公开(公告)号：US07132699B2

公开(公告)日：2006-11-07

申请号：US10764486

申请日：2004-01-27

申请人： Tokuharu Kimura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Tokuharu Kimura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L31/072

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor device has: a substrate; a GaN channel layer; an n-type AlqGa1−qN (0

摘要翻译： 化合物半导体器件具有：基板; GaN沟道层; n型Al x Ga 1-q N（0

公开(公告)号：US6020604A

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：US977716

申请日：1997-11-25

申请人： Toshihide Kikkawa

发明人： Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L31/0328

CPC分类号： H01L29/7783

摘要： A compound semiconductor device including a semi-insulating GaAs substrate; an electron transit layer consisting of an InGAs layer formed on the substrate; a mitigation layer formed on the electron transit layer, and consisting of an AlGaInAs layer; and a barrier layer formed on the mitigation layer, consisting of an AlGaAs layer, and having a higher A1 composition ratio than the mitigation layer. Crystal defects in the barrier layer can be reduced, and the compound semiconductor device can have large gains. The barrier layer and the mitigation layers are so thin that a gate voltage sufficiently influences the electron transit layer, and the compound semiconductor device can have a threshold voltage higher than 0V.

摘要翻译： 一种具有半绝缘GaAs衬底的化合物半导体器件; 由形成在衬底上的InGAs层构成的电子传输层; 形成在电子转移层上的缓蚀层，由AlGaInAs层构成; 以及形成在缓和层上的阻挡层，由AlGaAs层构成，并且具有比缓解层更高的A1组成比。 可以降低阻挡层中的晶体缺陷，并且化合物半导体器件可以具有大的增益。 阻挡层和缓解层非常薄，使得栅极电压充分影响电子转移层，并且化合物半导体器件可以具有高于0V的阈值电压。

公开(公告)号：US5762706A

公开(公告)日：1998-06-09

申请号：US337829

申请日：1994-11-08

申请人： Junji Saito ,  Toshihide Kikkawa ,  Hirosato Ochimizu

发明人： Junji Saito ,  Toshihide Kikkawa ,  Hirosato Ochimizu

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/285 ,  H01L21/335 ,  C30B23/02

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/66462 ,  Y10S438/973

摘要： The present invention includes a process of growing a compound semiconductor layer locally, after applying radical particles that do not become an etchant of a compound semiconductor layer to an insulating mask so as to terminate the surface of the insulating mask in a state that the compound semiconductor layer is covered with the insulating mask, on the surface of the compound semiconductor layer exposed from the insulating mask.

摘要翻译： 本发明包括在将化合物半导体层不成为蚀刻剂的自由基粒子施加到绝缘掩模之后局部生长化合物半导体层的方法，以便在化合物半导体的状态下终止绝缘掩模的表面 在由绝缘掩模露出的化合物半导体层的表面上用绝缘掩模覆盖层。

公开(公告)号：US5521404A

公开(公告)日：1996-05-28

申请号：US353156

申请日：1994-12-09

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Hirosato Ochimizu

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Hirosato Ochimizu

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/072

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/122 ,  H01L29/7783

摘要： A high electron mobility transistor type group III-V compound semiconductor device includes a substrate of a group III-V compound semiconductor, an electron transfer layer of a group III-V compound semiconductor formed on the substrate, an impurity doped electron supply layer of a group III-V compound semiconductor having a wider band gap and smaller electron affinity than the electron transfer layer, and a spacer layer of a group III-V compound semiconductor having a lattice mismatch with the electron supply layer, the spacer layer being formed between the electron transfer layer and the electron supply layer. A HEMT type group III-V compound semiconductor device is provided which uses an Si-doped electron supply layer of material such as InGaP other than AlGaAs and has good device properties.

摘要翻译： 高电子迁移率晶体管型III-V族化合物半导体器件包括III-V族化合物半导体的衬底，形成在衬底上的III-V族化合物半导体的电子转移层， 具有比电子转移层更宽的带隙和更小的电子亲和力的III-V族化合物半导体和具有与电子供应层的晶格失配的III-V族化合物半导体的间隔层，间隔层形成在 电子转移层和电子供应层。 提供HEMT型III-V族化合物半导体器件，其使用除了AlGaAs以外的诸如InGaP的材料的Si掺杂电子供给层，并且具有良好的器件特性。