公开(公告)号：US08951921B2

公开(公告)日：2015-02-10

申请号：US13912199

申请日：2013-06-07

申请人： Wintek Corporation

发明人： Hieng-Hsiung Huang ,  Wen-Chun Wang ,  Heng-Yi Chang ,  Chin-Chang Liu

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/78672 ,  C03C2218/152 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/154 ,  C23C14/024 ,  C23C14/025 ,  C23C14/185 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

摘要： A method of forming a thin film poly silicon layer includes following steps. Firstly, a substrate is provided. A heating treatment is then performed. A thin film poly silicon layer is then directly formed on a first surface of the substrate by a silicon thin film deposition process. A method of forming a thin film transistor includes following steps. Firstly, a substrate is provided. A heating treatment is then performed. A thin film poly silicon layer is then directly formed on a first surface of the substrate by a silicon thin film deposition process. A first patterning process is performed on the thin film poly silicon layer to form a semiconductor pattern. Subsequently, a gate insulation layer, a gate electrode, a source electrode and a drain electrode are formed.

摘要翻译： 形成薄膜多晶硅层的方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 然后进行加热处理。 然后通过硅薄膜沉积工艺在衬底的第一表面上直接形成薄膜多晶硅层。 形成薄膜晶体管的方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 然后进行加热处理。 然后通过硅薄膜沉积工艺在衬底的第一表面上直接形成薄膜多晶硅层。 在薄膜多晶硅层上进行第一图案化处理以形成半导体图案。 随后，形成栅极绝缘层，栅电极，源电极和漏电极。

公开(公告)号：US20130330934A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13912180

申请日：2013-06-06

申请人： WINTEK CORPORATION

发明人： Hieng-Hsiung Huang ,  Wen-Chun Wang ,  Heng-Yi Chang ,  Chin-Chang Liu

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02107 ,  C23C14/024 ,  C23C14/025 ,  C23C14/185 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

摘要： A method of forming a thin film poly silicon layer includes following steps. Firstly, a substrate is provided. The substrate has a first surface. A heating treatment is then performed. A thin film poly silicon layer is then directly formed on the first surface of the substrate by a silicon thin film deposition process.

摘要翻译： 形成薄膜多晶硅层的方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 衬底具有第一表面。 然后进行加热处理。 然后通过硅薄膜沉积工艺在衬底的第一表面上直接形成薄膜多晶硅层。

公开(公告)号：US20140087527A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：US14035930

申请日：2013-09-24

申请人： WINTEK CORPORATION

发明人： Hieng-Hsiung Huang ,  Wen-Chun Wang ,  Heng-Yi Chang ,  Chin-Chang Liu

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78678 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669

摘要： A method of forming a thin film poly silicon layer includes following steps. Firstly, a substrate is provided. A thin film silicon layer is then formed on the substrate by a silicon thin film deposition process. A heating treatment is then applied to the substrate so as to convert the thin film silicon layer into a thin film poly silicon layer. A method of forming a thin film transistor includes following steps. A first patterning process is performed on the thin film poly silicon layer on the substrate to form a semiconductor pattern. Subsequently, a gate insulation layer, a gate electrode, a source electrode and a drain electrode are formed.

摘要翻译： 形成薄膜多晶硅层的方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 然后通过硅薄膜沉积工艺在衬底上形成薄膜硅层。 然后对基板进行加热处理，以便将薄膜硅层转化为薄膜多晶硅层。 形成薄膜晶体管的方法包括以下步骤。 对基板上的薄膜多晶硅层进行第一图案化处理以形成半导体图案。 随后，形成栅极绝缘层，栅电极，源电极和漏电极。

公开(公告)号：US20130330886A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13912199

申请日：2013-06-07

申请人： Wintek Corporation

发明人： Hieng-Hsiung Huang ,  Wen-Chun Wang ,  Heng-Yi Chang ,  Chin-Chang Liu

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78672 ,  C03C2218/152 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/154 ,  C23C14/024 ,  C23C14/025 ,  C23C14/185 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

摘要： A method of forming a thin film poly silicon layer includes following steps. Firstly, a substrate is provided. A heating treatment is then performed. A thin film poly silicon layer is then directly formed on a first surface of the substrate by a silicon thin film deposition process. A method of forming a thin film transistor includes following steps. Firstly, a substrate is provided. A heating treatment is then performed. A thin film poly silicon layer is then directly formed on a first surface of the substrate by a silicon thin film deposition process. A first patterning process is performed on the thin film poly silicon layer to form a semiconductor pattern. Subsequently, a gate insulation layer, a gate electrode, a source electrode and a drain electrode are formed.

摘要翻译： 形成薄膜多晶硅层的方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 然后进行加热处理。 然后通过硅薄膜沉积工艺在衬底的第一表面上直接形成薄膜多晶硅层。 形成薄膜晶体管的方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 然后进行加热处理。 然后通过硅薄膜沉积工艺在衬底的第一表面上直接形成薄膜多晶硅层。 在薄膜多晶硅层上进行第一图案化处理以形成半导体图案。 随后，形成栅极绝缘层，栅电极，源电极和漏电极。

公开(公告)号：US20140071637A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US14019528

申请日：2013-09-05

申请人： WINTEK CORPORATION ,  Wintek (China) Technology Ltd.

发明人： Chang-Hsuan Hsu ,  Wen-Chun Wang ,  Cheng-Yi Chou ,  Heng-Yi Chang ,  Chien-Chung Chen ,  Ching-Fu Hsu ,  Chong-Wei Li ,  Ting-Yu Chang ,  Kuo-Chang Su

IPC分类号： H05K1/02

CPC分类号： H05K1/0213 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04111

摘要： A touch panel includes a first substrate and a first composite material conductive layer. The first composite material conductive layer has a first multilayer structure. The first multilayer structure includes a first refraction index compensating layer, a second refraction index compensating layer, and a first metal conductive layer. The first refraction index compensating layer, the first metal conductive layer, and the second compensation layer are stacked on the first substrate, and an equivalent refraction index of the first composite material conductive layer is substantially between a refraction index of the first substrate and 1.1 times the refraction index of the first substrate.

摘要翻译： 触摸面板包括第一基板和第一复合材料导电层。 第一复合材料导电层具有第一多层结构。 第一多层结构包括第一折射率补偿层，第二折射率补偿层和第一金属导电层。 第一折射率补偿层，第一金属导电层和第二补偿层堆叠在第一基板上，并且第一复合材料导电层的等效折射率基本上在第一基板的折射率与1.1倍之间 第一基板的折射率。

公开(公告)号：US20130201348A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13751149

申请日：2013-01-28

申请人： Wintek (China) Technology Ltd. ,  WINTEK CORPORATION

发明人： Chong-Wei Li ,  Shiao-Hui Liao ,  Ching-Fu Hsu ,  Heng-Yi Chang ,  Yu-Hua Wu

IPC分类号： G06F3/044

CPC分类号： G06F3/044

摘要： A capacitive touch panel includes a substrate, a plurality of first axis electrodes, and a plurality of second axis electrodes. Each of the first axis electrodes includes at least one first sensing electrode, and the first sensing electrode has a first electrode pattern region and a second electrode pattern region. Each of the second axis electrodes includes at least one second sensing electrode, and the second sensing electrode has a third electrode pattern region and a fourth electrode pattern region. A pattern density of the first electrode pattern region is higher than a pattern density of the second electrode pattern region, and a pattern density of the third electrode pattern region is higher than a pattern density of the fourth electrode pattern region.

摘要翻译： 电容式触摸面板包括基板，多个第一轴电极和多个第二轴电极。 每个第一轴电极包括至少一个第一感测电极，并且第一感测电极具有第一电极图案区域和第二电极图案区域。 每个第二轴电极包括至少一个第二感测电极，并且第二感测电极具有第三电极图案区域和第四电极图案区域。 第一电极图案区域的图案密度高于第二电极图案区域的图案密度，并且第三电极图案区域的图案密度高于第四电极图案区域的图案密度。