公开(公告)号：US08426837B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12073666

申请日：2008-03-07

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  H01L47/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： Provided is a resistive memory device and a method of manufacturing the resistive memory device that includes a bottom electrode, an insulating layer that is formed on the bottom electrode and has a hole that exposes the bottom electrode, a resistance layer and an intermediate layer which are formed in the hole, a switch structure formed on a surface of the intermediate layer, and an upper electrode formed on the switch structure.

摘要翻译： 提供了一种电阻式存储器件和制造该电阻式存储器件的方法，该电阻式存储器件包括底部电极，形成在底部电极上并具有暴露底部电极的孔的绝缘层，电阻层和中间层， 形成在所述孔中，形成在所述中间层的表面上的开关结构和形成在所述开关结构上的上电极。

公开(公告)号：US20080278989A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US12073666

申请日：2008-03-07

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： Provided is a resistive memory device and a method of manufacturing the resistive memory device that includes a bottom electrode, an insulating layer that is formed on the bottom electrode and has a hole that exposes the bottom electrode, a resistance layer and an intermediate layer which are formed in the hole, a switch structure formed on a surface of the intermediate layer, and an upper electrode formed on the switch structure.

摘要翻译： 本发明提供了一种电阻式存储器件及其制造方法，该电阻式存储器件包括底部电极，形成在底部电极上并具有露出底部电极的孔的绝缘层，电阻层和中间层， 形成在所述孔中，形成在所述中间层的表面上的开关结构和形成在所述开关结构上的上电极。

公开(公告)号：US20080164238A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11987738

申请日：2007-12-04

申请人： Seok-jae Chung ,  Soon-won Hwang ,  Jung-hyun Lee ,  Yeon-hee Kim

发明人： Seok-jae Chung ,  Soon-won Hwang ,  Jung-hyun Lee ,  Yeon-hee Kim

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C23G5/00 ,  H01J37/321 ,  H01L21/32136 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： A method of etching a metal oxide layer formed on a metal layer is provided. The method includes mounting a specimen having the metal oxide layer and a photoresist on the metal oxide layer in a reaction chamber, wherein the metal oxide layer is formed on the metal layer and a pattern is formed on the photoresist. Primary etching of the metal oxide layer exposed by the photoresist may be performed using Cl2 gas in an inductively coupled plasma method. Secondary etching of residues remaining on an etched region of the metal oxide layer may be performed using BCl3 gas in the inductively coupled plasma method.

摘要翻译： 提供了蚀刻形成在金属层上的金属氧化物层的方法。 该方法包括在反应室中将具有金属氧化物层和光致抗蚀剂的试样安装在金属氧化物层上，其中在金属层上形成金属氧化物层，在光刻胶上形成图案。 用光致抗蚀剂曝光的金属氧化物层的主蚀刻可以使用Cl 2气体以电感耦合等离子体方法进行。 残留在金属氧化物层的蚀刻区域上的残留物的二次蚀刻可以使用感应耦合等离子体方法中的BCl 3气体进行。

公开(公告)号：US20080087635A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11907091

申请日：2007-10-09

申请人： Soon-won Hwang ,  Jung-hyun Lee ,  Seok-jae Chung

发明人： Soon-won Hwang ,  Jung-hyun Lee ,  Seok-jae Chung

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： An etching method of a nickel oxide layer and a method of manufacturing a storage node of a resistive memory including the nickel oxide layer are provided. The method of etching the nickel oxide layer includes forming a nickel oxide layer on a substrate, forming a mask pattern on a desired region of the nickel oxide layer, removing the nickel oxide layer around the mask pattern using plasma generated from a mixed etching gas having a desired ratio of a main gas and an additive gas and removing the mask pattern.

摘要翻译： 提供了氧化镍层的蚀刻方法以及制造包含氧化镍层的电阻式存储器的存储节点的方法。 蚀刻氧化镍层的方法包括在基板上形成氧化镍层，在氧化镍层的期望区域上形成掩模图案，使用从具有 主气体和添加气体的期望比例，并去除掩模图案。

公开(公告)号：US07397099B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US11710475

申请日：2007-02-26

申请人： Soon-won Hwang ,  I-hun Song ,  Geun-young Yeom ,  Seok-jae Chung

发明人： Soon-won Hwang ,  I-hun Song ,  Geun-young Yeom ,  Seok-jae Chung

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/16

摘要： Provided is a method of manufacturing a nano-sized MTJ cell in which a contact in the MTJ cell is formed without forming a contact hole. The method of forming the MTJ cell includes forming an MTJ layer on a substrate, forming an MTJ cell region by patterning the MTJ layer, sequentially depositing an insulating layer and a mask layer on the MTJ layer, exposing an upper surface of the MTJ cell region by etching the mask layer and the insulating layer at the same etching rate, and depositing a metal layer on the insulating layer and the MTJ layer.

摘要翻译： 提供一种制造其中形成MTJ电池中的接触而不形成接触孔的纳米尺寸的MTJ电池的方法。 形成MTJ单元的方法包括在基板上形成MTJ层，通过图案化MTJ层形成MTJ单元区域，在MTJ层上依次沉积绝缘层和掩模层，暴露MTJ单元区域的上表面 通过以相同的蚀刻速率蚀刻掩模层和绝缘层，并在绝缘层和MTJ层上沉积金属层。

公开(公告)号：US20070164338A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11710475

申请日：2007-02-26

申请人： Soon-won Hwang ,  I-hun Song ,  Geun-young Yeom ,  Seok-jae Chung

发明人： Soon-won Hwang ,  I-hun Song ,  Geun-young Yeom ,  Seok-jae Chung

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/16

摘要： Provided is a method of manufacturing a nano-sized MTJ cell in which a contact in the MTJ cell is formed without forming a contact hole. The method of forming the MTJ cell includes forming an MTJ layer on a substrate, forming an MTJ cell region by patterning the MTJ layer, sequentially depositing an insulating layer and a mask layer on the MTJ layer, exposing an upper surface of the MTJ cell region by etching the mask layer and the insulating layer at the same etching rate, and depositing a metal layer on the insulating layer and the MTJ layer.

公开(公告)号：US20050158882A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US11033830

申请日：2005-01-13

申请人： Soon-won Hwang ,  I-hun Song ,  Geun-young Yeom ,  Seok-jae Chung

发明人： Soon-won Hwang ,  I-hun Song ,  Geun-young Yeom ,  Seok-jae Chung

IPC分类号： H01L21/28 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L43/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/16

摘要： Provided is a method of manufacturing a nano-sized MTJ cell in which a contact in the MTJ cell is formed without forming a contact hole. The method of forming the MTJ cell includes forming an MTJ layer on a substrate, forming an MTJ cell region by patterning the MTJ layer, sequentially depositing an insulating layer and a mask layer on the MTJ layer, exposing an upper surface of the MTJ cell region by etching the mask layer and the insulating layer at the same etching rate, and depositing a metal layer on the insulating layer and the MTJ layer.

摘要翻译： 提供一种制造其中形成MTJ电池中的接触而不形成接触孔的纳米尺寸的MTJ电池的方法。 形成MTJ单元的方法包括在基板上形成MTJ层，通过图案化MTJ层形成MTJ单元区域，在MTJ层上依次沉积绝缘层和掩模层，暴露MTJ单元区域的上表面 通过以相同的蚀刻速率蚀刻掩模层和绝缘层，并在绝缘层和MTJ层上沉积金属层。

公开(公告)号：US07220601B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US11033830

申请日：2005-01-13

申请人： Soon-won Hwang ,  I-hun Song ,  Geun-young Yeom ,  Seok-jae Chung

发明人： Soon-won Hwang ,  I-hun Song ,  Geun-young Yeom ,  Seok-jae Chung

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/16

摘要： Provided is a method of manufacturing a nano-sized MTJ cell in which a contact in the MTJ cell is formed without forming a contact hole. The method of forming the MTJ cell includes forming an MTJ layer on a substrate, forming an MTJ cell region by patterning the MTJ layer, sequentially depositing an insulating layer and a mask layer on the MTJ layer, exposing an upper surface of the MTJ cell region by etching the mask layer and the insulating layer at the same etching rate, and depositing a metal layer on the insulating layer and the MTJ layer.

摘要翻译： 提供一种制造其中形成MTJ电池中的接触而不形成接触孔的纳米尺寸的MTJ电池的方法。 形成MTJ单元的方法包括在基板上形成MTJ层，通过图案化MTJ层形成MTJ单元区域，在MTJ层上依次沉积绝缘层和掩模层，暴露MTJ单元区域的上表面 通过以相同的蚀刻速率蚀刻掩模层和绝缘层，并在绝缘层和MTJ层上沉积金属层。