的诸如外延层的半导体层受到中子的受控轰击，由此半导体层的原子通过核反应转化成掺杂材料原子。

公开(公告)号：US4025365A

公开(公告)日：1977-05-24

申请号：US603678

申请日：1975-08-11

申请人： Joachim Martin ,  Ernst Haas ,  Konrad Reuschel ,  Manfred Schnoller

发明人： Joachim Martin ,  Ernst Haas ,  Konrad Reuschel ,  Manfred Schnoller

IPC分类号： G21G1/12 ,  C30B31/20 ,  G21H5/00 ,  H01L21/261 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L21/261 ,  C30B31/20 ,  G21H5/00 ,  Y10S148/003 ,  Y10S148/065 ,  Y10S148/165

摘要： A homogeneously doped p-conductive semiconductor material is produced by irradiating a desired semiconductor material with .gamma.-photons which trigger nuclear reactions within such irradiated material to form dopant atoms therein.

摘要翻译： 通过用在这种被照射的材料内触发核反应的γ光子照射期望的半导体材料以在其中形成掺杂剂原子来产生均匀掺杂的p导电半导体材料。

公开(公告)号：US4119441A

公开(公告)日：1978-10-10

申请号：US731440

申请日：1976-10-12

申请人： Ernst Haas ,  Karl Platzoeder ,  Manfred Schnoeller

发明人： Ernst Haas ,  Karl Platzoeder ,  Manfred Schnoeller

IPC分类号： H01J17/40 ,  C30B31/20 ,  H01L21/263

CPC分类号： C30B31/20 ,  Y10S148/165

摘要： A method is disclosed for the production of n-doped silicon single crystals, each having a dish-shaped specific electrical resistance profile in a radial direction about a central axis of the crystal. A silicon single crystal is exposed to a pattern of radiation with neutrons according to the reaction 30.sub.Si (n,.gamma.) 31.sub.Si .sup..beta.-.fwdarw. 31.sub.P. The neutron radiation causes a weaker doping concentration in marginal regions of the crystals due to the production of fewer phosphorus atoms. Either p-conductive silicon crystals or n-conductive silicon crystals may be utilized as an initial material for exposure to the neutron radiation.

摘要翻译： 公开了用于生产n掺杂硅单晶的方法，每个n型掺杂的单晶在围绕晶体的中心轴的径向上具有盘形比电阻分布。 根据反应30Si（n，γ）31Siβ→31P，将硅单晶暴露于具有中子的辐射图。 由于产生较少的磷原子，中子辐射在晶体的边缘区域引起较弱的掺杂浓度。 可以使用p导电硅晶体或n导电硅晶体作为暴露于中子辐射的初始材料。

公开(公告)号：US5732366A

公开(公告)日：1998-03-24

申请号：US794567

申请日：1997-02-03

申请人： Ernst Haas

发明人： Ernst Haas

IPC分类号： G21F9/34 ,  G21F9/30 ,  C21F9/00

CPC分类号： G21F9/305 ,  G21F9/308

摘要： A method for reprocessing metal parts that are radioactively contaminated with uranium includes smelting the metal parts so that a melt and a slag are formed. U.sub.235 -depleted uranium is admixed with the metal parts and/or the melt and/or the slag. It is contemplated for the U.sub.235 -depleted uranium to be admixed in the form of uranium glass.

摘要翻译： 用于再处理被铀放射性污染的金属部件的方法包括熔融金属部件，从而形成熔体和炉渣。 U235贫化铀与金属部件和/或熔体和/或炉渣混合。 预计U235贫化铀以铀玻璃的形式混合。

公开(公告)号：US5198128A

公开(公告)日：1993-03-30

申请号：US711367

申请日：1991-06-05

申请人： Hellmuth Beyer ,  Ernst Haas

发明人： Hellmuth Beyer ,  Ernst Haas

IPC分类号： G21F9/34

CPC分类号： G21F9/34 ,  Y10S55/09

摘要： A waste disposal site, such as an ultimate disposal site for radioactive substances, includes installed waste having hollow spaces remaining therebetween. Packing material fills the remaining spaces. At least one substance to which gaseous toxic substances such as radioactive gases adhere, is admixed with the packing material.

摘要翻译： 废物处理场所，如放射性物质的最终处置场所，包括在其间留有中空空间的已安装废物。 包装材料填充剩余的空间。 至少一种气体有毒物质如放射性气体附着的物质与包装材料混合在一起。

公开(公告)号：US5998689A

公开(公告)日：1999-12-07

申请号：US99242

申请日：1998-06-15

申请人： Ernst Haas ,  Nikolaus Neudert ,  Roland Hofmann

发明人： Ernst Haas ,  Nikolaus Neudert ,  Roland Hofmann

IPC分类号： C22B7/00 ,  G21F9/30 ,  G21F9/00 ,  A62D3/00 ,  C22B1/00 ,  C22B9/00 ,  C22B60/00

CPC分类号： C22B7/001 ,  G21F9/308 ,  Y02P10/214

摘要： A method for recycling metal parts contaminated by radioactive elements, in particular by .alpha.-emitters, includes forming a melt and a slag from the metal parts and then separating the slag from the melt. The radioactive elements are oxidized prior to the formation of the melt and the slag. For that purpose, the contaminated metal parts are exposed to an oxygen-containing atmosphere for a period at a temperature below the melting temperature of the metal parts.

摘要翻译： 用于回收被放射性元素污染的金属部件的方法，特别是由α-脱硫剂包括从金属部件形成熔体和熔渣，然后从熔体中分离出熔渣。 在形成熔体和熔渣之前，放射性元素被氧化。 为此，将污染的金属部件暴露于低于金属部件的熔融温度的温度下的含氧气氛中。