公开(公告)号：US20080280780A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US12033524

申请日：2008-02-19

Applicant: Robert J. Hamers ,  Sarah Baker ,  Chang-Soo Lee

Inventor： Robert J. Hamers ,  Sarah Baker ,  Chang-Soo Lee

IPC: C40B40/00 ,  C25F7/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00653 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B01J2219/00736 ,  B01J2219/0074

Abstract: Methods for building sensor arrays using electrical signals to selectively functionalize individual electrodes in an array of electrically addressable electrodes are provided. These methods are useful for providing sensor arrays for use in chemical and biochemical assays. The method is based on the sequential electrochemical reduction of functional groups on individual electrodes in order to selectively promote the functionalization of selected electrodes with selected binding entities.

Abstract translation: 提供了使用电信号构建传感器阵列以选择性地功能化电可寻址电极阵列中的各个电极的方法。 这些方法可用于提供用于化学和生物化学测定的传感器阵列。 该方法基于在各个电极上的官能团的顺序电化学还原，以便选择性地促进所选择的电极与所选择的结合实体的官能化。

公开(公告)号：US20080278989A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US12073666

申请日：2008-03-07

Applicant: Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

Inventor： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

IPC: G11C11/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: Provided is a resistive memory device and a method of manufacturing the resistive memory device that includes a bottom electrode, an insulating layer that is formed on the bottom electrode and has a hole that exposes the bottom electrode, a resistance layer and an intermediate layer which are formed in the hole, a switch structure formed on a surface of the intermediate layer, and an upper electrode formed on the switch structure.

Abstract translation: 本发明提供了一种电阻式存储器件及其制造方法，该电阻式存储器件包括底部电极，形成在底部电极上并具有露出底部电极的孔的绝缘层，电阻层和中间层， 形成在所述孔中，形成在所述中间层的表面上的开关结构和形成在所述开关结构上的上电极。

公开(公告)号：USD580442S1

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US29287197

申请日：2007-07-09

Applicant: Gui-Young Kim ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Soo Lee

Designer： Gui-Young Kim ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD580403S1

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US29300305

申请日：2008-03-10

Applicant: Yun-Bin Jung ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

Designer： Yun-Bin Jung ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD580392S1

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US29290900

申请日：2008-01-29

Applicant: Young-Se Kim ,  Ji-Eun Lee ,  Young-Ju Yeo ,  Chang-Soo Lee

Designer： Young-Se Kim ,  Ji-Eun Lee ,  Young-Ju Yeo ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD579902S1

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US29290840

申请日：2008-01-18

Applicant: Jun Kim ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

Designer： Jun Kim ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD579893S1

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US29271078

申请日：2007-01-10

Applicant: Chang-Hoon Suk ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

Designer： Chang-Hoon Suk ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD579432S1

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US29274592

申请日：2007-05-07

Applicant: Jun Kim ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

Designer： Jun Kim ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD579430S1

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US29271077

申请日：2007-01-10

Applicant: Yoon-Young Cho ,  Chang-Soo Lee

Designer： Yoon-Young Cho ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD578094S1

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US29268123

申请日：2006-10-31

Applicant: Sung-Hoon Hong ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Soo Lee

Designer： Sung-Hoon Hong ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Soo Lee