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    Resistive random access memory device
    3.
    发明授权
    Resistive random access memory device 失效
    电阻随机存取存储器件

    公开(公告)号：US07985961B2

    公开(公告)日：2011-07-26

    申请号：US12003133

    申请日：2007-12-20

    申请人： Sang-jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Chang-soo Lee

    发明人： Sang-jun Choi ,  Jung-hyun Lee ,  Chang-soo Lee

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/1226 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/142 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

    摘要： Example embodiments may provide resistive random access memory devices and/or methods of manufacturing resistive random access memory devices. Example embodiment resistive random access memory devices may include a switching device and/or a storage node connected to the switching device. The storage node may include a stack structure including a plurality of resistance change layers separated from one another and first and second electrodes each on a side wall of the stack structure. The resistance change layers may be connected to the first and the second electrodes in parallel and/or may have different switching voltages from each other.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供电阻性随机存取存储器件和/或制造电阻随机存取存储器件的方法。 示例性实施例电阻随机存取存储器设备可以包括连接到交换设备的交换设备和/或存储节点。 存储节点可以包括堆叠结构，其包括彼此分离的多个电阻变化层以及每个在堆叠结构的侧壁上的第一和第二电极。 电阻变化层可以并联连接到第一和第二电极和/或可以具有彼此不同的开关电压。

    Non-volatile memory device including dummy electrodes and method of fabricating the same
    4.
    发明授权
    Non-volatile memory device including dummy electrodes and method of fabricating the same 有权
    包括虚拟电极的非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08748969B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US12654470

    申请日：2009-12-22

    申请人： Xianyu Wenxu ,  Jung-hyun Lee ,  Dong-joon Ma ,  Yeon-hee Kim ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

    发明人： Xianyu Wenxu ,  Jung-hyun Lee ,  Dong-joon Ma ,  Yeon-hee Kim ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

    IPC分类号： H01L29/792

    CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

    摘要： Provided are a non-volatile memory device and a method of fabricating the same. The non-volatile memory device may include a substrate and a plurality of semiconductor pillars on the substrate. A plurality of control gate electrodes may be stacked on the substrate and intersecting the plurality of semiconductor pillars. A plurality of dummy electrodes may be stacked adjacent to the plurality of control gate electrodes on the substrate, the plurality of dummy electrodes being spaced apart from the plurality of control gate electrodes. A plurality of via plugs may be connected to the plurality of control gate electrodes. A plurality of wordlines may be on the plurality of via plugs. Each of the plurality of via plugs may penetrate a corresponding one of the plurality of control gate electrodes and at least one of the plurality of dummy electrodes.

    摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件可以包括衬底和衬底上的多个半导体柱。 多个控制栅电极可以堆叠在基板上并与多个半导体柱相交。 多个虚设电极可以与基板上的多个控制栅电极相邻，多个虚设电极与多个控制栅电极间隔开。 多个通孔塞可以连接到多个控制栅电极。 多个字线可以在多个通孔插头上。 多个通孔塞中的每一个可以穿透多个控制栅电极中的相应一个和多个虚拟电极中的至少一个。

    Non-volatile memory device and method of fabricating the same
    6.
    发明申请
    Non-volatile memory device and method of fabricating the same 有权
    非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20100155826A1

    公开(公告)日：2010-06-24

    申请号：US12654470

    申请日：2009-12-22

    申请人： Xianyu Wenxu ,  Jung-hyun Lee ,  Dong-joon Ma ,  Yeon-hee Kim ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

    发明人： Xianyu Wenxu ,  Jung-hyun Lee ,  Dong-joon Ma ,  Yeon-hee Kim ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

    IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

    摘要： Provided are a non-volatile memory device and a method of fabricating the same. The non-volatile memory device may include a substrate and a plurality of semiconductor pillars on the substrate. A plurality of control gate electrodes may be stacked on the substrate and intersecting the plurality of semiconductor pillars. A plurality of dummy electrodes may be stacked adjacent to the plurality of control gate electrodes on the substrate, the plurality of dummy electrodes being spaced apart from the plurality of control gate electrodes. A plurality of via plugs may be connected to the plurality of control gate electrodes. A plurality of wordlines may be on the plurality of via plugs. Each of the plurality of via plugs may penetrate a corresponding one of the plurality of control gate electrodes and at least one of the plurality of dummy electrodes.

    摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件可以包括衬底和衬底上的多个半导体柱。 多个控制栅电极可以堆叠在基板上并与多个半导体柱相交。 多个虚设电极可以与基板上的多个控制栅电极相邻，多个虚设电极与多个控制栅电极间隔开。 多个通孔塞可以连接到多个控制栅电极。 多个字线可以在多个通孔插头上。 多个通孔插塞中的每一个可以穿透多个控制栅电极中的相应一个和多个虚拟电极中的至少一个。

    Method of growing silicon and method of manufacturing solar cell using the same
    7.
    发明申请
    Method of growing silicon and method of manufacturing solar cell using the same 有权
    生长硅的方法及使用其制造太阳能电池的方法

    公开(公告)号：US20100151617A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：US12461502

    申请日：2009-08-13

    申请人： Jung-hyun Lee ,  Chang-soo Lee ,  Dong-joon Ma

    发明人： Jung-hyun Lee ,  Chang-soo Lee ,  Dong-joon Ma

    IPC分类号： H01L31/18 ,  C01B33/02

    CPC分类号： C01B33/027 ,  C01B33/029 ,  C01B33/03 ,  C01B33/035 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P20/544 ,  Y02P70/521

    摘要： In a method of growing silicon (Si) using a reactor, a supercritical fluid including a silicon Si source and hydrogen flows in the reactor, and the Si source reacts with hydrogen. A base substrate of a solar cell may be formed with Si made using the method of growing silicon (Si). The supercritical fluid may be a fluid in which Si is not oxidized and may be, for example, a CO2 supercritical fluid with a pressure of about 60 to about 200 atm. The Si source may be TriChloroSilane (TCS) (SiCl3H) or SiH4.

    摘要翻译： 在使用反应器生长硅（Si）的方法中，包括硅Si源和氢的超临界流体在反应器中流动，并且Si源与氢反应。 太阳能电池的基底可以由使用生长硅（Si）的方法制成的Si形成。 超临界流体可以是其中Si不被氧化的流体，并且可以是例如具有约60至约200atm压力的CO 2超临界流体。 Si源可以是三氯硅烷（TCS）（SiCl 3 H）或SiH 4。

    Material layer forming apparatus using supercritical fluid, material layer forming system comprising the same and method of forming material layer
    9.
    发明申请
    Material layer forming apparatus using supercritical fluid, material layer forming system comprising the same and method of forming material layer 审中-公开
    使用超临界流体的材料层形成装置，包括其的材料层形成系统和形成材料层的方法

    公开(公告)号：US20100092679A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：US12461532

    申请日：2009-08-14

    申请人： Jung-hyun Lee ,  Chang-soo Lee ,  Dong-joon Ma

    发明人： Jung-hyun Lee ,  Chang-soo Lee ,  Dong-joon Ma

    IPC分类号： B05D3/10 ,  C23C16/00 ,  C23C16/458

    CPC分类号： B01J3/008 ,  C23C18/08 ,  Y02P20/544

    摘要： Provided are a material layer forming apparatus using a supercritical fluid, a material layer forming system including the apparatus, and a method of forming a material layer using the system. The material layer forming system may include a high pressure pump supplying a supercritical fluid to a precursor storage container and the material layer forming apparatus, and maintaining the internal pressure of the precursor storage container, a reactant material storage container at a pressure such that the supercritical fluid is in a supercritical state, and a material layer forming apparatus. The material layer forming system may further include a pressure gauge adjusting the pressure of the material layer forming apparatus. The precursor of the precursor storage container may be supplied to the material layer forming apparatus using the supercritical fluid.

    摘要翻译： 提供了使用超临界流体的材料层形成装置，包括该装置的材料层形成系统以及使用该系统形成材料层的方法。 材料层形成系统可以包括高压泵，其向前体储存容器和材料层形成设备供应超临界流体，并且保持前体储存容器的内部压力，反应物料储存容器处于使得超临界 流体处于超临界状态，以及材料层形成装置。 材料层形成系统还可以包括调节材料层形成装置的压力的压力计。 可以使用超临界流体将前体储存容器的前体供应到材料层形成装置。