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    PERMEATION BARRIER FOR ENCAPSULATION OF DEVICES AND SUBSTRATES
    1.
    发明申请
    PERMEATION BARRIER FOR ENCAPSULATION OF DEVICES AND SUBSTRATES 有权
    用于封装器件和衬底的渗透阻挡层

    公开(公告)号：US20120068162A1

    公开(公告)日：2012-03-22

    申请号：US12886994

    申请日：2010-09-21

    申请人： Prashant Mandlik ,  Jeffrey Silvernail ,  Ruiqing Ma

    发明人： Prashant Mandlik ,  Jeffrey Silvernail ,  Ruiqing Ma

    IPC分类号： H01L51/52 ,  B32B3/00 ,  B32B9/04

    CPC分类号： H01L51/5253 ,  C23C16/401 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

    摘要： A permeation barrier film structure for organic electronic devices includes one or more bilayers having a hybrid permeation barrier composition. Each of the one or more bilayers includes a first region having a first composition corresponding to a first CF4—O2 Plasma Reactive Ion Etch Rate and a second region having a second composition corresponding to a second CF4—O2 Plasma Reactive Ion Etch Rate, wherein the second Etch Rate is greater than the first Etch Rate by a factor greater than 1.2 and the hybrid permeation barrier film is a homogeneous mixture of a polymeric material and a non-polymeric material, wherein the mixture is created from a single precursor material.

    摘要翻译： 用于有机电子器件的渗透阻挡膜结构包括具有混合渗透阻挡组合物的一个或多个双层。 一个或多个双层中的每一个包括具有对应于第一CF4-O2等离子体反应离子蚀刻速率的第一组成的第一区域和具有对应于第二CF4-O2等离子体反应离子蚀刻速率的第二组成的第二区域，其中 第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率大于1.2的因子，并且混合渗透阻挡膜是聚合材料和非聚合材料的均匀混合物，其中所述混合物由单一前体材料形成。

    Permeation barrier for encapsulation of devices and substrates
    4.
    发明授权
    Permeation barrier for encapsulation of devices and substrates 有权
    用于封装器件和衬底的渗透屏障

    公开(公告)号：US08766240B2

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：US12886994

    申请日：2010-09-21

    申请人： Prashant Mandlik ,  Jeffrey Silvernail ,  Ruiqing Ma

    发明人： Prashant Mandlik ,  Jeffrey Silvernail ,  Ruiqing Ma

    IPC分类号： H01L51/52 ,  B32B3/00 ,  B32B9/04

    CPC分类号： H01L51/5253 ,  C23C16/401 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

    摘要： A permeation barrier film structure for organic electronic devices includes one or more bilayers having a hybrid permeation barrier composition. Each of the one or more bilayers includes a first region having a first composition corresponding to a first CF4—O2 Plasma Reactive Ion Etch Rate and a second region having a second composition corresponding to a second CF4—O2 Plasma Reactive Ion Etch Rate, wherein the second Etch Rate is greater than the first Etch Rate by a factor greater than 1.2 and the hybrid permeation barrier film is a homogeneous mixture of a polymeric material and a non-polymeric material, wherein the mixture is created from a single precursor material.

    摘要翻译： 用于有机电子器件的渗透阻挡膜结构包括具有混合渗透阻挡组合物的一个或多个双层。 一个或多个双层中的每一个包括具有对应于第一CF4-O2等离子体反应离子蚀刻速率的第一组成的第一区域和具有对应于第二CF4-O2等离子体反应离子蚀刻速率的第二组成的第二区域，其中 第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率大于1.2的因子，并且混合渗透阻挡膜是聚合材料和非聚合材料的均匀混合物，其中所述混合物由单一前体材料形成。

    Thin Film Permeation Barrier For Devices And Substrates
    9.
    发明申请
    Thin Film Permeation Barrier For Devices And Substrates 审中-公开
    用于器件和基板的薄膜渗透屏障

    公开(公告)号：US20130202782A1

    公开(公告)日：2013-08-08

    申请号：US13365921

    申请日：2012-02-03

    申请人： Prashant Mandlik ,  Ruiqing Ma ,  Jeff Silvernail

    发明人： Prashant Mandlik ,  Ruiqing Ma ,  Jeff Silvernail

    IPC分类号： H05B33/10

    CPC分类号： H05B33/10 ,  C23C16/401 ,  H01L51/5253

    摘要： A method for fabricating a device having a barrier layer over a substrate is provided. A first sublayer of the barrier layer may be deposited via chemical vapor deposition using a first set of deposition parameters. The first set of deposition parameters may include a power density, a deposition pressure, a non-deposition gas flow rate and a deposition gas flow rate. One or more parameters may be set related to the flow ratio of non-deposition gas to deposition gas multiplied by the power density, or the power density divided by (1) the deposition pressure, (2) the sum of the non-deposition gas flow rate and the deposition gas flow rate, or (3) the precursor gas flow rate. The material of the first barrier layer may be selected to have a particular plasma etch rate compared to the etch rate of thermally growth silicon oxide under the same etching conditions.

    摘要翻译： 提供一种制造在衬底上具有阻挡层的器件的方法。 可以使用第一组沉积参数通过化学气相沉积来沉积阻挡层的第一子层。 第一组沉积参数可以包括功率密度，沉积压力，非沉积气体流速和沉积气体流速。 可以设置一个或多个参数，其与非沉积气体与沉积气体的流量乘以功率密度或功率密度除以（1）沉积压力相关，（2）非沉积气体的总和 流量和沉积气体流量，或（3）前体气体流速。 与相同蚀刻条件下的热生长氧化硅的蚀刻速率相比，第一阻挡层的材料可以被选择为具有特定的等离子体蚀刻速率。

    SPLIT ELECTRODE FOR ORGANIC DEVICES
    10.
    发明申请
    SPLIT ELECTRODE FOR ORGANIC DEVICES 审中-公开
    用于有机器件的分离电极

    公开(公告)号：US20130146875A1

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：US13324420

    申请日：2011-12-13

    申请人： Prashant Mandlik ,  Ruiqing Ma

    发明人： Prashant Mandlik ,  Ruiqing Ma

    IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L51/5234 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56

    摘要： A device is provided. The device includes a first electrode, an organic layer disposed over the first electrode and a second electrode disposed over the organic layer. The second electrode further includes a first conductive layer having an extinction coefficient and an index of refraction, a first separation layer disposed over the first conductive layer, and a second conductive layer disposed over the first separation layer. The first separation layer has an extinction coefficient that is at least 10% different from the extinction coefficient of the first conductive layer at 500 nm, or an index of refraction that is at least 10% different from the index of refraction of the first conductive layer at 500 nm. The device also includes a barrier layer disposed over the second conductive layer.

    摘要翻译： 提供了一种设备。 该装置包括第一电极，设置在第一电极上的有机层和设置在有机层上的第二电极。 第二电极还包括具有消光系数和折射率的第一导电层，设置在第一导电层上的第一分离层和设置在第一分离层上的第二导电层。 第一分离层具有与500nm处的第一导电层的消光系数至少10％不同的消光系数，或与第一导电层的折射率不同的至少10％的折射率 在500nm。 该装置还包括设置在第二导电层上的阻挡层。