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    Programmable logic block of FPGA using phase-change memory device
    1.
    发明授权
    Programmable logic block of FPGA using phase-change memory device 有权
    使用相变存储器件的FPGA的可编程逻辑块

    公开(公告)号：US07911227B2

    公开(公告)日：2011-03-22

    申请号：US12633731

    申请日：2009-12-08

    申请人： Byoung Gon Yu ,  Yong-Joo Kim ,  Sung Min Yoon ,  Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Soonwon Jung

    发明人： Byoung Gon Yu ,  Yong-Joo Kim ,  Sung Min Yoon ,  Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Soonwon Jung

    IPC分类号： G06F7/38 ,  H03K19/173

    CPC分类号： H03K19/17784 ,  H03K19/17728 ,  H03K19/17792

    摘要： Provided is a programmable logic block of a field-programmable gate array (FPGA). The programmable logic block includes a pull-up access transistor connected to a power source, an up-phase-change memory device connected to the pull-up access transistor, a down-phase-change memory device connected to the up-phase-change memory device, an output terminal between the up-phase-change memory device and the down-phase-change memory device, and a pull-down access transistor connected to the down-phase-change memory device and a ground. The resistance values of the up-phase-change memory device and the down-phase-change memory device are individually programmed.

    摘要翻译： 提供了现场可编程门阵列（FPGA）的可编程逻辑块。 可编程逻辑块包括连接到电源的上拉访问晶体管，连接到上拉存取晶体管的上变相存储器件，连接到上变相存储晶体管的下变相存储器件 存储器件，上变相存储器件和下变相存储器件之间的输出端子以及连接到下变相存储器件和地的下拉存取晶体管。 上变相存储器件和下变相存储器件的电阻值被单独编程。

    PROGRAMMABLE LOGIC BLOCK OF FPGA USING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE
    2.
    发明申请
    PROGRAMMABLE LOGIC BLOCK OF FPGA USING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE 有权
    使用相变存储器件的FPGA的可编程逻辑块

    公开(公告)号：US20100148821A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：US12633731

    申请日：2009-12-08

    申请人： Byoung Gon YU ,  Yong-Joo Kim ,  Sung Min Yoon ,  Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Soonwon Jung

    发明人： Byoung Gon YU ,  Yong-Joo Kim ,  Sung Min Yoon ,  Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Soonwon Jung

    IPC分类号： H03K19/177 ,  H03K19/0948

    CPC分类号： H03K19/17784 ,  H03K19/17728 ,  H03K19/17792

    摘要： Provided is a programmable logic block of a field-programmable gate array (FPGA). The programmable logic block includes a pull-up access transistor connected to a power source, an up-phase-change memory device connected to the pull-up access transistor, a down-phase-change memory device connected to the up-phase-change memory device, an output terminal between the up-phase-change memory device and the down-phase-change memory device, and a pull-down access transistor connected to the down-phase-change memory device and a ground. The resistance values of the up-phase-change memory device and the down-phase-change memory device are individually programmed.

    摘要翻译： 提供了现场可编程门阵列（FPGA）的可编程逻辑块。 可编程逻辑块包括连接到电源的上拉访问晶体管，连接到上拉存取晶体管的上变相存储器件，连接到上变相存储晶体管的下变相存储器件 存储器件，上变相存储器件和下变相存储器件之间的输出端子以及连接到下变相存储器件和地的下拉存取晶体管。 上变相存储器件和下变相存储器件的电阻值被单独编程。

    Method for fabricating phase change memory device using solid state reaction
    7.
    发明授权
    Method for fabricating phase change memory device using solid state reaction 有权
    使用固态反应制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US08470719B2

    公开(公告)日：2013-06-25

    申请号：US13110579

    申请日：2011-05-18

    申请人： Seung Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Soon Won Jung ,  Byoung Gon Yu

    发明人： Seung Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Soon Won Jung ,  Byoung Gon Yu

    IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/06

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1666

    摘要： Provided are a nonvolatile memory device and a method of fabricating the same, in which a phase-change layer is formed using a solid-state reaction to reduce a programmable volume, thereby lessening power consumption. The device includes a first reactant layer, a second reactant layer formed on the first reactant layer, and a phase-change layer formed between the first and second reactant layers due to a solid-state reaction between a material forming the first reactant layer and a material forming the second reactant layer. The phase-change memory device consumes low power and operates at high speed.

    摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，其中使用固态反应形成相变层以减少可编程体积，从而降低功耗。 该装置包括第一反应物层，形成在第一反应物层上的第二反应物层和由形成第一反应物层的材料与第一反应物层之间的固态反应形成在第一和第二反应物层之间的相变层 形成第二反应物层的材料。 相变存储器件消耗低功率并以高速运行。