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    PROGRAMMABLE LOGIC BLOCK OF FPGA USING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE
    102.
    发明申请
    PROGRAMMABLE LOGIC BLOCK OF FPGA USING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE 有权
    使用相变存储器件的FPGA的可编程逻辑块

    公开(公告)号：US20100148821A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：US12633731

    申请日：2009-12-08

    申请人： Byoung Gon YU ,  Yong-Joo Kim ,  Sung Min Yoon ,  Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Soonwon Jung

    发明人： Byoung Gon YU ,  Yong-Joo Kim ,  Sung Min Yoon ,  Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Soonwon Jung

    IPC分类号： H03K19/177 ,  H03K19/0948

    CPC分类号： H03K19/17784 ,  H03K19/17728 ,  H03K19/17792

    摘要： Provided is a programmable logic block of a field-programmable gate array (FPGA). The programmable logic block includes a pull-up access transistor connected to a power source, an up-phase-change memory device connected to the pull-up access transistor, a down-phase-change memory device connected to the up-phase-change memory device, an output terminal between the up-phase-change memory device and the down-phase-change memory device, and a pull-down access transistor connected to the down-phase-change memory device and a ground. The resistance values of the up-phase-change memory device and the down-phase-change memory device are individually programmed.

    摘要翻译： 提供了现场可编程门阵列（FPGA）的可编程逻辑块。 可编程逻辑块包括连接到电源的上拉访问晶体管，连接到上拉存取晶体管的上变相存储器件，连接到上变相存储晶体管的下变相存储器件 存储器件，上变相存储器件和下变相存储器件之间的输出端子以及连接到下变相存储器件和地的下拉存取晶体管。 上变相存储器件和下变相存储器件的电阻值被单独编程。