公开(公告)号：US20050107627A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US10497399

申请日：2002-11-27

申请人： Christian Dussarrat ,  Jean-Marc Girard

发明人： Christian Dussarrat ,  Jean-Marc Girard

IPC分类号： C07F7/02 ,  C07F7/10 ,  C23C16/34

CPC分类号： C07F7/10

摘要： A composition and method of preparation, to provide silane compounds that are free of chlorine. The compounds are hexakis(monohydrocarbylamino)disilanes with general formula (I) ((R)HN)3—Si—Si—(NH(R))3  (I) wherein each R independently represents a C1 to C4 hydrocarbyl. These disilanes may be synthesized by reacting hexachlorodisilane in organic solvent with at least 6-fold moles of the monohydrocarbylamine RNH2 (wherein R is a C1 to C4 hydrocarbyl). Such compounds have excellent film-forming characteristics at low temperatures. These films, particularly in the case of silicon nitride and silicon oxynitride, also have excellent handling characteristics.

摘要翻译： 提供不含氯的硅烷化合物的组合物和制备方法。 化合物是具有通式（I）的六（单烃基氨基）二硅烷，其中式（I）<βin-line-formula description =“In-line Formulas”end =“lead”→（（R）HN） -Si-Si-（NH（R））3（I）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？>其中每个R独立地表示 C 1至C 4烃基。 这些二硅烷可以通过使六氯二硅烷在有机溶剂中与至少6倍摩尔的单烃基胺R N H 2（其中R是C 1至C 4） 烃基）。 这些化合物在低温下具有优异的成膜特性。 这些膜，特别是在氮化硅和氮氧化硅的情况下，也具有优异的处理特性。

公开(公告)号：US20050100670A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10669623

申请日：2003-09-24

申请人： Christian Dussarrat ,  Jean-Marc Girard ,  Takako Kimura ,  Naoki Tamaoki ,  Yuusuke Sato

发明人： Christian Dussarrat ,  Jean-Marc Girard ,  Takako Kimura ,  Naoki Tamaoki ,  Yuusuke Sato

IPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： Silicon nitride film is formed on substrate (112) by feeding trisilylamine and ammonia into a CVD reaction chamber (11) that contains a substrate (112). The ammonia gas/trisilylamine gas flow rate ratio is set to a value of at least about 10 and/or the thermal CVD reaction is run at a temperature no greater than about 600° C. Silicon oxynitride is obtained by introducing an oxygen source gas into the CVD reaction chamber (11). This method avoids the production of ammonium chloride and/or the incorporation of carbonaceous contaminants which are detrimental to the quality of the deposited film.

摘要翻译： 通过将三甲胺和氨进料到含有基板（112）的CVD反应室（11）中，在基板（112）上形成氮化硅膜。 将氨气/三甲硅烷气体流量比设定为至少约10的值和/或热CVD反应在不高于约600℃的温度下运行。氮氧化硅通过将氧源气体引入 CVD反应室（11）。 该方法避免了氯化铵的生成和/或碳质污染物的结合，这对沉积膜的质量是有害的。

公开(公告)号：US20050037627A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：US10497455

申请日：2002-11-27

申请人： Christian Dussarrat ,  Jean-Marc Girard

发明人： Christian Dussarrat ,  Jean-Marc Girard

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/318 ,  H01L21/469 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/308 ,  C23C16/345

摘要： (Problem) To provide a method for the production of silicon nitride and silicon oxynitride films by CVD technology, wherein said method provides acceptable film-deposition rates even at lower temperatures and is not accompanied by the production of large amounts of ammonium chloride. (Solution) Use of a hydrocarbylaminodisilane compound with the formula (R0)3—Si—(R0)3 (I) {each R0 is independently selected from the hydrogen atom chlorine atom, and —NR1(R2) groups (wherein R1 and R2 are each independently selected from the hydrogen atom and C1 to C4 hydrocarbyl with the proviso that R1 and R2 may not both be the hydrogen atom) and at least one R0 is the —NR1(R2) group} as a precursor for silicon nitride and silicon oxynitride.

摘要翻译： （问题）提供通过CVD技术制造氮化硅和氮氧化硅膜的方法，其中所述方法即使在较低温度下也提供可接受的膜沉积速率，并且不伴随产生大量的氯化铵。 （溶液）使用式（R 0）3-Si-（R 0）3（I）{各R 0独立地选自氢原子氯原子和-NR（R 0））的烃基氨基二硅烷化合物 （R 2）基团（其中R 1和R 2各自独立地选自氢原子和C 1至C 4烃基，条件是R 1和R 2不能都是 作为氢原子），并且至少一个R 0是-NR 1（R 2）基团）作为氮化硅和氮氧化硅的前体。

公开(公告)号：US08765220B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13501057

申请日：2010-11-05

申请人： Christian Dussarrat ,  Vincent M. Omarjee ,  Venkateswara R. Pallem

发明人： Christian Dussarrat ,  Vincent M. Omarjee ,  Venkateswara R. Pallem

IPC分类号： C23C16/28 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0228

摘要： Disclosed are hafnium- or zirconium-containing compounds. The compounds may be used to deposit hafnium- or zirconium-containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition. The hafnium- or zirconium-containing compounds include a ligand at least one aliphatic group as substituents selected to have greater degrees of freedom than the substituents disclosed in the prior art.

摘要翻译： 公开了含铪或锆的化合物。 该化合物可用于使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积含铪层或含锆层。 含铪或锆的化合物包括至少一个脂族基团作为取代基的配体，其被选择为具有比现有技术中公开的取代基更大的自由度。

公开(公告)号：US20140170861A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：US14009812

申请日：2011-04-06

申请人： Venkateswara R. Pallem ,  Christian Dussarrat

发明人： Venkateswara R. Pallem ,  Christian Dussarrat

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C07F7/003 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228

摘要： Disclosed are hafnium-containing and zirconium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The compounds may be used to deposit hafnium, zirconium, hafnium oxide, and zirconium oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.

摘要翻译： 公开了含铪和锆的前体及其合成方法。 这些化合物可用于使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积铪，锆，氧化铪和氧化锆的层。

公开(公告)号：US20130202794A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13811472

申请日：2011-05-27

申请人： Christian Dussarrat ,  Vincent M. Omarjee

发明人： Christian Dussarrat ,  Vincent M. Omarjee

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/46

摘要： Disclosed are modified Atomic Layer Deposition processes used to deposit metal films on a substrate.

摘要翻译： 公开了用于在衬底上沉积金属膜的改性原子层沉积工艺。

公开(公告)号：US08404878B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12981872

申请日：2010-12-30

申请人： Venkateswara R. Pallem ,  Christian Dussarrat

发明人： Venkateswara R. Pallem ,  Christian Dussarrat

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/22 ,  C23C16/16 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F7/003 ,  C07F7/28 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28229

摘要： Disclosed are titanium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The compounds may be used to deposit titanium, titanium oxide, strontium-titanium oxide, and barium strontium titanate containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.

摘要翻译： 公开了含钛前体及其合成方法。 该化合物可用于使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积钛，氧化钛，锶 - 氧化钛和含钛酸钡锶层。

公开(公告)号：US20130059077A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13549910

申请日：2012-07-16

申请人： David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Christian Dussarrat ,  Clement Lansalot-Matras

发明人： David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Christian Dussarrat ,  Clement Lansalot-Matras

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/45553

摘要： Methods for deposition of metal films consisting essentially of Co, Mn, Ru or a lanthanide on surfaces using metal coordination complexes are provided. The precursors used in the process include a 2-methylimine pyrrolyl ligand and/or N,N′-diisopropylformamidinato ligand. The precursors may also contain cyclopentadienyl, pentamethylcyclopentadienyl or pyrrolyl groups.

摘要翻译： 提供了使用金属配位络合物在表面上沉积基本由Co，Mn，Ru或镧系金属构成的金属膜的方法。 在该方法中使用的前体包括2-甲基亚胺吡咯基配体和/或N，N'-二异丙基甲酰胺配体。 前体还可以含有环戊二烯基，五甲基环戊二烯基或吡咯基。

公开(公告)号：US08377511B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12295907

申请日：2006-04-03

申请人： Christian Dussarrat

发明人： Christian Dussarrat

IPC分类号： C23C16/34

CPC分类号： C23C16/308 ,  C23C16/345

摘要： Disclosed are CVD deposition of SiN and SiON films using pentakis(dimethylamino)disilane compounds along with a nitrogen containing gas and optionally an oxygen containing gas.

摘要翻译： 公开了使用五（二甲基氨基）乙硅烷化合物和含氮气体和任选的含氧气体的SiN和SiON膜的CVD沉积。

公开(公告)号：US20130022745A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13390495

申请日：2010-08-13

申请人： Christian Dussarrat ,  Vincent M. Omarjee ,  Venkateswara R. Pallem

发明人： Christian Dussarrat ,  Vincent M. Omarjee ,  Venkateswara R. Pallem

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/06 ,  C23C16/24 ,  C23C16/34

CPC分类号： H01L21/0237 ,  C23C16/24 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： Disclosed are non-pyrophoric mixtures of silicon compounds and solvents. Also disclosed are methods of stabilizing the pyrophoric silicon compounds (precursors). The non-pyrophoric mixtures may be used to deposit silicon-containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.

摘要翻译： 公开了硅化合物和溶剂的非自燃混合物。 还公开了稳定自发硅化合物（前体）的方法。 非自燃混合物可用于使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积含硅层。